[發明專利]壓電陶瓷及其制備方法無效
| 申請號： | 96121402.3 | 申請日： | 1996-11-08 |
| 公開（公告）號： | CN1064942C | 公開（公告）日： | 2001-04-25 |
| 發明（設計）人： | 林宏一;安藤陽;長井昭;鷹木洋;長谷喜代司 | 申請（專利權）人： | 株式會社村田制作所 |
| 主分類號： | C04B35/499 | 分類號： | C04B35/499;H01L41/187 |
| 代理公司： | 上海專利商標事務所 | 代理人： | 林蘊和 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 壓電 陶瓷 及其 制備 方法 | ||
【權利要求書】：
1．一種壓電陶瓷，它包含鉛、鋯和鈦的復合氧化物，并包含錳、硅和硼的氧化物，其中氧化錳在晶粒邊界層的濃度高于其在壓電陶瓷晶粒內部的濃度。
2．如權利要求1所述的壓電陶瓷，其特征在于它含有0．005-0．3重量％按MnO2計算的氧化錳，大于0而高至0．3重量％按SiO2計算的氧化硅，和大于0而高至0．2重量％按B2O3計算的氧化硼。
3．如權利要求2所述的壓電陶瓷，其特征在于它包含0．027-0．295重量％按MnO2計算的氧化錳，0．03-0．279重量％按SiO2計算的氧化硅，和0．038-0．192重量％按B2O3計算的氧化硼。
4．權利要求1-3中任何一項所述的壓電陶瓷在制備電子器件中的用途。
5．一種制備壓電陶瓷的方法，其特征在于它包括提供原料形成含有鉛、鋯和鈦的復合氧化物和硅和硼的氧化物的陶瓷；然后將形成錳的氧化物的原料涂敷在其上，再加熱以形成錳的氧化物。
6．如權利要求5所述的方法，其特征在于所述形成錳的氧化物的原料是碳酸錳。
7．一種制備壓電陶瓷的方法，其特征在于它包括提供原料形成含有鉛、鋯和鈦的復合氧化物的陶瓷；然后將形成錳、硅和硼的氧化物的原料涂敷在其上，再加熱以形成錳、硅和硼的氧化物。
8．如權利要求7所述的方法，其特征還在于所述形成錳的氧化物的原料是碳酸錳，而所述的形成硅和硼的氧化物的原料是一種硼硅酸鹽玻璃。
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