[發明專利]磁記錄介質

無效

• 申請號: 97112789.1
• 申請日: 1997-06-17
• 公開（公告）號: CN1174370A
• 公開（公告）日: 1998-02-25
• 發明（設計）人: 立花淳一
• 申請（專利權）人: 索尼株式會社
• 主分類號: G11B5/66
• 分類號: G11B5/66
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所
• 代理人: 范本國

本發明涉及磁記錄介質，其中的磁層是把金屬磁薄膜以真空蒸發(即斜入射蒸發)沉積于非磁性基上形成的。

近來，隨著信息記錄系統從模擬記錄系統向數字記錄系統過渡，對磁記錄介質的更高密度記錄作為信息記錄手段的需求增加了。

為了通過使磁道更窄和使線記錄密度更高來實現更高的表面記錄密度，至關重要的是要在波長較短的區域得到磁記錄介質的更高輸出和更低噪聲。

實現磁記錄介質的更高輸出的一種嘗試是依賴于構成磁層的鐵磁材料中固有的磁能，并已達到了技術極限，這使其進一步改進是困難的。

當利用金屬薄膜作為磁記錄介質的磁層時，產生噪聲的機制存在于微觀區域(電子顯微鏡區域)中，例如磁薄膜的晶體結構、磁相互作用或其他類似機制，實現更低的磁記錄介質噪聲處于期望未來技術發展的領域。

特別是，實現更低噪聲是實現更高記錄密度的最重要技術問題。

在數字記錄中，由于噪聲以C/N比率的形式對誤差率有很大影響，實現更低噪聲以及減少數據的信息丟失是保證數據可靠性的重要技術要素。

如圖1所示，當用真空蒸發使由金屬磁薄膜構成的磁層24形成于非磁性基23上時，由于真空設備的結構，使得蒸發材料或其反應物形成的柱21(所謂柱狀晶體)沿對角線方向增長。

柱21有致密部分21a和稀疏部分21b。隨著柱21更加長大，致密部分21a變得更大，而柱21的顆粒尺寸d也變得更大。

通常都知道，柱21及柱21中晶體顆粒22的尺寸影響噪聲的產生。在有通過蒸發由金屬磁薄膜形成磁層的磁記錄介質中，為實現更低的噪聲，重量的是抑制柱21及晶體顆粒22的增長。

柱21或柱21中晶體顆粒22的大小對產生噪聲的影響主要取決于所用記錄信號的波長。

現在所用磁記錄格式的最短記錄波長是0.3μm至1.0μm的范圍，在這一范圍中柱21的顆粒尺寸d對產生噪聲有更大的影響。

由于柱21的顆粒大小的分布也對噪聲有影響，重要的是使圖2所示曲線變得尖銳，該曲線盡可能地指示出柱顆粒直徑的分布。

特別是如圖2所示，必須使柱顆粒尺寸d的分散程度變小。

考慮到這些方面，本發明的一個目的是在有通過真空蒸發在非磁性基上形成的磁薄膜的磁記錄介質中減小噪聲，從而保證數字記錄有滿意的誤差率。

根據本發明的一個方面，磁記錄介質包括非磁性基膜和通過斜入射蒸發在非磁性基膜上形成的磁層。在非磁性基膜上生長的柱的平均顆粒尺寸d放置于10nm≤a≤50nm的范圍。值σ/a被設置于σ/a≤0.4的范圍，這里σ是柱的顆粒尺寸分布的離散度值。

圖1是顯示柱(即柱狀晶體)結構的原理圖；

圖2是用于解釋柱的顆粒尺寸離散度的圖；

圖3是根據本發明的磁記錄介質結構的示意圖；

圖4是用于以蒸發構成磁層的蒸發裝置的結構示意圖；

圖5是磁記錄介質上側看到的磁記錄介質的柱的狀態圖；

圖6是顯示柱的測量區面積與柱的平均顆粒尺寸之間關系的圖；

圖7是用于解釋噪聲電平定義的圖；

圖8是顯示柱的平均顆粒尺寸與噪聲電平之間關系的圖；

圖9是顯示噪聲電平與隨機誤差率之間關系的圖；

圖10是顯示柱的值σ/a與噪聲電平之間關系的圖。

下面將結合附圖描述根據本發明的一個實施例的磁記錄介質。

如圖3所示，磁記錄介質1有一磁層4，磁層4是穿過底層3在非磁性基膜2上蒸發形成的。

在本實施例中，磁記錄介質1還有底層3介于非磁性基膜2和磁層4之間，有保護膜5形成于磁層4的表面上，還有背敷層6位于非磁性基膜2的后側。

磁層4是由斜入射蒸發使金屬磁性材料沉積而形成的。如前所述，磁層4有柱21和在柱21中的晶體顆粒22(見圖1)。

由聚酯材料(如聚酯組、聚烯烴組、纖維素衍生物、乙烯系樹脂、聚酰亞銨組、聚酰銨組、聚碳酸酯等)形成的聚酯基膜用作為非磁性基膜2。

構成磁層4的金屬磁薄膜可通過直空蒸發來形成。

作為金屬磁薄膜的材料，可以利用由諸如Fe、Co、Ni等金屬、Co-Ni系合金、Co-Ni-Pt系合金、Fe-Co-Ni系合金、Fe-Ni-B系合金、Fe-Co-B系合金以及Fe-Co-Ni-B系合金構成的面內磁化記錄金屬磁薄膜以及諸如Co-Cr系合金薄膜、Co-O系薄膜等垂直磁化記錄金屬磁薄膜。

底層3用于降低非磁性基膜2表面的粗糙度，從而調節磁層4的生長狀態及其表面粗糙度，因此能用碳、鈦、鉻等構成。