[實用新型]一種半導體基因擴增室無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 97213998.2 | 申請日: | 1997-04-18 |
| 公開(公告)號: | CN2306230Y | 公開(公告)日: | 1999-02-03 |
| 發(fā)明(設計)人: | 王志西 | 申請(專利權)人: | 王志西 |
| 主分類號: | C12Q1/68 | 分類號: | C12Q1/68 |
| 代理公司: | 河北省科技專利事務所 | 代理人: | 李羨民 |
| 地址: | 050051 河北省*** | 國省代碼: | 河北;13 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 半導體 基因 擴增 | ||
本實用新型涉及一種改進的基因擴增儀部件,屬生物學實驗技術設備、特別是分子生物學實驗檢測設備領域。
多聚酶鏈式反應(Polymerase?chaim?Reaction)簡稱PCR技術,是一種模擬天然DNA復制過程在體外快速擴增DNA片斷的新技術。PCR技術以其簡便、快捷、靈敏、特異性高等優(yōu)點,在生命科學、醫(yī)學診斷、遺傳工程、法醫(yī)和考古學等領域得到迅速的發(fā)展和應用。
PCR技術原理是在微量離心管中加入適量的緩沖液、微量的模板DNA、四種脫氧單核苷酸(DNTP)溶液、耐熱性多聚酶、Mg2+和兩個合成DNA的引物。首先將上述溶液加熱,使模板DNA雙鏈解離,形成單鏈DNA,這稱為DNA的變性,解除變性的條件之后,變性的單鏈可以重新結合起來,形成雙鏈,這稱為DNA復性,也叫退火。PCR擴增系統(tǒng)中模板DNA經(jīng)過高溫變性后,分解為兩條單鏈,然后,系統(tǒng)溫度降低,引物退火,與相互互補的模板DNA結合,形成局部的雙鏈,這是DNA復制的起點,即延伸的固定起點,再將溶液的反應溫度升至中溫,在多聚酶的作用下,以DNTP為原料,以引物為復制的起點,模板DNA的一條雙鏈,在解鏈和退火之后形成為兩條雙鏈,這稱為延伸。如此重復改變反應溫度,即高溫變性,低溫退火,和中溫延伸三個階段,再淪為一個循環(huán),經(jīng)過一個循環(huán)可使特異區(qū)段的基因拷貝數(shù)放大一倍,一般樣品經(jīng)過30次循環(huán),最終使基因數(shù)放大了數(shù)百萬倍。
高溫變性、低溫退火、中溫延伸三個階段中,溫度要求為:高溫變性90℃~97℃,退火50℃左右,延伸70℃左右。在溫度變化時,要求溫度的升降梯度很大,溫度的曲線變化要陡,同時要求溫度控制非常精確,對于一個基因擴增儀來說,如何實現(xiàn)溫度的精密循環(huán)就成為其技術的核心。
目前在市場上出現(xiàn)的PCR基因擴增儀,按其升、降溫原理有如下幾種類型:
1.以三個不同溫度的水裕鍋,通過機械手對樣品的移動來達到PCR溫度循環(huán)。這種機型的機械手容易損壞,溫度變化少,不能適應多種溫度變化的要求。
2.用循環(huán)氣體或液體達到PCR溫度循環(huán),這種儀器溫度控制差,反應速度慢。
3.用電阻元件加熱、結合壓縮機制冷的PCR擴增儀,此類機型性能穩(wěn)定,控溫較精密,但反應速度較慢,且價格昂貴。
4.根據(jù)波爾貼效應而選用的半導體材料來升、降溫完成PCR擴增。由于半導體致冷致熱塊(即溫差塊)具有冷熱轉換速度快,熱損失小,裝置簡單,重量輕等優(yōu)點,八十年代末,世界上很多公司竟相研制使用半導體溫差塊的PCR擴增儀。
由于半導體溫差塊大量采用三碲化二鉍材料制造,用該材料制成的N型或P型的半導體材料強度都很低,其焊劑又不耐高溫,一般空載溫差僅有60℃~66℃,而PCR擴增儀的工作情況要求其負載溫差超過70℃以上,同時要求冷熱變化率高而周期小,因此用普通三鏑化二鉍半導體材料制成的溫差塊用于PCR擴增儀壽命短,這已成為當前世界各國未能解決的難題。
近年來,國外生產(chǎn)的最新PCR擴增儀,升降溫速率可達3℃/秒,控制精密,溫度過沖不超過0.1℃,是目前最先進的PCR基因擴增儀,但是該儀器使用的半導體溫差塊系特殊材料制造,成本極高,一般一臺進口機售價在10~24萬人民幣。
本實用新型的目的在于提供一種采用普通半導體溫差塊制成的用于PCR基因擴增儀的基因擴增室。
本實用新型的目的是這樣實現(xiàn)的:
一種半導體基因擴增室,擴增室內(nèi)放置盛放被擴增基因的離心管4,基因擴增室由半導體溫差堆及相接的散熱板5,散熱風機組成,隔熱外殼6將半導體溫差堆、導熱工作板3包圍在其內(nèi),其基本改進之處在于,所述半導體溫差堆由兩個或兩個以上的半導體溫差塊2疊放而成,相鄰兩層半導體溫差塊工作面面積相同、性能參數(shù)也相同,且一一對應重疊放置,在任一時刻,相鄰兩層半導體溫差塊的接觸面處于冷熱相反狀態(tài)。
上述半導體基因擴增室,所述的相鄰兩層半導體溫差塊之間涂有導熱脂膜。
上述半導體基因擴增室,所述半導體溫差堆所疊放的半導體溫差塊的層數(shù)為2-4層。
上述半導體基因擴增室,所述隔熱外殼由硬質(zhì)泡沫塑料制成。
在本實用新型中,由于用于控溫的半導體溫差堆采用了溫差塊疊放、冷熱串連的接法,使其能有效地完成PCR溫度循環(huán)的要求,同時又使得每層半導體溫差塊所負擔的溫差降低到40℃以內(nèi),遠小于普通半導體溫差塊溫差參數(shù)限制值,因而順利解決了普通半導體溫差塊在PCR基因擴增儀中的壽命問題,使得將普通半導體溫差塊應用于PCR基因擴增儀成為可能。該基因擴增室升降溫快速,溫控精度高,而且造價低,使用所述擴增室制成的PCR基因擴增儀成本不到2000元人民幣,遠小于國外進口產(chǎn)品。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于王志西,未經(jīng)王志西許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權和技術合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/97213998.2/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 上一篇:鐵路車輛車鉤遙控摘掛裝置
- 下一篇:泵下參液混合裝置





