[發明專利]用于光學投影系統中的薄膜致動反射鏡陣列

無效

• 申請號: 96180412.2
• 申請日: 1996-08-21
• 公開（公告）號: CN1226320A
• 公開（公告）日: 1999-08-18
• 發明（設計）人: 閔庸基;田容培
• 申請（專利權）人: 大宇電子株式會社
• 主分類號: G02B26/08
• 分類號: G02B26/08;//H04N9/31
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司
• 代理人: 韓宏

1．一種用于光學投影系統的M×N薄膜致動反射鏡的陣列，其中M和N為整數，該陣列包括：

包括一基底和形成在該基底頂上的一M×N轉換裝置的陣列的一有源矩陣；

一M×N致動機構的陣列，各致動機構設置有一近端和一遠端，并包括第一薄膜電極、一薄膜電致位移元件和第二薄膜電極，其中在各致動機構的近端的底部分被附連至該有源矩陣的頂部，且各致動機構及其對應的轉換裝置位于該基底頂上的不同區域；及

一M×N反射鏡的陣列，用于反射入射在其上的光束，各反射鏡位于各致動機構的上方。

2．根據權利要求1的陣列，其中該薄膜電致位移元件位于各致動機構中的第一和第二薄膜電極之間，這些電極之一被電連接至地，而其他電極被電連接至對應的轉換裝置。

3．根據權利要求1的陣列，其中各致動機構還包括一彈性元件。

4．根據權利要求3的陣列，其中該彈性元件位于第二薄膜電極的下方。

5．根據權利要求3的陣列，其中該彈性元件位于第一薄膜電極的上方。

6．根據權利要求1的陣列，其中各反射鏡具有被附連在一致動機構的遠端的頂部上的一凹入部分。

7．根據權利要求1的陣列，其中各轉換裝置是一金屬氧化物半導體(MOS)晶體管。

8．根據權利要求1的陣列，還包括一M×N薄膜介電元件的陣列，各薄膜介電元件覆蓋各反射鏡的整個頂表面。

9．根據權利要求1的陣列，其中各反射鏡包括一支持元件，在其頂上沉積有一反光材料的薄膜層。

10．根據權利要求1的陣列，其中各致動機構具有一雙壓電晶片的結構。

11．根據權利要求1的陣列，還包括形成在該有源矩陣頂上的一鈍化層。

12．根據權利要求11的陣列，還包括形成在該鈍化層頂上的一腐蝕劑阻擋層。

13．根據權利要求1的陣列，其中該薄膜電致位移元件由壓電材料制成。

14．根據權利要求1的陣列，其中該薄膜電致位移元件由電致伸縮材料制成。

15．根據權利要求1的陣列，其中各反射鏡位于一對應的致動機構及其轉換裝置的上方。

16．根據權利要求1的陣列，其中反射鏡位于一相鄰的致動機構及其轉換裝置的上方。

17．一種用于制造一用于光學投影系統的M×N薄膜致動反射鏡的陣列的方法，該方法包括有步驟：

提供包括一基底和形成在其頂上的一M×N轉換裝置的陣列的一有源矩陣；

將沉積在該有源矩陣的頂上的一薄膜待除層構型成一M×N空腔的陣列，各空腔暴露出該基底上的各轉換裝置；

在該薄膜待除層包括這些空腔的頂上連續地沉積第二薄膜層和一薄膜電致位移層；

將該薄膜電致位移層和第二薄膜層分別構型成一M×N薄膜電致位移元件的陣列和一M×N第二薄膜電極的陣列，其中各構型的薄膜電致位移元件和第二薄膜電極與各轉換裝置不重疊；

形成一M×N第一薄膜電極的陣列和一接觸元件的陣列，其中各第一薄膜電極位于該薄膜電致位移元件的頂上，而各接觸元件被這樣定位以使它將第二薄膜電極與對應的轉換裝置電連接；

去除該薄膜待除層，從而形成一M×N致動機構的陣列，各致動機構具有一近端和一遠端；且

在M×N致動機構的陣列的頂上形成一M×N反射鏡的陣列，從而形成該M×N薄膜致動反射鏡的陣列。

18．根據權利要求17的方法，還包括：在將該薄膜待除層構型成該M×N空腔的陣列之后，形成一彈性層。

19．根據權利要求17的方法，其中各反射鏡是通過以下步驟形成的：

以待除材料覆蓋該M×N致動機構的陣列，從而形成一被覆蓋的機構；

在該被覆蓋的機構上生成一M×N空槽的陣列，各空槽從該被覆蓋的機構的頂部延伸至各致動機構的遠端的頂部；

在該待除材料包括這些空槽的頂上沉積一反射鏡層；

將該反射鏡層構型成一M×N反射鏡的陣列；及

去除該待除材料。

20．根據權利要求17的方法，還包括：在有源矩陣的頂上形成一鈍化層。