[發明專利]氫化碳薄膜

無效

• 申請號: 98103656.2
• 申請日: 1998-01-16
• 公開（公告）號: CN1192023A
• 公開（公告）日: 1998-09-02
• 發明（設計）人: R·L·懷特
• 申請（專利權）人: 國際商業機器公司
• 主分類號: G11B5/62
• 分類號: G11B5/62;G11B5/84
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司
• 代理人: 吳增勇,傅康

1.一種用作磁盤驅動器耐磨組成部分的制品，其特征在于包括：

其上沒有或有多層薄膜層的襯底；和

處在襯底或薄膜層上而構成表面的薄膜保護層，薄膜保護層包含碳和氫，其中在最接近襯底或薄膜層處的氫原子百分數最低，而向表面逐漸增加，并在表面處氫原子百分數達到最大。

2.權利要求1的制品，其特征在于最低氫原子百分數在從20到30％范圍內。

3.權利要求1的制品，其特征在于最高氫原子百分數大于35％。

4.權利要求1的制品，其特征在于最低氫原子百分數小于10％，而最高氫原子百分數大于35％。

5.權利要求1的制品，其特征在于表面層有大于72度的水接觸角。

6.權利要求1的制品，其特征在于薄膜保護層有大約50到200埃厚度。

7.一種在磁盤驅動器中用作處在磨損條件下的組成部分的制品，其特征在于包括：

第一含氫化碳(C：H)的薄膜層，它淀積在襯底上或先前已形成的薄膜層上，此含氫化碳(C：H)的薄膜層含X原子百分數的氫，而X小于或等于35％；

第二含C：H的薄膜層，它淀積在所述第一薄膜層上，此第二薄膜層含Y原子百分數的氫，而Y大于X；

含C：H的表面薄膜層，它淀積在所述第二薄膜層上，此表面薄膜層含Z原子百分數的氫，而Z大于Y。

8.權利要求7的制品，其特征在于所述表面層氫含量Z為35％原子百分數或更大。

9.權利要求7的制品，其特征在于所述第二層氫含量Y在20％到35％原子百分數范圍內。

10.權利要求7的制品，其特征在于所述表面層氫含量Z為35％原子百分數或更大，所述第二層氫含量Y在20到35％原子百分數而所述第一層氫含量X小于15％原子百分數。

11.權利要求7的制品，其特征在于所述第一、第二和表面薄膜層的總厚度為從20到200埃。

12.權利要求7的制品，其特征在于所述第二層有大于12.5千兆帕(Gpa)的硬度。

13.權利要求7的制品，其特征在于所述表面層有大于72度的水接觸角。

14.一種在磁盤驅動器中用作處在磨損條件下的組成部分的制品，其特征在于包括：

第一含氫和碳(C：H)的薄膜層，它淀積在襯底上或先前已形成的薄膜層上，此第一層薄膜層含氫原子百分數的范圍從20％到30％；和

含C：H的表面薄膜層，它淀積在所述第一薄膜層上，此表面薄膜層含氫原子百分數大于35％。

15.權利要求14的制品，其特征在于所述第一和表面薄膜層的總厚度為從20到200埃。

16.權利要求14的制品，其特征在于所述第一層的氫含量Y足以使第一層的硬度大于12.5千兆帕(Gpa)。

17.權利要求14的制品，其特征在于所述表面層的氫含量Z足以使水的接觸角大于72度。

18.一種磁盤驅動器，其特征在于包括：

可旋轉的薄膜盤；

可定位在薄膜盤上的滑動器；

用于轉動薄膜盤的裝置；和

有形成含碳和氫的耐磨表面的保護外層的滑動器或薄膜盤，此保護外層在耐磨表面處的氫原子百分數最高，向襯底方向氫逐漸減少，在最接近襯底處氫原子百分數最低。

19.權利要求18的制品，其特征在于在耐磨表面處氫含量為35％原子百分數或更大。

20.權利要求18的制品，其特征在于最低氫原子百分數在20到35％范圍內。

21.權利要求18的制品，其特征在于最低氫原子百分數在10％而最高氫原子百分數大于35％。

22.權利要求18的制品，其特征在于耐磨表面層有大于72度的水接觸角。

23.權利要求18的制品，其特征在于所述保護外層的厚度大約為20到200埃。

24.權利要求18的制品，其特征在于耐磨表面硬度大于12.5Gpa。