[發明專利]制造只讀存儲器單元陣列的方法

無效

• 申請號: 96195220.2
• 申請日: 1996-06-25
• 公開（公告）號: CN1189919A
• 公開（公告）日: 1998-08-05
• 發明（設計）人: F·霍夫曼;W·羅斯納;W·克勞茨內德爾;L·里斯赫
• 申請（專利權）人: 西門子公司
• 主分類號: H01L21/8247
• 分類號: H01L21/8247;H01L27/115
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司
• 代理人: 鄒光新,傅康

1.一種制造只讀存儲器單元陣列的方法，

-其中存儲器單元的單元陣列形成在半導體襯底(1)的主表面(2)上，每個存儲器單元包括MOS晶體管，該MOS晶體管垂直于主表面(2)，并包括第一介質層(10)、浮柵(11)、第二介質層(12)和控制柵(13a)，

-其中半導體襯底(1)至少在單元陣列的區域摻雜成第一導電類型，

-其中，為了形成單元陣列，在半導體襯底(1)的主表面(2)上形成摻雜成第二導電類型并在整個單元陣列上延伸的區域(4)，

-其中形成溝槽掩膜(6)，

-其中使用溝槽掩膜(6)作腐蝕掩膜，通過各向異性干法腐蝕工藝在主表面(2)內腐蝕出多個基本平行的條形溝道(7)，通過構形摻雜成第二導電類型的區域(4)形成條形區域(14b)，該條形區域排列在相鄰的溝槽(7)之間的主表面(2)上并摻雜成第二導電類型，

-其中使用溝槽掩膜(6)作注入掩膜，通過離子注入形成條形區域(14a)，該條形區域排列在溝槽(7)的底部并摻雜成第二導電類型，

-其中在每種情況中，垂直的MOS晶體管的第一介質層(10)、浮柵(11)、第二介質層(12)和控制柵(13a)形成在溝槽(7)的相對側面上，

-其中沿側面的相鄰MOS晶體管的浮柵(11)和控制柵(13a)相互絕緣，

-其中形成字線(13a)，該字線橫向地延伸到溝槽(7)，并在每種情況中連接到各字線(13a)下排列的垂直的MOS晶體管的控制柵(13a)。

2.根據權利要求1的方法，

-其中，在形成排列在溝槽(7)底部的條形區域(14a)的離子注入之前，用離子注入之后將除去的掩蔽間隔層(8)覆蓋溝槽(7)的側壁。

3.根據權利要求1或2的方法，

-其中，形成條形區域(14a，14b)之后，制造至少覆蓋溝槽(7)側面的第一介質層(10)，

-其中在第一介質層(10)上形成第一摻雜的多晶硅層，

-其中由第一摻雜的多晶硅層各向異性腐蝕形成摻雜的多晶硅間隔層(11)，

-其中在每種情況中，垂直的MOS晶體管的第一介質層(10)、浮柵(11)、第二介質層(12)和控制柵(13a)形成在溝槽(7)的相對側面上，

-其中沿側面的相鄰MOS晶體管的浮柵(11)和控制柵(13a)相互絕緣，

-其中形成字線(13a)，該字線橫向地延伸到溝槽(7)，并在每種情況中連接到各字線(13a)下排列的垂直的MOS晶體管的控制柵(13a)。

2.根據權利要求1的方法，

-其中，在形成排列在溝槽(7)底部的條形區域(14a)的離子注入之前，用離子注入之后將除去的掩蔽間隔層(8)覆蓋溝槽(7)的側壁。

3.根據權利要求1或2的方法，

-其中，形成條形區域(14a，14b)之后，制造至少覆蓋溝槽(7)側面的第一介質層(10)，

-其中在第一介質層(10)上形成第一摻雜的多晶硅層，

-其中由第一摻雜的多晶硅層各向異性腐蝕形成摻雜的多晶硅間隔層(11)，

-其中形成第二介質層(12)，

-其中形成第二摻雜的多晶硅層(13)，

-其中借助字線掩膜，通過構形第二摻雜的多晶硅層(13)形成字線(13a)和控制柵(13a)，

-其中在每種情況中，通過構形第二介質層(12)和摻雜的多晶硅間隔層(11)形成MOS晶體管的第二介質和浮柵。

4.根據權利要求3的方法，

-其中形成摻雜的多晶硅間隔層(11)后除去溝槽掩膜(6)。