[發明專利]控制器大容量存儲器混裝型半導體集成電路器件及測試法無效
| 申請號: | 96119297.6 | 申請日: | 1996-11-29 |
| 公開(公告)號: | CN1163475A | 公開(公告)日: | 1997-10-29 |
| 發明(設計)人: | 桃原朋美 | 申請(專利權)人: | 東芝株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/66 | 分類號: | H01L21/66 |
| 代理公司: | 上海專利商標事務所 | 代理人: | 孫敬國 |
| 地址: | 日本國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 控制器 容量 存儲器 混裝型 半導體 集成電路 器件 測試 | ||
1.一種控制器大容量存儲器混裝型半導體集成電路器件,其特征在于,包括設置在半導體芯片上的主存儲單元;設置在所述芯片上的至少對從所述芯片外向所述主存儲單元的數據輸入和從所述主存儲單元向所述芯片外的數據輸出進行控制的控制器;具有設置在所述芯片上的能改寫數據的存儲單元,并按在該存儲單元中寫入的自測試序列對所述主存儲單元進行測試的自測試手段。
2.如權利要求1所述的控制器大容量存儲器混裝半導體集成電路器件,其特征還在于,自測試手段具有按在所述能改寫數據的存儲單元中寫入的自測試序列對所述主存儲單元進行自測試,并且使根據這種自測試求得的所述主存儲單元的故障地址存儲在與所述主存儲單元不同的其它存儲單元中的功能,還包括按在所述能改寫數據的存儲單元中寫入的自保護處理序列,對存儲在所述其它存儲單元的所述主存儲單元的故障地址所對應的不合格部分進行自保護處理的自保護手段。
3.一種控制器大容量存儲器混裝型半導體集成電路器件的測試方法,其特征在于,在至少包括設置在半導芯片上的主存儲單元;設置在所述芯片上的至少對從所述芯片外向所述主存儲單元的數據輸入和從所述主存儲單元向所述芯片外的數據輸出進行控制的控制器;設置在所述芯片內的能改寫數據的存儲單元;按設置在所述芯片上的所述能改寫數據的存儲單元中寫入的自測試序列對所述主存儲單元進行自測試,并且使根據這種自測試求得的所述主存儲單元的故障地址存儲在與所述主存儲單元不同的其它存儲單元中的自測試電路;按設置在所述芯片上的所述能改寫數據的存儲單元中寫入的自保護序列,對存儲在所述其它存儲單元的所述主存儲單元的故障地址所對應的不合格部分進行自保護處理的自保護電路的控制器大容量存儲器混裝型半導體集成電路器件的測試方法中,根據從外部測試器送來的信號,分別至少對所述控制器、所述其它存儲單元、所述能改寫數據的存儲單元、所述自測試電路和所述自保護電路進行測試,從所述外部測試器將自測試序列寫入所述能改寫數據的存儲單元中,按照在所述能改寫數據的存儲單元中寫入的自測試序列,利用從所述自測試電路送來的信號,至少對所述主存儲單元進行測試。
4.如權利要求3所述的控制器大容量存儲器混裝型半導體集成電路器件的測試方法,其特征還在于,從所述外部測試器將自保護序列寫入所述能改寫數據的存儲單元,按照所述能改寫數據的存儲單元中寫入的自保護序列,利用所述自保護電路,對存儲在所述其它存儲單元中的故障地址所對應的所述主存儲單元的不合格部分進行自保護處理。
5.如權利要求4所述的控制器大容量存儲器混裝型半導體集成電路器件的測試方法,其特征還在于,在所述主存儲單元的自測試中隨時將所述故障地址存儲在所述其它存儲單元中。
6.如權利要求4所述的控制器大容量存儲器混裝型半導體集成電路器件的測試方法,其特征還在于,還具有用于寫入故障地址的轉換信息且至少能用電氣方式寫入數據的存儲單元,以及至少包括冗余存儲單元、冗余用故障地址寄存器單元的冗余電路;在所述至少能用電氣方式寫入數據的存儲單元中用電氣方式寫入故障地址的轉換信息并輸入與故障地址相當的地址時,與在所述冗余用故障地址寄存器單元中保存的數據進行比較,判斷是否正確地進行其故障地址的轉換,并借助于將所述主存儲單元的不合格部分置換到所述冗余存儲單元,進行所述主存儲單元的不合格部分的保護處理。
7.如權利要求6所述的控制器大容量存儲器混裝型半導體集成電路器件的測試方法,其特征還在于,用包含多行或者多列的塊單元進行對所述主存儲單元的不合格部分的所述冗余存儲單元的置換。
8.一種控制器大容量存儲器混裝型半導體集成電路器件的使用方法,其特征在于,在至少包括設置在半導芯片上的主存儲單元;設置在所述芯片上的至少對從所述芯片外向所述主存儲單元的數據輸入和從所述主存儲單元向所述芯片外的數據輸出進行控制的控制器;具有設置在所述芯片上的能改寫數據的存儲單元,并按在該存儲單元中寫入的自測試序列對所述主存儲單元進行測試的自測試手段的控制器大容量存儲器混裝型半導體集成電路器件的使用方法中,所述能改寫數據的存儲單元擦去在該存儲單元中寫入的自測試序列和自保護序列后,作為半導體集成電路器件的工作存儲器使用。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





