[發明專利]磁性能優良的晶粒取向硅鋼薄板的制造方法

無效

• 申請號: 96105998.2
• 申請日: 1996-02-13
• 公開（公告）號: CN1065456C
• 公開（公告）日: 2001-05-09
• 發明（設計）人: 小松原道郎;石田昌義;千田邦浩
• 申請（專利權）人: 川崎制鐵株式會社
• 主分類號: B21B1/22
• 分類號: B21B1/22
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司
• 代理人: 楊麗琴

本發明是關于作為變壓器等鐵芯材料使用的磁性能優良的晶粒取向硅鋼薄板的制造方法。

晶粒取向硅鋼薄板作為各種變壓器的鐵芯材料而使用，這種薄板是使構成材料的晶粒取向在沿軋制方向具有易磁化軸(110)[001]取向，即高斯取向上高度聚集。這種聚集度表現在鋼板的磁通密度上，通常以表示在800A／m磁場中的磁通密度為B₈(T)值進行評價。

作為向這種高斯取向聚集的方法，利用稱作二次再結晶的現象。即，在通常的晶粒(將此稱為一次再結晶晶粒)熱長大過程中，利用取向選擇性極強的異常晶粒長大舉動，控制其取向選擇性和異常晶粒長大這兩點，對于得到向高斯取向的聚集度高、良好二次再結晶晶粒是重要的。

為此，在二次再結晶前的一次再結晶中，適當保持聚集結構和結晶粒徑、進而適當保持用于抑制晶粒長大的抑制劑的抑制力(抑制是彌散第二相的析出物及由晶界偏析成分的偏析而引起的晶界移動的力)等的平衡是重要的。

這些通過適當控制熱軋過程、冷軋過程和一次再結晶退火過程的各條件，調整至作為目標的狀態，但因為都要求微妙的溫度和壓下率，還有表面性狀的控制，所以在工業生產中存在如下所述的問題。

即，沿軋制方向既條狀地發生二次再結晶生成不良，又全面地發生二次再結晶生成不良，另外，因為二次再結晶晶粒的結晶取向大幅度地偏離高斯取向等，所以磁性能劣化，每每產生大量廢品。

再有，各過程條件，甚至在極嚴格管理的上述以外的情況下，在工廠生產過程的板材穿過軋機的機會中，也常產生磁性能波動，對合格率和作為制品的質量保證帶來問題。

作為消除像這樣的不穩定的技術，特開平2-267223號公報(晶粒取向電工鋼板的一次再結晶退火方法)揭示了在線測試一次再結晶粒徑，使一次再結晶粒徑在適當范圍而控制一次再結晶退火條件的手段。另外，在特開平4-337029號公報(單取向電工鋼板的一次再結晶退火方法)中，揭示了測定最終冷軋前鋼板的N含量，必須使一次再結晶粒徑為15-25μm的范圍而變更一次再結晶退火溫度的手段。

這些方法像上述那樣，是從一次再結晶粒徑給二次再結晶舉動的極大影響的事實出發，必須將一次再結晶粒徑控制在得到最優良磁性的范圍內，而變更一次再結晶退火條件(溫度和作業線速度)，使制品的磁性能穩定且提高的技術，但是實際上，在熱軋條件變動、冷軋后的退火條件及其冷卻條件變動、抑制劑的抑制力變化的情況下，因為隨這些變化，最佳的一次再結晶粒徑變化，所以既不能制止二次再結晶的生長不良，又不能達到磁性能的穩定化，沒有達到實用上良好的性能。

此外還提出許多與一次再結晶粒徑有關，想要得到磁性優良的良好二次再結晶的技術。

例如，在特開平2-182866號公報(單取向電工鋼板用板材)中揭示了使一次再結晶退火后的晶粒徑在15μm以上、變動系數為0．6以下的手段，在特開平6-33141號公報(磁性能優良的單取向電工鋼板的制造方法)中揭示了使一次再結晶退火后的平均粒徑為6-11μm、變動系數為0．5以下、至二次再結晶即將開始之前增大5-30％平均粒徑的手段。另外，在特開平5-156361號公報(磁性能優良的單取向電工鋼板的制造方法)中揭示了將從一次再結晶退火后至最終成品退火開始的一次再結晶粒徑控制在10-35μm的手段，在特開平5-295438號公報(磁性能優良的單取向電工鋼板的制造方法)中揭示了將一次再結晶粒徑控制在18-35μm的手段，在特開平6-172861號公報(磁性能優良的厚板的單取向電工鋼板的制造方法)中揭示了將一次再結晶粒徑控制在18-30μm的手段。

但是，這些都是以一次再結晶粒徑作為指標，通過控制該指標，要達到產生為提高磁性能的良好二次再結晶的技術，但仍然殘留稱作在工業生產中磁性能不穩定的上述問題。

本發明著眼于在適當控制為謀求磁性能提高和穩定化的二次再結晶中，重要的是調整一次再結晶粒徑和抑制劑抑制力的雙方平衡，要有利地解決上述問題，通過考慮一次再結晶粒徑和抑制劑抑制力的新手段，以提供得到比以往穩定且優良磁性能的晶粒取向硅鋼薄板的制造方法為目的。

本發明重復各種試驗、研究的結果，基于一次再結晶后二次再結晶開始前的鋼板的矯頑力對硅鋼板制品的磁性能預測、進而對其提高和穩定化是極有效的全新認識，完成了本發明。

即，本發明的要點如下。