[發明專利]硅－立方氮化硼薄膜的類P－N結電子器件材料及其制作方法

無效

• 申請號: 98116827.2
• 申請日: 1998-07-24
• 公開（公告）號: CN1063235C
• 公開（公告）日: 2001-03-14
• 發明（設計）人: 趙永年;何志;鄒廣田
• 申請（專利權）人: 吉林大學
• 主分類號: C23C16/34
• 分類號: C23C16/34
• 代理公司: 吉林大學專利事務所
• 代理人: 王恩遠,崔麗娟

1.一種單晶硅-納米晶立方氮化硼薄膜構成的具有P-N結特性的電子器件材料，其特征在于，由單晶硅作襯底層，在單晶硅上沉積有納米晶立方氮化硼薄膜，在單晶硅和納米晶立方氮化硼薄膜間形成類P-N結。

2.按照權利要求1所述的單晶硅-納米晶立方氮化硼薄膜構成的具有P-N結特性的電子器件材料，其特征在于，立方氮化硼薄膜厚度為50～150nm，立方氮化硼為5～10nm尺寸的納米晶；在P-N結的外表面鍍有鋁電極。

3．二種權利要求1給出的單晶硅-納米晶立方氮化硼薄膜類P-N結的電子器件材料的制作方法，包括最后形成歐姆接觸電極的工藝過程，其特征在于，在形成歐姆接觸電極之前有沉積立方氮化硼薄膜的工藝過程，即用經清潔處理的N型或P型單晶硅片作襯底，以六角氮化硼作源，置于真空室內，預抽真空至氣壓低于1×10^-2Pa后，充入氬氣至工作氣壓為1.0～1.5Pa，對六角氮化硼施加600～900W射頻功率，經0.8～1.5小時后停機；所說的形成歐姆接觸電極是采用熱蒸鍍方法在形成的單晶硅-納米晶立方氮化硼薄膜的類P-N結外表面鍍鋁，再在真空中加熱進行滲鋁。

4．按照權利要求3所述的單晶硅-納米晶立方氮化硼薄膜類P-N結電子器件材料的制作方法，其特征在于所說的沉積立方氮化硼薄膜的工作氣壓為1.3Pa，對單晶硅襯底加溫至500℃所加負偏壓為200V，所說的滲鋁是將制得的鋁-硅-立方氮化硼-鋁的類P-N結在真空度為10^-2Pa的真空中，加熱到450℃，經4小時后取出。