[發明專利]半導體晶圓片用的豎直支架

無效

• 申請號: 96193695.9
• 申請日: 1996-05-03
• 公開（公告）號: CN1079577C
• 公開（公告）日: 2002-02-20
• 發明（設計）人: 約翰·A·托馬諾維什
• 申請（專利權）人: 圣戈本陶瓷及塑料股份有限公司
• 主分類號: H01L21/00
• 分類號: H01L21/00
• 代理公司: 上海專利商標事務所
• 代理人: 孫敬國

1.一種支撐多個彼此隔開的、基本上水平且平行的半導體晶園片用的豎直支架，其特征在于，所述豎直支架包括：

a)豎直支撐裝置，它包括：

????i)至少一根豎直柱桿，每根柱桿具有上端和下端，

????ii)頂盤，和

????iii)底盤，

????將至少一根所述柱桿的所述上端固定在頂盤上，而將至少一根所述柱桿的所述下端固定在所述底盤上，以及

b)多個豎直隔開的晶園片支撐裝置，它們從所述豎直支撐裝置延伸出來以限定多個支撐所述晶園片用的支撐層，

其中，所述晶園片支撐裝置是諸突出部分，每個所述突出部分由端接在晶園片平臺中的臂構成，俾使每個所述支撐層中的至少一個所述晶園片平臺和其所支撐晶園片之間最深的接觸處在晶園片半徑的20％和80％(從所述晶園片的邊緣算起)之間的區域，和

其中所述諸臂則連續向上地傾斜突出，并端接在晶園片平臺中。

2.如權利要求1所述的支架，其特征在于，每個所述支撐層中的至少三個所述晶園片平臺的每個平臺和其所支撐晶園片之間所述最深的接觸是處在所述晶園片半徑的20％和80％(從所述晶園片的所述邊緣算起)之間的區域。

3.如權利要求1所述的支架，其特征在于，每個所述支撐層中的至少一個所述晶園片平臺和其所支撐的晶園片之間所述最深的接觸是處在所述晶園片半徑的33％和66％(從所述晶園片的所述邊緣算起)之間的區域。

4.如權利要求1所述的支架，其特征在于，每個所述支撐層中的至少三個所述晶園片平臺的每個平臺和其所支撐的晶園片之間所述最深的接觸是處在所述晶園片半徑的33％和66％(從所述晶園片的所述邊緣算起)之間的區域。

5.如權利要求1所述的支架，其特征在于，所述晶園片平臺是水平的。

6.如權利要求1所述的支架，其特征在于，所述柱桿具有使其陰影投射在不大于30％的所述晶園片上的結構，其中所述的陰影百分比通過確定反應氣體和/或熱量在不被所述柱桿阻礙的通道中從所述柱桿周邊可直接徑向地行進到達所述晶園片表面的百分比加以計算。

7.如權利要求6所述的支架，其特征在于，所述諸柱桿投射陰影于不大于10％的所述晶園片上。

8.如權利要求1所述的支架，其特征在于，至少所述臂的一部分具有大約1μm的粗糙度(R_a)。

9.如權利要求1所述的支架，其特征在于，所述晶園片支撐裝置具有這樣的結構，其中，每個所述支撐層的所述諸晶園片平臺共面至大約0.05mm以內。

10.如權利要求1所述的支架，其特征在于，所述支撐層的所述諸晶園片平臺和其所支撐的晶園片之間總的接觸面積是處在所述晶園片表面積的大約0.02％和大約1％之間。

11.如權利要求1所述的支架，其特征在于，它由再結晶的碳化硅構成。

12.如權利要求1所述的支架，其特征在于，它具有CVD碳化硅的外部覆蓋層。

13.一種支撐多個彼此隔開的基本上水平且平行用的半導體晶園片的豎直支架，其特征在于，所述豎直支架包括：

a)豎直支撐裝置，它包括：

????i)至少一根豎直柱桿，每根柱桿具有上端和下端，

????ii)頂盤，和

????iii)底盤，

????將至少一根所述柱桿的所述上端固定在所述頂盤上，而將至少一根所述柱桿的所述下端固定在所述底盤上，以及

b)多個豎直隔開的晶園片支撐裝置，它們基本上水平地從所述豎直支撐裝置延伸出來以限定多個支撐所述晶園片用的支撐層，

其中，所述晶園片支撐裝置是諸突出部分，它們水平地突出以便從所述晶園片邊緣起與晶園片連續接觸，俾使每個支撐層中的至少一個所述臂和其所支撐的晶園片之間最深的接觸是處在所述晶園片半徑的20％和80％(從所述晶園片的邊緣算起)之間的區域。

14.如權利要求13所述的支架，其特征在于，每個所述支撐層中的至少三個所述臂的每個臂和其所支撐晶園片之間所述最深的接觸是處在所述晶園片半徑的20％和80％(從所述晶園片的所述邊緣算起)之間的區域。