[發明專利]大功率軟恢復隧道二極管管芯結構

無效

• 申請號: 97112473.6
• 申請日: 1997-06-13
• 公開（公告）號: CN1044651C
• 公開（公告）日: 1999-08-11
• 發明（設計）人: 張清純;張斌;陳永麒;王均平
• 申請（專利權）人: 清華大學
• 主分類號: H01L29/88
• 分類號: H01L29/88
• 代理公司: 清華大學專利事務所
• 代理人: 廖元秋

1．一種大功率軟恢復隧道二極管管芯結構，包括在半導體芯片中擴散不同類型的雜質形成陽極區、基區、陰極區，以及在該芯片兩表面淀積有金屬薄層形成兩電極，所說的陽極區由低濃度P型雜質P區和均勻分布在P區中的呈圓形的高濃度P型雜質P⁺區，所說的基區為低濃度N型雜質的N區，所說的陰極區包括高濃度N型雜質N⁺區，其特征在于，所說的陰極還包括鑲嵌于N基區與N⁺區的N區內的多個凸包形高濃度P型雜質懸浮電位的P⁺區構成。

2．如權利要求1所說的一種大功率軟恢復隧道二極管管芯結構，其特征在于，所說的陰極區凸包形P⁺區面積占陰極總面積的25～35％。

3．如權利要求1所說的一種大功率軟恢復隧道二極管管芯結構，其特征在于，陽極區中相鄰的P⁺區構成正三角形，P⁺區結深為P區結深的二分之一，P⁺區面積占陽極總面積的35～45％。