[發(fā)明專利]一種制造薄膜晶體管和電子器件的方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 98106064.1
• 申請日: 1994-07-02
• 公開（公告）號: CN1193809A
• 公開（公告）日: 1998-09-23
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 山崎舜平;武內(nèi)晃;竹村保彥;島田浩行
• 申請（專利權(quán)）人: 株式會社半導(dǎo)體能源研究所
• 主分類號: H01L21/22
• 分類號: H01L21/22;H01L21/324;H01L21/20;H01L21/70
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司
• 代理人: 傅康,王忠忠

1.一種用于制造薄膜晶體管的方法，包括步驟如下：

在基片上制備一個半導(dǎo)體層；

將一雜質(zhì)離子引入所述半導(dǎo)體層的選定部分；及

在引入所述離子后，在所述半體體層上進(jìn)行迅速的熱退火。

2.一種用于制造薄膜晶體管的方法，包括步驟如下：

將其上形成有半導(dǎo)體層的基片放置于真空室中；

將摻雜氣體引入所述真空室；

向所述摻雜氣體中施加電能以形成摻雜離子；

通過一個電壓，以非質(zhì)量分離方法，將所述摻雜離子引入基片，從而將所述離子引入半導(dǎo)體層的部分；及

在引入所述離子后，在半導(dǎo)體層上進(jìn)行快速熱退火。

3.一種用于制造薄膜晶體管的方法，包括步驟如下：

將其上形成有半導(dǎo)體層的基片放入等離子摻雜腔中；

在所述第一真空腔中，通過等離子摻雜將雜質(zhì)的離子引入半導(dǎo)體層的選定部分；

在不將所述基片暴露于外部空氣中的情況下，將所述基片從所述等離子摻雜室傳送到退火室；

在所述退火室中，在半導(dǎo)體層上進(jìn)行迅速退火。

4.一種制造薄膜三極管的方法，包括步驟如下：

在基片上形成的半導(dǎo)體層上形成一個絕緣膜，它包括柵絕緣層；

在所述柵絕緣層上形成一個柵電極；

采用所述柵電極作為一個掩膜，將雜質(zhì)離子引入所述半導(dǎo)體；和

在所述半導(dǎo)體層上進(jìn)行迅速熱退火以激活所述雜質(zhì)。

5.一種制造薄膜三極管的方法，包括如下步驟：

在一基片上形成的一個半導(dǎo)體層上形成一個絕緣膜，該絕緣膜包括一個柵絕緣層；

在所述柵絕緣層上形成一個柵電極；

用所述柵電極作為一個掩膜，將雜質(zhì)離子引入所述半導(dǎo)體層；

在半導(dǎo)體層上用紅外光退火，以激活所述雜質(zhì)。

6.一種制造電子器件的方法，包括下列連續(xù)步驟：

(a)在基片上制備至少第一和第二半導(dǎo)體島，每個所述半導(dǎo)體島

具有一個柵絕緣層和在柵絕緣層上形成的一個柵電極；

(b)用相關(guān)柵電極作為掩膜，同時保護(hù)膜將第二半導(dǎo)體島覆蓋，將硼離子引入第一半導(dǎo)體島；

(c)用磨光的方法將所述保護(hù)膜去掉；

(d)用相關(guān)柵電極作為掩膜將磷離子引入第一和第二半導(dǎo)體島；知

(e)所述第一和第二半導(dǎo)體島迅速進(jìn)行熱退火。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中所述半導(dǎo)體層是由LPCVD或等離子CVD構(gòu)成。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中所述柵電極包括由一組材料鋁、鉭、鉻、鎢、鉬、硅及其合金中選出的一種材料。