[發明專利]半導體陶瓷和使用該半導體陶瓷的半導體陶瓷元件無效
| 申請號： | 98121544.0 | 申請日： | 1998-10-21 |
| 公開（公告）號： | CN1093106C | 公開（公告）日： | 2002-10-23 |
| 發明（設計）人： | 川瀬洋一;中山晃慶;上野哲;石川輝伸;新見秀明 | 申請（專利權）人： | 株式會社村田制作所 |
| 主分類號： | C04B35/50 | 分類號： | C04B35/50;H01C7/04 |
| 代理公司： | 上海專利商標事務所 | 代理人： | 白益華 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 陶瓷 使用 元件 | ||
1.一種半導體陶瓷，包括(a)氧化鈷鑭作為主組分和(b)至少一種選自Li、Na、K、Rb、Cs、Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Ni、Cu和Zn的元素的氧化物，所述氧化物(b)的含量按其元素計約為0.001-1摩爾％。
2.如權利要求1所述的半導體陶瓷，其特征在于氧化鈷鑭為LaxCoO3，0.5≤x≤0.999。
3.如權利要求2所述的半導體陶瓷，其特征在于LaxCoO3的一部分La被選自Pr、Nd和Sm的至少一種元素所代替。
4.如權利要求1所述的半導體陶瓷，其特征在于含有的氧化物是Ca或Cu的氧化物。
5.如權利要求1所述的半導體陶瓷，其特征在于含有2或3種所述氧化物(b)。
6.如權利要求1所述的半導體陶瓷，其特征在于氧化物(b)的含量按其元素計約為0.005-0.9摩爾％。
7.一種半導體陶瓷元件，包括如權利要求1所述的半導體陶瓷和所述陶瓷上的電極。
8.如權利要求7所述的半導體陶瓷元件，其特征在于氧化鈷鑭為LaxCoO3，0.5≤x≤0.999。
9.如權利要求8所述的半導體陶瓷元件，其特征在于LaxCoO3的一部分La被選自Pr、Nd和Sm的至少一種元素所代替。
10.如權利要求9所述的半導體陶瓷元件，其特征在于含有的氧化物是Ca或Cu的氧化物。
11.如權利要求9所述的半導體陶瓷元件，其特征在于含有2或3種所述氧化物(b)。
12.如權利要求9所述的半導體陶瓷元件，其特征在于氧化物(b)的含量按其元素計約為0.005-0.9摩爾％。
13.一種驟增電流抑制器，含有如權利要求7所述的半導體陶瓷元件。
14.一種用于延遲電動機啟動的裝置，含有如權利要求7所述的半導體陶瓷元件。
15.一種用于保護鹵素燈的裝置，含有如權利要求7所述的半導體陶瓷元件。
16.一種溫度補償的晶體振蕩器，含有如權利要求7所述的半導體陶瓷元件。
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