[發明專利]一種制備具有低漏電流和低極化疲勞性能的電器件的方法無效
| 申請號： | 96192611.2 | 申請日： | 1996-03-14 |
| 公開（公告）號： | CN1103116C | 公開（公告）日： | 2003-03-12 |
| 發明（設計）人： | 吾妻正道;拉里·D·麥克米蘭;卡洛斯·A·帕斯·德·阿勞約;邁克爾·C·斯科特 | 申請（專利權）人： | 塞姆特里克斯公司;松下電器產業株式會社 |
| 主分類號： | H01L21/3205 | 分類號： | H01L21/3205 |
| 代理公司： | 永新專利商標代理有限公司 | 代理人： | 甘玲 |
| 地址： | 美國科*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 制備 具有 漏電 極化 疲勞 性能 器件 方法 | ||
【說明書】：
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
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H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
