[發(fā)明專利]化學(xué)腐蝕槽無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 97104711.1 | 申請(qǐng)日: | 1997-02-24 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN1167337A | 公開(kāi)(公告)日: | 1997-12-10 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 姜正鎬;李光烈;孟東祚;黃宗燮 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 三星電子株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào): | H01L21/3063 | 分類號(hào): | H01L21/3063 |
| 代理公司: | 柳沈知識(shí)產(chǎn)權(quán)律師事務(wù)所 | 代理人: | 楊梧 |
| 地址: | 韓國(guó)*** | 國(guó)省代碼: | 暫無(wú)信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 化學(xué) 腐蝕 | ||
1.一種化學(xué)腐蝕槽,具有內(nèi)腐蝕槽,通過(guò)供給管向其供給化學(xué)物質(zhì),并具有外腐蝕槽,通過(guò)排放管排放從內(nèi)腐蝕槽引入的化學(xué)物質(zhì),
所述內(nèi)腐蝕槽包括與其各側(cè)壁上端相距一定距離的多個(gè)孔,以致內(nèi)腐蝕槽中的化學(xué)物質(zhì)流過(guò)內(nèi)腐蝕槽各側(cè)壁上端時(shí),同時(shí)流過(guò)各孔。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的化學(xué)腐蝕槽,其中在內(nèi)腐蝕槽的各相對(duì)兩側(cè)壁按相同方式形成各孔。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的化學(xué)腐蝕槽,其中在內(nèi)腐蝕槽上端與應(yīng)浸入內(nèi)腐蝕槽中的化學(xué)物質(zhì)的晶片的上部之間的各個(gè)點(diǎn)形成各孔。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的化學(xué)腐蝕槽,其中在距內(nèi)腐蝕槽上端2cm之內(nèi)的各個(gè)點(diǎn)形成各孔。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的化學(xué)腐蝕槽,其中在距內(nèi)腐蝕槽上端1cm的各個(gè)點(diǎn)形成各孔。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的化學(xué)腐蝕槽,其中各孔直徑為3-5mm。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的化學(xué)腐蝕槽,其中各孔直徑為4mm。
8.根據(jù)權(quán)利要求3所述的化學(xué)腐蝕槽,其中各孔為圓形。
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- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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