[發明專利]半導體存儲裝置

無效

• 申請號: 98105433.1
• 申請日: 1998-03-09
• 公開（公告）號: CN1203427A
• 公開（公告）日: 1998-12-30
• 發明（設計）人: 福田達哉
• 申請（專利權）人: 三菱電機株式會社
• 主分類號: G11C29/00
• 分類號: G11C29/00
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司
• 代理人: 姜郛厚,葉愷東

本發明涉及半導體存儲裝置，尤其是產生使該半導體存儲裝置處于測試模式的測試模式激活信號的部分的結構，更為具體地說，本發明涉及測試模式激活信號發生部在接通電源時用于初始設定的結構。

在同步型半導體存儲裝置等半導體存儲裝置中，為保證產品的可靠性需進行各種測試。在上述測試中，有在產品出廠時暴露潛在的缺陷以辨別初期不合格的缺陷產品的篩選測試及對多位存儲單元同時進行測試以便在短時間內檢測存儲單元的合格/不合格的的多位測試模式等。在該篩選測試中，有使半導體存儲裝置在與正常動作條件相比的高溫和高壓條件下動作的老化模式。這些測試模式都是在產品出廠前進行的動作模式。實際上，在用戶使用的系統中，并不使用這些測試模式。

在實際使用半導體存儲裝置的系統中，如該半導體存儲裝置進入測試模式，則半導體存儲裝置的內部狀態將變得與正常動作模式時的狀態不同，因而有可能發生動作故障。為了在上述實際使用時使半導體存儲裝置不能進入測試模式，通常是以在實際使用時的正常動作模式中不使用的多個外部信號狀態的組合設定測試模式。但是，在接通電源時(開始對半導體存儲裝置施加電源電壓時)，在內部電路中存在著例如象鎖存電路或觸發電路那樣的不能預先確定初始輸出電壓的結點或保持浮置狀態的內部結點，這些內部結點的電壓在接通電源時是不確定的。在這種情況下，如根據這些電壓電平不確定(不能預先確定其在接通電源后的電壓電平)的結點的電壓電平設定進入測試模式的定時條件，則該半導體存儲裝置就有進入測試模式的可能性。為了可靠地對這種不確定的內部結點的電壓電平進行初始設定，為了在接通電源時用于將這種不確定的結點初始設定(復位)為規定電壓電平，采用著電源接通檢測信號POR。

圖13是簡略地表示現有的測試模式激活信號發生電路的結構的圖。在圖13中，測試模式激活信號發生電路100包含：三態反相緩沖器100a，當模式設定指示信號MSET及ZMSET激活時變為啟動狀態，使從外部供給的特定地址信號位Add反相且進行緩沖處理，并傳送到內部結點NA；及測試模式激活信號輸出電路100b，根據該內部結點NA的電壓輸出測試模式激活信號TME，且當模式設定指示信號MSET及ZMSET激活時，將該測試模式激活信號TME鎖定。當模式設定指示信號MSET及ZMSET變為非激活狀態時，三態反相緩沖器100a變為高輸出阻抗狀態。

測試模式激活信號輸出電路100b包含：反相器100ba，將結點NA上的信號反相后傳送到結點NB，并產生測試模式激活信號TME；及三態反相緩沖器100bb，當模式設定指示信號MSET及ZMSET激活時被激活，并將結點NB上的信號傳送到結點NA。當模式設定指示信號MSET及ZMSET變為非激活狀態時，該三態反相緩沖器100bb也變為高輸出阻抗狀態。

測試模式激活信號發生電路100還包含一個p溝道MOS晶體管102，響應電源接通檢測信號ZPOR的激活，將電源結點NV與內部結點NA電氣連接。該電源接通檢測信號ZPOR，在電源結點NV上施加電源電壓Vcc且其電壓電平達到規定電壓電平或變為穩定狀態之前，保持L電平的激活狀態。

下面，參照其時間圖即圖14說明在該圖13中示出的測試模式激活信號發生電路100的動作。

在同步型半導體存儲裝置中，動作模式由時鐘信號CLK上升時外部信號的狀態組合指定。在時鐘周期#a中，在時鐘信號CLK的上升沿，行地址選通信號ZRAS、列地址選通信號ZCAS、及允許寫入信號ZWE，都設定為L電平。該狀態稱為模式設定命令，被指定為與正常動作模式不同的模式。當施加該模式設定命令時，將特定的地址信號位Add設定為H電平。

當施加該模式設定命令時，模式設定指示信號MSET變為規定時間的H電平，使在圖13中示出的三態反相緩沖器100a動作，在使該地址信號位Add反相后傳送到內部結點NA。傳送到該內部結點NA的信號，由反相電路100ba反相后傳送到內部結點NB，使測試模式激活信號TME變為H電平。在該測試模式激活信號發生電路100b中，三態反相緩沖器100bb以與三態反相緩沖器100a互補的方式動作，并當模式設定指示信號MSET變為L電平的非激活狀態時，三態反相緩沖器100bb變為動作狀態，該反相器100ba和三態反相緩沖器100bb構成鎖存電路。因此，將測試模式激活信號TME保持在H電平的激活狀態。