[實(shí)用新型]電機(jī)保護(hù)自動控制器

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 97221472.0
• 申請日: 1997-07-22
• 公開（公告）號: CN2311878Y
• 公開（公告）日: 1999-03-24
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張炳文
• 申請（專利權(quán)）人: 張炳文
• 主分類號: H02H7/085
• 分類號: H02H7/085;H02H7/09
• 代理公司: 北京科龍環(huán)宇專利事務(wù)所
• 代理人: 王國權(quán)

本實(shí)用新型涉及一種電開關(guān)，更確切地說是涉及一種三相電機(jī)等負(fù)載的緊急保護(hù)裝置。

當(dāng)三相電機(jī)等負(fù)載發(fā)生堵轉(zhuǎn)、缺相、過壓、過載、短路等突發(fā)故障時(shí)，需要及時(shí)切斷三相供電，以免燒毀電機(jī)等負(fù)載。用于切斷電機(jī)等負(fù)載三相供電的緊急保護(hù)裝置，大致有電子式及電熱式兩種類型。

采用熱繼電器的電熱式保護(hù)裝置有惰性大的缺點(diǎn)，而電子式的保護(hù)裝置通常需要使用同步電源，給使用造成了一定的局限性。

中國實(shí)用新型專利“磁電式綜合控制器”(95229193.2、95229195.9)，公開了一種綜合運(yùn)用磁電控制原理設(shè)計(jì)的電機(jī)保護(hù)自動控制器，不必使用同步電源，該種控制器采用電流互感器、二極管整流橋路檢測電機(jī)等負(fù)載的故障狀況，用光電耦合器作為控制部件觸發(fā)可控硅工作，再由可控硅控制設(shè)置在三相電源中的交流接觸器，在電機(jī)出現(xiàn)異常情況時(shí)關(guān)斷交流接觸器切斷電機(jī)等負(fù)載的供電，從而構(gòu)成磁電式綜合控制。實(shí)際使用中，由于光電耦合器對環(huán)境溫度及氣流等極其敏感，特別是炎熱的夏天更容易發(fā)生誤動作，從而造成了保護(hù)工作誤差。

本實(shí)用新型的目的是設(shè)計(jì)一種電機(jī)保護(hù)自動控制器，對上述磁電式綜合控制器作出改進(jìn)設(shè)計(jì)，使其可控硅的觸發(fā)電路不再使用光電耦合晶體管開關(guān)電路，從而形成一種保護(hù)可靠、快速的自動保護(hù)控制器。

本實(shí)用新型目的是這樣實(shí)現(xiàn)的，電機(jī)保護(hù)自動控制器，由三相電流互感器L1、L2、L3、可控硅ST及可控硅的觸發(fā)控制電路連接構(gòu)成，其特征在于：

所述可控硅的觸發(fā)控制電路包括第一、第二、第三相二極管整流橋路、斷相保護(hù)電路、過壓/過載保護(hù)電路和阻抗變換觸發(fā)電路；第一、第二、第三相二極管整流橋路的輸入端分別連接對應(yīng)的三相電流互感器L1、L2、L3，第一相二極管整流橋路輸出端連接過壓/過載保護(hù)電路，第一、第二、第三相二極管整流橋路輸出端分別連接斷相保護(hù)電路輸入端，斷相保護(hù)電路及過壓/過載保護(hù)電路輸出連接阻抗變換觸發(fā)電路輸入端，阻抗變換觸發(fā)電路輸出端接所述可控硅ST的觸發(fā)端。

所述的第一相二極管整流橋路包括第1二極管橋路和第2二極管橋路；所述的斷相保護(hù)電路由第一可控硅CT1、第二可控硅CT2、第三可控硅CT3串連連接構(gòu)成；所述的阻抗變換觸發(fā)電路包括二極管和兩個(gè)并聯(lián)連接的第四可控硅CT4及第五可控硅CT5；二極管陰極接第四可控硅CT4、第五可控硅CT5的陽極，第五可控硅CT5的觸發(fā)極連接所述的可控硅ST的觸發(fā)極，電流互感器線圈L1兩端分別連接第1、第2二極管橋路的一個(gè)輸入端，第1、第2二極管橋路的另一輸入端并接，第1二極管橋路的輸出端接所述的過壓/過載保護(hù)電路，第2二極管橋路的輸出正端接過壓/過載保護(hù)電路及第一可控硅CT1的觸發(fā)極，第2二極管橋路的輸出負(fù)端接第一、第二可控硅CT1、CT2的串接點(diǎn)；電流互感器線圈L2兩端分別連接第二相二極管整流橋路的兩輸入端，第三相二極管整流橋路的輸出正端接第二可控硅CT2的觸發(fā)端，第二相二極管整流橋路的輸出負(fù)端連接第二、第三可控硅CT2、CT3的串接點(diǎn)；電流互感器線圈L3兩端分別連接第三相二極管整流橋路的兩輸入端，第三相二極管整流橋路的輸出正端連接第三可控硅CT3的觸發(fā)極，第三相二極管整流橋路的輸出負(fù)端接第三可控硅CT3的陰極及所述二極管的陽極；第一可控硅CT1陽極接第四可控硅CT4觸發(fā)極，第五可控硅CT5觸發(fā)極接所述可控硅ST的觸發(fā)極。

所述的過壓/過載保護(hù)電路由晶體三極管Q1、Q2、電阻R1、R2、R3、電位器W、電容C1連接構(gòu)成，Q1集電極通過電阻R3接所述第1二極管橋路的輸出正端，Q1、Q2發(fā)射極接電容C1一端、電位器W一端及第1二極管橋路的輸出負(fù)端，Q1基極接Q2集電極及R1一端，Q2基極接C1、W另一端，W的調(diào)整端接R2一端，R1、R2另一端連接所述第2二極管橋路輸出正端及可控硅CT1觸發(fā)極。

所述的過壓/過載保護(hù)電路由晶極三極管Q1、Q2、電阻R1、R2、R3、電容C1、電位器W和可控硅CT6連接組成；電阻R3并接在第1二極管橋路的輸出端間，Q1基極連接Q2集電極及R2一端，Q1集電極接CT6陰極，Q2基極接W一端及C1一端，W另一端接C1另一端及Q2、Q1發(fā)射極和所述可控硅CT3陰極，W調(diào)整端接R1一端，R1另一端接R2另一端及CT6觸發(fā)極、所述可控硅CT1的陽極，CT6陽極接所述可控硅CT4的觸發(fā)極。