[實用新型]新型絕緣柵場效應晶體管無效
| 申請號： | 96227956.0 | 申請日： | 1996-05-29 |
| 公開（公告）號： | CN2264416Y | 公開（公告）日： | 1997-10-08 |
| 發明（設計）人： | 王弘;王民;王卓;尚淑霞 | 申請（專利權）人： | 山東大學 |
| 主分類號： | H01L29/78 | 分類號： | H01L29/78 |
| 代理公司： | 山東大學專利事務所 | 代理人： | 王緒銀 |
| 地址： | 250100 *** | 國省代碼： | 山東;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 新型 絕緣 場效應 晶體管 | ||
【權利要求書】：
1.一種新型絕緣柵場效應晶體管，由硅基片、源區、漏區、絕緣柵、源電極、漏電極和柵電極構成，其特征在于，絕緣柵由下列材料之一作成：(1).鈦酸鉍；(2).鈦酸鉍/二氧化硅復合層；(3).鈦酸鉍/氧化鎂復合層。
2.根據權利要求1所述的新型絕緣柵場效應晶體管，其特征在于，所述的鈦酸鉍絕緣柵的厚度為500-8000埃。
3.根據權利要求1所述的新型絕緣柵場效應晶體管，其特征在于，所述的復合絕緣柵中，鈦酸鉍層厚度為450-7500埃，二氧化硅或氧化鎂層厚度為50-500埃。
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