[發(fā)明專利]含有多孔硅的電致發(fā)光器件

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 96193839.0
• 申請日: 1996-03-15
• 公開（公告）號: CN1185234A
• 公開（公告）日: 1998-06-17
• 發(fā)明（設計）人: L·T·康哈姆;T·I·考克斯;A·朗埃;A·J·西蒙斯;R·S·布萊克
• 申請（專利權）人: 英國國防部
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司
• 代理人: 鄒光新,陳景峻

1.一種電致發(fā)光器件(10)，可加偏壓而產(chǎn)生電致發(fā)光，并包括多孔硅區(qū)(22)和到多孔硅區(qū)的電學連接(24，26，28，20)，其特征在于當器件加偏壓至有電流密度小于1.0Am^-2的電流流過器件(10)時，電致發(fā)光可以探測到。

2.根據(jù)權利要求1的電致發(fā)光器件，其特征在于當器件加偏壓至有電流密度小于0.1Am^-2的電流流過器件時，電致發(fā)光可以探測到。

3.根據(jù)權利要求2的電致發(fā)光器件，其特征在于電致發(fā)光對人的肉眼是可見的。

4.根據(jù)權利要求2的電致發(fā)光器件，其特征在于當器件加偏壓至有電流密度小于0.01Am^-2的電流流過器件時，電致發(fā)光可以探測到。

5.根據(jù)權利要求4的電致發(fā)光器件，其特征在于當器件加偏壓至有電流密度小于0.0001Am^-2的電流流過器件時，電致發(fā)光可以探測到。

6.根據(jù)權利要求1至5任何一項的電致發(fā)光器件，其特征在于器件可加偏壓以大于0.1％的外部量子效率產(chǎn)生電致發(fā)光。

7.根據(jù)權利要求1的電致發(fā)光器件，其特征在于器件可加偏壓以至少0.4％的外部量子效率產(chǎn)生電致發(fā)光。

8.一種固態(tài)電致發(fā)光器件(10)，包括多孔硅區(qū)(22)和到多孔硅區(qū)的電學連接(24，26，28，20)，其特征在于器件可加偏壓以大于0.01％的外部量子效率產(chǎn)生電致發(fā)光。

9.根據(jù)權利要求8的電致發(fā)光器件，其特征在于器件可加偏壓以大于0.1％的外部量子效率產(chǎn)生電致發(fā)光。

10.根據(jù)權利要求8的電致發(fā)光器件，其特征在于器件可加偏壓以在0.01％到0.18％之間的外部量子效率產(chǎn)生電致發(fā)光。

11.根據(jù)權利要求8的電致發(fā)光器件，其特征在于器件可加偏壓以至少0.4％的外部量子效率產(chǎn)生電致發(fā)光。

12.根據(jù)權利要求8的電致發(fā)光器件，包括發(fā)光多孔硅區(qū)和到多孔硅區(qū)的電學連接，其特征在于多孔硅區(qū)含有p型多孔硅區(qū)(930，950)和n型多孔硅區(qū)(960)，在它們之間有一個p-n結(970)。

13.根據(jù)權利要求12的電致發(fā)光器件，其特征在于p型和n型多孔硅區(qū)(930，950，960)至少有一個是表面摻雜的。

14.根據(jù)權利要求13的電致發(fā)光器件，其特征在于p型多孔硅區(qū)(930，950)是表面摻雜的。

15.根據(jù)權利要求14的電致發(fā)光器件，其特征在于表面摻雜物是硼。

16.根據(jù)權利要求12至15任意一項的電致發(fā)光器件，其特征在于器件可加偏壓以大于0.1％的外部量子效率產(chǎn)生電致發(fā)光。

17.根據(jù)權利要求12的電致發(fā)光器件，其特征在于器件可加偏壓以至少0.4％的外部量子效率產(chǎn)生電致發(fā)光。

18.根據(jù)權利要求1至8的電致發(fā)光器件，其特征在于器件含有能夠向多孔硅的發(fā)光區(qū)有效注入空穴的注入層。

19.根據(jù)權利要求18的電致發(fā)光器件，其特征在于注入層是多孔硅的表面區(qū)。

20.根據(jù)權利要求19的電致發(fā)光器件，其特征在于注入層在小于5伏的偏壓下具有大于10^-3的少數(shù)載流子注入比。

21.根據(jù)權利要求19的電致發(fā)光器件，其特征在于注入層在小于5伏的偏壓下具有大于10^-2的少數(shù)載流子注入比。

22.根據(jù)權利要求18至21任意一項的電致發(fā)光器件，其特征在于器件可加偏壓以大于0.1％的外部量子效率產(chǎn)生電致發(fā)光。

23.根據(jù)權利要求18的電致發(fā)光器件，其特征在于器件可加偏壓以至少0.4％的外部量子效率產(chǎn)生電致發(fā)光。

24.根據(jù)權利要求1至8的電致發(fā)光器件，其特征在于多孔硅區(qū)(22)是微孔隙(microporous)的。

25.根據(jù)權利要求24的電致發(fā)光器件，其特征在于器件可加偏壓以大于0.1％的外部量子效率產(chǎn)生電致發(fā)光。