[發(fā)明專利]一種發(fā)酵裝置和發(fā)酵方法無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 97110766.1 | 申請(qǐng)日: | 1997-04-18 |
| 公開(公告)號(hào): | CN1211617A | 公開(公告)日: | 1999-03-24 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 漢斯·朱姆斯坦 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 漢斯·朱姆斯坦 |
| 主分類號(hào): | C12M1/107 | 分類號(hào): | C12M1/107;C12P5/02 |
| 代理公司: | 中國(guó)專利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 王兆先,林長(zhǎng)安 |
| 地址: | 瑞士*** | 國(guó)省代碼: | 暫無(wú)信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 發(fā)酵 裝置 方法 | ||
1.一種用于對(duì)某些物質(zhì)(J,A)進(jìn)行發(fā)酵的裝置,其特征在于該裝置包括至少兩個(gè)發(fā)酵單元(F1,……F4,FA)用以接納某些物質(zhì)(J,A),還在于發(fā)酵單元(F1,……F4,FA)由一種氣密材料組成并通過(guò)連接區(qū)域相互連接用以交換和/或傳送這些物質(zhì)(J,A)。
2.如權(quán)利要求1的裝置,其特征在于發(fā)酵單元(F1,……F4,FA)是設(shè)置在平面(ST1,……ST4)上或是在一個(gè)傾斜的平面上,在這里任何一個(gè)位于較高的一個(gè)平面上的發(fā)酵單元(F1,……F4,FA)都是連接到下一個(gè)較低的單元(F1,……F4,FA)上和/或發(fā)酵單元(F1,……F4,FA)的至少兩個(gè)出口是連接到一個(gè)下一個(gè)發(fā)酵單元(F1,……F4,FA)的至少一個(gè)進(jìn)口上。
3.如權(quán)利要求1或2的裝置,其特征在于在至少一個(gè)發(fā)酵單元(F1,……F4,FA)中設(shè)置有容納在其中一個(gè)發(fā)酵單元(F1,……F4,FA)中的攪拌基質(zhì)(J,A)的裝置。
4.如權(quán)利要求1至3中之一項(xiàng)的裝置,其特征在于在至少一個(gè)發(fā)酵單元(F1,……F4,FA)中設(shè)置有對(duì)基質(zhì)加熱的裝置。
5.如權(quán)利要求1至4中之一項(xiàng)的裝置,其特征在于發(fā)酵單元(F1,……F4,FA)是菱形的,還在于連接區(qū)域位于發(fā)酵單元(F1,……F4,FA)的相對(duì)置的隅角處。
6.如權(quán)利要求2至5中之一項(xiàng)的裝置,其特征在于用于將發(fā)酵單元(F1,……F4,FA)固定在平面(ST1,……ST4)上的安裝元件(B)設(shè)置在發(fā)酵單元上。
7.如前述權(quán)利要求中之一項(xiàng)中的裝置,其特征在于其中設(shè)置有一個(gè)用于搜集在發(fā)酵單元(F1,……F4,FA)中產(chǎn)生的氣體(G)的軟管管系(SS)。
8.如前述權(quán)利要求之一項(xiàng)中的裝置,其特征在于發(fā)酵單元(F1,……F4,FA)由聚氯乙烯(PVC)制成。
9.一種在至少兩個(gè)處理站(F1,……F4,FA)對(duì)物質(zhì)(J,A)進(jìn)行厭氣性發(fā)酵的方法,該方法包括:
物質(zhì)(J,A)在一個(gè)處理站(F1,……F4,FA)內(nèi)停留一個(gè)預(yù)定的時(shí)間間隔,
在這預(yù)定的時(shí)間間隔到達(dá)后,容納在相應(yīng)的處理站(F1,……F4,FA)內(nèi)的至少一部分基質(zhì)(J,A)被饋入至下一個(gè)處理站(F1,……F4,FA),或者如果所需要流經(jīng)的處理站都經(jīng)流過(guò),則已發(fā)酵的基質(zhì)(J,A)可用于別處或貯存起來(lái),和
在處理站(F1,……F4,FA)中產(chǎn)生出的氣體(G)被搜集起來(lái)。
10.如權(quán)利要求9的方法,其特征在于:
基質(zhì)(J,A)在處理站(F1,……F4,FA)內(nèi)被混合。
11.如權(quán)利要求9或10的方法,其特征在于
處理站(F1,……F4,FA)內(nèi)的溫度在30°至65℃的范圍之內(nèi)。
12.如權(quán)利要求9至11中之一項(xiàng)的方法,其特征在于:
基質(zhì)(J,A)在重力作用下從一個(gè)處理站(F1,……F4,FA)被運(yùn)送至下一個(gè)處理站。
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