[發(fā)明專利]復(fù)合式絕緣體上硅薄膜基片及其制作方法無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 96119843.5 | 申請(qǐng)日： | 1996-09-27 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN1078738C | 公開(kāi)（公告）日： | 2002-01-30 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 濱嶋智宏;新井謙一 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 日本電氣株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào)： | H01L21/02 | 分類號(hào)： | H01L21/02;H01L21/70;H01L21/762;G03F9/00 |
| 代理公司： | 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 | 代理人： | 林道濂,盧紀(jì) |
| 地址： | 日本國(guó)*** | 國(guó)省代碼： | 暫無(wú)信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 復(fù)合 絕緣體 薄膜 及其 制作方法 | ||
1.一種復(fù)合式的SOI基片，它包括：
具有一個(gè)主表面的第一硅基片，所述主表面有隱埋于所述主表面的絕緣體膜形成的多個(gè)圖型，所述的多個(gè)圖型包括在所述的第一硅基片的邊緣部分之上的校準(zhǔn)圖型；其特征在于還包含：
一個(gè)與所述的第一硅基片相聯(lián)接的一個(gè)第二硅基片，所述的第二硅基片與所述的第一硅基片的所述主表面相聯(lián)接，其中在所述的第一硅基片的所述邊緣部分之上的所述校準(zhǔn)圖型是顯露的。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的復(fù)合式SOI基片，其特征在于所述第二硅基片的寬度比所述第一硅基片的寬度窄。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的復(fù)合式SOI基片，其特征在于所述的第一硅基片和所述的第二硅基片基本上是圓形的，其中所述第二硅基片的半徑比所述第一硅基片的半徑要小。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的復(fù)合式SOI基片，其特征在于所述的第二硅基片有至少兩個(gè)位于邊緣部分的槽部分以使所述的校準(zhǔn)圖型顯露出來(lái)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的復(fù)合式SOI基片，其特征在于所述的第一硅基片的至少部分邊緣部分形成與隱埋在所述主表面內(nèi)的所述絕緣體膜的厚度一致從而將所述的校準(zhǔn)圖型顯露出來(lái)。
6.一種制造復(fù)合式SOI基片的方法，它包括：
形成隱埋在第一硅基片的主表面內(nèi)的絕緣體膜的多個(gè)圖型的制作步驟，所述的多個(gè)圖型包括形成于所述的第一硅基片的邊緣部分的校準(zhǔn)圖型；
其特征在于還包含：
在一個(gè)第二硅基片的邊緣部分之上形成至少兩個(gè)槽部分的步驟；及
將所述的第二硅基片與所述的第一硅基片所述主表面相聯(lián)接的步驟，同時(shí)將所述的槽部分調(diào)節(jié)在所述校準(zhǔn)圖型之上以使所述校準(zhǔn)圖型顯露出來(lái)。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制造復(fù)合式SOI基片的方法，其特征在于所述的聯(lián)接步驟包括在氧化氣氛中于1100℃到1200℃下處理所述第一和第二硅基片。
8.一種制造復(fù)合式SOI基片的方法，包括：
形成隱埋在第一硅基片的主表面內(nèi)的絕緣體膜的多個(gè)圖型的步驟，所述的多個(gè)圖型包括在所述的第一硅基片的邊緣部分之上形成的校準(zhǔn)圖型；
其特征在于還包含：
一個(gè)將第二硅基片與所述第一硅基片的所述主表面相聯(lián)接的步驟，所述的第二硅基片的橫向?qū)挾缺人龅牡谝还杌囊允顾鲂?zhǔn)圖型顯露出來(lái)。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的制造復(fù)合式SOI基片的方法，其特征在于所述的聯(lián)接步驟包括在氧化氣氛中于1100℃到1200℃下處理所述第一及第二硅基片。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的制造復(fù)合式SOI基片的方法，其特征在于所述的第一硅基片及所述第二硅基片基本上是圓形的且所述第二硅基片的半徑比所述第一硅基片的半徑小。
11.一種制造復(fù)合式SOI基片的方法，包括：
在第一硅基片的主表面上形成絕緣體膜的多個(gè)圖型的步驟，所述的多個(gè)圖型包括在所述第一硅基片的邊緣部分之上形成的校準(zhǔn)圖型；
其特征在于還包含：
一個(gè)將第二硅基片與所述第一硅基片的主表面相聯(lián)接的步驟；及
一個(gè)除去所述的第二硅基片的邊緣部分以使形成于所述第一硅基片之上的所述校準(zhǔn)圖型顯露出來(lái)的步驟。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的制造復(fù)合式SOI基片的方法，其特征在于所述的聯(lián)接步驟包括在氧化氣氛中于1100℃到1200℃下處理所述第一及第二硅基片。
13.一種制造復(fù)合式SOI基片的方法，包括：
形成隱埋在所述的第一硅基片的主表面內(nèi)的絕緣體膜的多個(gè)圖型的步驟，所述的多個(gè)圖型包括在所述的第一硅基片的邊緣部分之上形成的校準(zhǔn)圖型的步驟；
其特征在于還包含：
一個(gè)將第二硅基片與所述第一硅基片的所述主表面相聯(lián)接的步驟；及
一個(gè)從相對(duì)于所述第一硅基片的所述主表面的表面除去所述邊緣部分，以使所述的包含埋于所述主表面的邊緣部分中的所述絕緣體膜校準(zhǔn)圖型露出來(lái)。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的制造復(fù)合式SOI基片的方法，其特征在于所述的聯(lián)接步驟包括在氧化氣氛中1100℃到1200℃下處理第一及第二硅基片。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門(mén)適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門(mén)適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門(mén)適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門(mén)適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
