[發明專利]使用導電針用于光掩模的抗靜電方法

無效

• 申請號: 98117632.1
• 申請日: 1998-08-24
• 公開（公告）號: CN1209641A
• 公開（公告）日: 1999-03-03
• 發明（設計）人: 山崎浩
• 申請（專利權）人: 日本電氣株式會社
• 主分類號: H01L21/00
• 分類號: H01L21/00
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司
• 代理人: 穆德駿

本發明涉及用于包括導電光屏蔽層的光掩模的抗靜電方法。

在電子束曝光裝置中，當光掩模電子被充電時，電子束的軌跡被充電的電子彎折，從而不可能在光掩模上繪出準確圖形。

另一方面，光掩模一般是通過玻璃基片、玻璃基片上的由Cr制成的光屏蔽層、光屏蔽層上的由CrO制成的反射避免(reflection?avoiding)層，以及反射避免層上的電子束阻擋(resist)層制成的。這個光掩模放置在電子束曝光裝置的暗盒(cassette)中，用于在其上繪制圖形。

為避免光掩模中的電子，即其光屏蔽層中的電子被充電，在暗盒中被彈簧支撐的導電針插入光掩模中。這樣，在光屏蔽層充電的電子有效地從導電層放電。這種情況下，如果施加于導電針的力不夠，則不可能使導電針穿過電子束阻擋層和反射避免層。結果，導電針不會與光屏蔽層接觸。與此相反，如果施加于導電針的力太強，則過量的作用力作用到光掩模，結果，光掩?；兓蜃冃危瑥亩膊豢赡茉诠庋谀Ｉ侠L成準確的圖形。

在第一現有技術用于光掩模的抗靜電方法中，與光屏蔽層相比，反射避免層的尺寸減小了，結果導電針很容易地穿透電子束阻擋層，到達光屏蔽層，這是由于導電針下面沒有反射避免層(見JP-A-4-371952)。這將在后面詳細描述。

然而在第一現有技術光掩模中，通過汽化處理在光屏蔽層上形成反射避免層需要覆蓋光屏蔽層外周邊的夾具，所以反射避免層的厚度變得不均勻，特別是在這個夾具的邊緣周圍。

在第二現有技術光掩模中，導電針與電子束阻擋層接觸，另外，高電源電極穿透電子束阻擋層并到達光屏蔽層。此狀態中，當高電源電壓施加于高電源電極時，在導電針和光屏蔽層之間的電子束阻擋層部分被靜電破壞，從而導電針與光屏蔽層接觸(見JP-A-2-125416)。這也將在后面詳細描述。然而第二現有技術光掩模，使裝置復雜化，所以制造成本高。

本發明的目的是提供一種用于光掩模的改進的抗靜電方法。不需減小反射避免層的尺寸并且不需要復雜的裝置。

根據本發明，在用于包括導電光屏蔽層的光掩模的抗靜電方法中，至少兩個導電針插入光掩模，從而使導電針與導電光屏蔽層接觸。然后，光掩模放置在電子束曝光裝置的暗盒中。再通過導電板使導電針與暗盒電連接。這樣，在導電光屏蔽層被電子束充電的電子有效地從導電針向暗盒放電。

通過參照附圖并與現有技術對比，使本發明更清楚地被理解，其中：

圖1A是表示第一現有技術光掩模的平面圖；

圖1B是沿圖1A中的線Ⅰ-Ⅰ截取的剖面圖；

圖1C是其中設置有圖1A和1B的光掩模的電子束曝光裝置的暗盒平面圖；

圖1D是在圖1C的導電針周轉的光掩模的剖面圖；

圖2是第二現有技術光掩模的截面圖；

圖3A是根據本發明導電針安裝裝置的透視圖；

圖3B是根據本發明導電針支架的透視圖；

圖3C是根據本發明光掩模的透視圖；

圖4是沿圖3A的線Ⅳ-Ⅳ截面的剖面圖；

圖5是沿圖3C的線Ⅴ-Ⅴ截取的剖面圖；

圖6A、6B、6C和6D是用于解釋圖3A的導電針安裝裝置的操作的示意圖；

圖7A是其中設置圖3C的光掩模的電子束曝光裝置的暗盒的平面圖；

圖7B是沿圖7A的線Ⅶ-Ⅶ截取的剖面圖；

在說明優選實施例之前，首先參照圖1A、1B、1C、1D和圖2解釋現有技術光掩模。

圖1A表示第一現有技術光掩模，圖1B是沿圖1A的線Ⅰ-Ⅰ截取的剖面圖(見JP-A-4-371952)。在圖1A和1B中，參考標記101表示其上形成由Cr制成的光屏蔽層102的玻璃基片。而且，在光屏蔽層102上形成CrO制成的反射避免層103，這樣，通過在晶片曝光處理過程中多次反射可以抑制圖形的準確性的減少。此情況下，與光屏蔽層102相比，反射避免層103尺寸減小了，因而光屏蔽層102的外周邊暴露出來。

電子束阻擋層104，在圖1A和1B中未示出，但在圖1C和1D中示出了，涂覆在圖1A和1B的光掩模的整個表面上。然后，如圖1C所示，光掩模被設置在電子束曝光裝置的暗盒105中。然后在光掩模上設置導電板(彈簧)106。結果，由于在導電針106a的下面沒有反射避免層，如圖1D所示，所以導電板106的導電針106a很容易地穿透電子束阻擋層104，到達光屏蔽層102。這樣，在光屏蔽層被電子束充電的電子有效地從導電板106放電。