[發明專利]半導體晶片的制造方法、半導體芯片的制造方法及IC卡無效
| 申請號: | 98801006.2 | 申請日: | 1998-07-06 |
| 公開(公告)號: | CN1234908A | 公開(公告)日: | 1999-11-10 |
| 發明(設計)人: | 平井稔;上田茂幸;宮田修;堀尾友春 | 申請(專利權)人: | 羅姆股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/301 | 分類號: | H01L21/301;B42D15/10;H01L21/60;H01L21/311 |
| 代理公司: | 上海專利商標事務所 | 代理人: | 孫敬國 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 半導體 晶片 制造 方法 芯片 ic | ||
技術領域
本發明涉及將電路元件與基板作成一體的半導體晶片的制造方法、利用該方法制造的半導體晶片、由該半導體晶片制造半導體芯片的方法、利用該方法制造的半導體芯片、以及具有該半導體芯片的IC卡。
背景技術
圖7表示以所謂片載板(Chip?on?board)方式在形成規定布線圖形的絕緣基板20上安裝半導體芯片10的狀態的放大圖。作為該片載板方式的一個例子,是在形成向上方突出的導體凸點21的絕緣基板20與形成從其主面10a突出的電極凸點11的半導體芯片10之間夾入各向異性導電膜30,然后將其加熱壓接,使導體凸點21與電極凸點11之間導通連接。
如圖7所示,非常清楚,各向異性異電膜30具有在粘接性的樹脂膜31內分散有導電粒子32的結構,導體凸點21與電極凸點11之間通過導電粒子32導電連接。另外,半導體芯片10的主面10a中未形成電極凸點11的區域與絕緣基板20之間,當各向異性導電膜30被加熱、一旦熔融而固化時,就利用樹脂膜31具有的粘接性而互相粘接。這時,由于導電粒子32分散于樹脂膜31內處于互相分離的狀態,因此該區域保持絕緣性能。這樣在前述安裝方法中,只要在夾有各向異性導電膜30的狀態下按壓半導體芯片10與絕緣基板20這樣的簡單操作,就能僅僅在必要部位實現電氣導通,同時將半導體芯片10安裝在絕緣基板20上。因而,與利用所謂芯片焊接及引線鍵合將半導體芯片10安裝在絕緣基板20上的情況相比,可以說是非常簡便的方法。
然而,在利用向各異性導電膜30將半導體芯片10安裝在絕緣基板20上的情況下,必須準備與要安裝的半導體芯片10的大小相應的、例如四邊分別為幾毫米左右的極小的各向異性導膜30,數量是要安裝的半導體芯片10的個數。而且,在半導體芯片10安裝前,必須將各向異性導電膜30一片一片放在絕緣基板20的導體凸點21上或粘貼在半導體芯片10的主面10a。這樣,采用以往的各向異性導電膜30的安裝方法,在安裝半導體芯片10之前要準備的方面,其作業性很差。
因此提出了下面的方案,在半導體晶片上形成若干個要構成半導體芯片10的電路元件,在這樣的半導體晶片狀態下,將各向異性導電膜30粘粘在整個電路元件形成區域,當分割各電路元件時,各向異性導電膜30也同時被分割。即采用上述方法的優點是,各電路元件被分割成一個一個半導體芯片10的狀態一,在其主面10a粘貼著各向異性導電膜30,在安裝半導體芯片10之前沒有必要作特別的準備。
一般地,在半導體晶片上適當的地方形成所謂劃線,以該劃線作為標記利用金剛石劃刀等分割成一個一個電路元件。劃線在例如圖形形成鈍化膜等工序中同時形成。但是如上所述,各向異性導電膜30的結構是將大量導電粒子32分散在樹脂膜31內,因此各向異性導電膜30具有乳白色的色彩。因而,對于半導體晶片上粘貼各向異性導電膜30的情況,必須透過乳白色的各向異性導電膜識別由SiN等形成的銀色劃線。為此,劃線難以進行視覺識別,難以分割電路元件得到所希望的半導體芯片10。
發明概述
本發明的目的在于解決上述以往的問題,即使將各向異性導電膜粘貼在形成多個電路元件的半導體晶片上,也能夠按照所希望的那樣分割電路元件。
為達到前述目的,在本發明中采取下述的技術手段。
即本發明第1形態的半導體晶片制造方法,其特征在于,包括將多個電路元件與基板作成一體的工序、在與各電路元件導通的電極區上形成電極凸點的工序、在基板規定位置上形成劃線或劃線標記的工序、以及粘貼各向異性導電膜以覆蓋各電極凸點及劃線或劃線標記的工序,將形成各電極凸點的工序與形成劃線或劃線標記的工序同時地進行。
在用各向異性導電膜將半導體芯片安裝在基板上,必須在與電路元件導通的電極區上形成從半導體芯片主面突出的電極凸點。該電極凸點是在形成包含電極區的規定布線圖形后在電極區域上形成。在上述制造方法中,將形成各電極凸點的工序與形成劃線或劃線標記的工序同時地進行。即設有必要有形成劃線或劃線標記的新的工序,在制造半導體晶片必須的工序中,能夠在規定部位形成劃線或劃線標記。
在令人滿意的實施形態中,包括形成各電極凸點及劃線或劃線標記的工序、形成使電極區的上面露出而保護電路元件的絕緣層的工序、在基板上整個電路元件形成區域上形成阻擋金屬層的工序、使各電極區的形成區域相對應的部位及應該形成劃線或劃線標記的部位暴露在外面形成光刻層的工序、在未形成光刻層的部位形成金屬層的工序,以及將光刻層及阻擋金屬層進行剝離處理的工序。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
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H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
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H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





