[發明專利]晶片的拋光方法及裝置

無效

• 申請號: 97103428.1
• 申請日: 1997-02-28
• 公開（公告）號: CN1080166C
• 公開（公告）日: 2002-03-06
• 發明（設計）人: 下川公明
• 申請（專利權）人: 沖電氣工業株式會社
• 主分類號: B24B39/06
• 分類號: B24B39/06
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司
• 代理人: 張志醒,葉愷東

1.一種拋光晶片的方法，包括以下步驟：

將晶片壓靠在一個拋光輪的拋光部分上，并使晶片與拋光輪之間產生相對運動以便拋光晶片的表面；

控制一個修整工具使之具有預定的溫度；和

用該修整工具對拋光部分進地修整。

2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述預定溫度是在所述晶片表面拋光步驟中所述拋光部分的穩定溫度。

3.如權利要求2所述的方法，其特征在于，所述穩定溫度為28℃左右。

4.一種晶片拋光裝置，用于將晶片壓靠在一個拋光輪的拋光部分上，并使晶片與拋光輪之間產生相對運動以便拋光晶片的表面，該拋光裝置包括：

一個修整工具，用以修整所述拋光部分；和

一個控制機構，用以控制所述修整工具，使之處于預定的溫度。

5.如權利要求4所述的晶片拋光裝置，其特征在于，所述控制機構是設在所述修整工具內的一個加熱器。

6.如權利要求4所述的晶片拋光裝置，其特征在于，所述預定溫度是在所述晶片表面拋光時的拋光部分的穩定溫度。

7.如權利要求6所述的晶片拋光裝置，其特征在于，所述穩定溫度為28℃左右。

8.如權利要求4所述的晶片拋光裝置，其特征在于，所述控制機構包括一個水盆，其中盛有預定溫度的液體，所述修整工具浸在該液體中。

9.如權利要求8所述的晶片拋光裝置，其特征在于，所述預定溫度是在所述晶片表面拋光時的拋光部分的穩定溫度。

10.如權利要求9所述的晶片拋光裝置，其特征在于，所述穩定溫度為28℃左右。

11.如權利要求8所述的晶片拋光裝置，其特征在于，還包括一個控制裝置，用于控制流入所述水盆中的液體的溫度。

12.如權利要求8所述的晶片拋光裝置，其特征在于，還包括一個設在所述水盆中的加熱器。

13.如權利要求4所述的晶片拋光裝置，其特征在于，所述控制機構包括一個控制裝置，用于控制一種液體的溫度，而所述修整工具里面有一通道，其中流有所述液體。

14.如權利要求13所述的晶片拋光裝置，其特征在于，所述預定溫度是在所述晶片表面拋光時的拋光部分的穩定溫度。

15.如權利要求14所述的晶片拋光裝置，其特征在于，所述穩定溫度為28℃左右。