[發明專利]薄膜型加熱器及其制造方法無效
| 申請號： | 98108722.1 | 申請日： | 1998-06-01 |
| 公開（公告）號： | CN1202602A | 公開（公告）日： | 1998-12-23 |
| 發明（設計）人： | 徐五權;金興范;南升浩 | 申請（專利權）人： | 三星電子株式會社 |
| 主分類號： | F24F6/10 | 分類號： | F24F6/10;H05B3/12 |
| 代理公司： | 柳沈知識產權律師事務所 | 代理人： | 陶鳳波 |
| 地址： | 韓國*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 薄膜 加熱器 及其 制造 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種薄膜型加熱器包括：
一個基底；
多個以一個預定圖案涂覆于該基底上的單元加熱層；
一個用于將所述各單元加熱層互連以形成一個電流路徑的電極層；和
一個涂覆于所述基底用于保護所述加熱層和電極層的保護層。
2.根據權利要求1所述的薄膜型加熱器，其中，所述加熱層是由一種選自于包括TaAl、Ni-Cr合金、SnO2、HfB2和Ta的材料組中的材料形成的。
3.根據權利要求1所述的薄膜型加熱器，其中，還包括一個用于為所述加熱器施加電流的接線端子。
4.根據權利要求1所述的薄膜型加熱器，其中，所述電極層是由一種選自于包括Al、Au、Ag、RuO2和Pt的材料組中的材料形成的。
5.根據權利要求1所述的薄膜型加熱器，其中，所述保護層是由一種選自于包括Si3N4、SiO2和SiC的材料組中的材料形成的。
6.根據權利要求1所述的薄膜型加熱器，其中，所述保護層沿所述加熱層和所述電極層的上表面線形成并具有一個預定的厚度。
7.一種用于制造薄膜型加熱器的方法，包括以下步驟：
(a)用一種選自于包括TaAl、Ni-Cr合金、SnO2、HfB2和Ta的材料組中的材料在一個基底上以一個預定的圖案涂覆一個薄膜，以形成一個單元加熱層；
(b)通過將所述單元加熱層與所述基底上的一個電極層互連，形成一個電通路
(c)在上述基底上形成一個保護層，以保護所述加熱層和電極層。
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