[發(fā)明專利]檢測相移掩模相偏差的方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 96119947.4
• 申請日: 1996-10-03
• 公開（公告）號: CN1090812C
• 公開（公告）日: 2002-09-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 安昌男;金興一
• 申請（專利權(quán)）人: 現(xiàn)代電子產(chǎn)業(yè)株式會社
• 主分類號: H01L21/027
• 分類號: H01L21/027;G03F1/08
• 代理公司: 中原信達(dá)知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司
• 代理人: 余朦

1.檢測相移掩模相偏差的方法，其特征在于包括以下步驟：

a)提供一個透明基片，其包括一個下表面；

b)蝕刻所述透明基片的所述下表面，從而以一定間隔形成多個相移圖形，每個圖形皆具有預(yù)定寬度，用來使透過透明基片預(yù)定區(qū)域的光發(fā)生相移；

c)形成一相移掩模，其中一具有預(yù)定寬度的光屏設(shè)置在所述透明基片的預(yù)定區(qū)域和相移圖形之間；

d)利用所述相移掩模在一晶片上形成一圖形；

e)將發(fā)生了相移的圖形的尺寸(A)與未發(fā)生相移的圖形的尺寸(B)進(jìn)行比較，得到一圖形尺寸的差；以及

f)利用上述圖形尺寸之差來檢測相偏差。

2.如權(quán)利要求1的方法，其特征為：所說的光屏由鉻制成。

3.如權(quán)利要求1的方法，其特征為：所說光屏有0.1μm或更大的線寬。

4.如權(quán)利要求1的方法，其中：

所述的圖形形成步驟(d)在正光刻膠上進(jìn)行；

所述的比較步驟(e)是將已發(fā)生相移的圖形的間隔尺寸與未發(fā)生相移的圖形的間隔尺寸進(jìn)行比較。

5.如權(quán)利要求1的方法，其中：

所述的圖形形成步驟(d)在負(fù)光刻膠上進(jìn)行；

所述比較步驟(e)是將已發(fā)生相移的圖形的線尺寸與未發(fā)生相移的圖形的線尺寸進(jìn)行比較。

6.如權(quán)利要求1的方法，其特征為：對角設(shè)置所說相移圖形以形成矩陣布圖。

7.如權(quán)利要求6的方法，其特征為：每個所說相移圖形皆為有預(yù)定寬度的矩形。

8.如權(quán)利要求1的方法，其中所述相移掩模包括多個重復(fù)的形狀，其中具有一定寬度的I-形相移圖形夾在兩個光屏之間，且每個圖形的側(cè)邊皆為透明基片區(qū)域。

9.如權(quán)利要求8的方法，其特征為：所說的光屏由鉻制成。

10.如權(quán)利要求8的方法，其特征為：所說光屏有0.1μm或更大的線寬。

11.如權(quán)利要求8的方法，其中：

所述的圖形形成步驟(d)在正光刻膠上進(jìn)行；

所述的比較步驟(e)是將已發(fā)生相移的圖形的間隔尺寸與未發(fā)生相移的圖形的間隔尺寸進(jìn)行比較。

12.如權(quán)利要求8的方法，其中：

所述的圖形形成步驟(d)在負(fù)光刻膠上進(jìn)行；

所述的比較步驟(e)是將已發(fā)生相移的圖形的線尺寸與未發(fā)生相移的圖形的線尺寸進(jìn)行比較。

13.如權(quán)利要求1的方法，其中：

a)所述相移掩模包括：

(1)多個矩形相移圖形；以及

(2)多個矩形透明基片區(qū)域；以及

b)所述相移圖形和透明基片區(qū)域按行和列以一定距離交替排列著且由光屏所包圍。

14.如權(quán)利要求13的方法，其特征為：所說的光屏由鉻制成。

15.如權(quán)利要求13的方法，其特征為：所說光屏有0.1μm或更大的線寬。

16.如權(quán)利要求13的方法，其中：

所述的圖形形成步驟(d)在正光刻膠上進(jìn)行；

所述的比較步驟(e)是將已發(fā)生相移的圖形的間隔尺寸與未發(fā)生相移的圖形的間隔尺寸進(jìn)行比較。

17.如權(quán)利要求13的方法，其中：

所述的圖形形成步驟(d)在負(fù)光刻膠上進(jìn)行；

所述比較步驟(e)是將已發(fā)生相移的圖形的線尺寸與未發(fā)生相移的圖形的線尺寸進(jìn)行比較。

18.如權(quán)利要求1的方法，其中所述圖形形成步驟形成接觸孔圖形。

19.如權(quán)利要求1的方法，其中所述圖形形成步驟形成線和間隔圖形。