[發明專利]半導體發光器件

無效

• 申請號: 96108527.4
• 申請日: 1996-07-31
• 公開（公告）號: CN1086249C
• 公開（公告）日: 2002-06-12
• 發明（設計）人: 中村淳一;中津弘志
• 申請（專利權）人: 夏普株式會社
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00
• 代理公司: 上海專利商標事務所
• 代理人: 張政權

1.一種半導體發光器件，其特征在于包括：

第一導電型的化合物半導體襯底；

在此化合物半導體襯底上形成的多層結構，此多層結構至少包括用于發光的激活層，該激活層插在第一導電型的下覆蓋層和第二導電型的上覆蓋層之間；

在多層結構上形成的第二導電型的中間層；以及

在中間層上形成的第二導電型的電流擴散層；

其中，中間層可減少上覆蓋層和電流擴散層之間的至少一個晶格失配，和減少結形成前在上覆蓋層和電流擴散層之間顯示的能帶圖中導帶底和/或價帶頂能級的差。

2.如權利要求1所述的半導體發光器件，其特征在于中間層包括多層。

3.如權利要求1所述的半導體發光器件，其特征在于在結形成前中間層導帶底的能級位置位于(i)結形成前上覆蓋層導帶底的能級位置與(ii)結形成前電流擴散層導帶底的能級位置之間，和/或結形成前中間層價帶頂的能級位置位于(i)結形成前上覆蓋層價帶頂的能級位置與(ii)結形成前電流擴散層價帶頂的能級位置之間。

4.如權利要求1所述的半導體發光器件，其特征在于由從與上覆蓋層接觸的第一中間層到與電流擴散層接觸的第n中間層(n＞1)的多層構成中間層；與第(k+1)中間層相比，結形成前第k中間層(1≤k≤(n-1))導帶底的能級位置更接近于結形成前上覆蓋層導帶底的能級位置，和/或結形成前第k中間層價帶頂的能級位置更接近于結形成前上覆蓋層價帶頂的能級位置。

5.如權利要求1所述的半導體發光器件，其特征在于中間層的晶格常數值處于上覆蓋層的晶格常數和電流擴散層的晶格常數之間。

6.如權利要求1所述的半導體發光器件，其特征在于由從與上覆蓋層接觸的第一中間層到與電流擴散層接觸的第n中間層(n＞1)的多層構成中間層；與第(k+1)中間層晶格常數的值相比，第k中間層(1≤k≤(n-1))晶格常數的值更接近于上覆蓋層晶格常數的值。

7.如權利要求1所述的半導體發光器件，其特征在于在結形成前中間層導帶底的能級位置位于(i)結形成前上覆蓋層導帶底的能級位置與(ii)結形成前電流擴散層導帶底的能級位置之間，和/或結形成前中間層價帶頂的能級位置位于(i)結形成前上覆蓋層價帶頂的能級位置與(ii)結形成前電流擴散層價帶頂的能級位置之間，中間層的晶格常數值處于上覆蓋層的晶格常數和電流擴散層的晶格常數之間。

8.如權利要求1所述的半導體發光器件，其特征在于從與上覆蓋層接觸的第一中間層到與電流擴散層接觸的第n中間層(n＞1)的多層構成中間層；與第(k+1)中間層相比，結形成前第k中間層(1≤k≤(n-1))導帶底的能級位置更接近于結形成前上覆蓋層導帶底的能級位置，和/或結形成前第k中間層價帶頂的能級位置更接近于結形成前上覆蓋層價帶頂的能級位置，第k中間層晶格常數的值更接近于上覆蓋層晶格常數的值。

9.如權利要求1所述的半導體發光器件，其特征在于中間層的組分從上覆蓋層的組分連續變化到電流擴散層的組分。

10.如權利要求1所述的半導體發光器件，其特征在于由AlGaInP型的化合物半導體材料形成多層結構，由AlInAs型的化合物半導體材料形成中間層，由AlGaP型的化合物材料形成電流擴散層。

11.如權利要求1所述的半導體發光器件，其特征在于由AlGaInP型的化合物半導體材料形成多層結構，由GaAsP型的化合物半導體材料形成中間層，由AlGaP型的化合物材料形成電流擴散層。

12.如權利要求1所述的半導體發光器件，其特征在于由AlGaInP型的化合物半導體材料形成多層結構和中間層，由AlGaP型的化合物材料形成電流擴散層。

13.如權利要求1所述的半導體發光器件，其特征在于中間層的載流子濃度在大約1×10¹⁷cm^-3到大約1×10¹⁹cm^-3的范圍內。

14.如權利要求1所述的半導體發光器件，其特征在于中間層的厚度在大約0.01μm到大約5μm的范圍內。