[實用新型]光刻雙面薄膜的裝置無效
| 申請號： | 96207860.3 | 申請日： | 1996-04-16 |
| 公開（公告）號： | CN2275283Y | 公開（公告）日： | 1998-02-25 |
| 發明（設計）人： | 何萌;呂惠賓;周岳亮;陳正豪;崔大復 | 申請（專利權）人： | 中國科學院物理研究所 |
| 主分類號： | H01L21/00 | 分類號： | H01L21/00;G03F7/00 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 100080 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 光刻 雙面 薄膜 裝置 | ||
【權利要求書】：
1.一種由勻膠機片托1、樣品光刻架2組成的光刻雙面薄膜的裝置，其特征在于：把樣品光刻架2內圓做出一個臺階3，在樣品光刻架2兩端各開一個固定槽5，用螺釘及樣品固定片4把帶臺階的樣品光刻架2與勻膠機片托1固定。
2.按權利要求1所述的光刻雙面薄膜的裝置，其特征在于：所用材料是不銹鋼、黃銅、有機玻璃、合金鋁。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
