[發明專利]微波等離子體處理裝置及其處理方法

無效

• 申請號: 97110001.2
• 申請日: 1997-02-28
• 公開（公告）號: CN1082569C
• 公開（公告）日: 2002-04-10
• 發明（設計）人: 鈴木伸昌
• 申請（專利權）人: 佳能株式會社
• 主分類號: C23C16/48
• 分類號: C23C16/48
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所
• 代理人: 王以平

1.微波等離子體處理裝置包括：

內部與外界空氣隔開的等離子體發生室，包括第一介質元件；

包括設置在所述第一介質元件外和設置多個槽的無端環形波導管的微波引入裝置；

用于支承待處理基片的裝置；

用于所述等離子體發生室的引入氣體裝置；和

用于所述等離子體發生室的抽真空裝置，微波通過所述第一介質元件從所述多個槽引入所述等離子體發生室以產生等離子體；

其特征在于所述環形波導管的內部填充有第二介質元件，其包含與所述第一介質元件的材料相同或不同的材料。

2.根據權利要求1的微波處理裝置，其特征在于所說第一和第二介質元件的材料的介質常數比率大約等于所述第一和第二介質元件圓周長度比率平方的倒數。

3.根據權利要求1的微波處理裝置，其特征在于進一步包括磁場發生裝置。

4.根據權利要求3的微波處理裝置，其特征在于槽附近的磁場的磁通量密度大約等于3.57×10^-11(T/Hz)與微波頻率的積。

5.根據權利要求1的微波處理裝置，其特征在于所述基片支承裝置設置在遠離所述等離子體發生區域的位置。

6.根據權利要求1的微波處理裝置，其特征在于進一步包括用光能量照射待處理基片的裝置。

7.根據權利要求1的微波處理裝置，其特征在于進一步包括與所述支承裝置連接的高頻供給裝置。

8.通過在微波等離子體處理裝置中放置基片的微波等離子體處理方法，該微波等離子體處理裝置包括：內部與外界空氣隔開的等離子體發生室，包括第一介質元件；包括設置在所述第一介質元件外和設置多個槽的無端環形波導管的微波引入裝置；用于支承待處理基片的裝置；用于所述等離子體發生室的引入氣體裝置；和用于所述等離子體發生室的抽真空裝置，微波通過所述第一介質元件從所述多個槽引入所述等離子體發生室以產生等離子體；其特征在于所述環形波導管的內部填充有第二介質元件，其包含與所述第一介質元件的材料相同或不同的材料；從而實現等離子體處理。

9.根據權利要求8的微波處理方法，其特征在于所述第一和第二介質元件的材料的介質常數的比率大約等于所述第一和第二介質元件圓周長度的比率平方的倒數。

10.根據權利要求8的微波處理方法，其特征在于所述等離子體處理在使用磁場的條件下實現。

11.根據權利要求10的微波處理方法，其特征在于槽附近的磁場的磁通量密度大約等于3.57×10^-11(T/Hz)與微波頻率的積。

12.根據權利要求8的微波處理方法，包括在遠離所述等離子體發生區域的所述基片支承裝置上放置所述基片的步驟。

13.根據權利要求8的微波處理方法，其特征在于等離子體處理在用光能量照射待處理基片的條件下實現。

14.根據權利要求8的微波處理方法，其特征在于等離子體處理在對所述支承裝置供給高頻的條件下實現。

15.根據權利要求8的微波處理方法，其特征在于所述等離子體處理為膜形成。

16.根據權利要求8的微波處理方法，其特征在于所述等離子體處理為腐蝕。

17.根據權利要求8的微波處理方法，其特征在于所述等離子體處理為拋光。