[發(fā)明專利]垂直腔表面發(fā)射激光器件及采用這種器件的光拾取裝置

無效

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• 申請日: 1996-04-25
• 公開（公告）號: CN1063291C
• 公開（公告）日: 2001-03-14
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 申鉉國
• 申請（專利權(quán)）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01S5/10
• 分類號: H01S5/10;G11B7/12
• 代理公司: 中國國際貿(mào)易促進(jìn)委員會專利商標(biāo)事務(wù)所
• 代理人: 蔣世迅

1．一種垂直腔表面發(fā)射激光器件，包括：

一個半導(dǎo)體襯底；

一個具有形成在所述半導(dǎo)體襯底上的用于接收入射光的本征緩沖層和形成在所述的本征緩沖層上的第一電極層的光電探測器；和

一個光源，它具有一個形成在所述的第一電極層上用于反射大部分入射光并且透射其余部分入射光的第一分布布喇格反射(DBR)堆、一個形成在所述的第一布喇格所射堆上用于產(chǎn)生光的激發(fā)層、一個形成在所述的激發(fā)層上用于反射大部分入射光并且透射其余部分光的第二分布布喇格反射堆，和一個形成在所述的第二布喇格所射堆上帶有一個通過它穿過第二布喇格所射堆的光可以被發(fā)射出去的腔體的第二電極層，

其特征在于，所述的第一電極層具有一個在其上面沒有形成光源的外露表面，并且一個用于把所述的第一電極層和外部電源聯(lián)接起來的引線被形成在上述外露表面上。

2．權(quán)利要求1所述的垂直腔表面發(fā)射激光器件，其特征在于所述的外露表面是形成在光源的一側(cè)。

3．權(quán)利要求1所述的垂直腔表面發(fā)射激光器件，其特征在于所述的外露表面是形成在光源的兩側(cè)。

4．權(quán)利要求1所述的垂直腔表面發(fā)射激光器件，其特征在于所述的外露表面是圍繞著光源形成的。

5．權(quán)利要求1所述的垂直腔表面發(fā)射激光器件，其特征在于所述的光電探測器是探測自光源向下發(fā)射的光以便控制從所述的光源的上表面發(fā)射的光量。

6．權(quán)利要求1所述的垂直腔表面發(fā)射激光器件，其特征在于所述的光電探測器包括一個位于所述的光源的下面的監(jiān)控光電探測器，用于探測向下發(fā)射的光、和一個位于外露表面下面的主光電探測器，用于探測從光源的上表面發(fā)射的光。

7．權(quán)利要求6所述的垂直腔表面發(fā)射激光器件，其特征在于所述的電源引線是與所述的主光電探測器對應(yīng)的外露表面分離著的。

8．權(quán)利要求3所述的垂直腔表面發(fā)射激光器件，其特征在于所述的光電探測器包括一個位于所述的光源下面的監(jiān)控光電探測器，用于探測向下發(fā)射的光、和一個位于所述的第一電極層下面的主光電探測器，用于探測從所述的光源的上表面發(fā)射的光。

9．權(quán)利要求8所述的垂直腔表面發(fā)射激光器件，其特征在于所述的電源引線是與對應(yīng)所述的主光電探測器的外露表面分離著形成的。

10．一種光拾取裝置，包括：

一個垂直腔表面發(fā)射激光器件，它含有一個半導(dǎo)體襯底、一個具有依次疊加在所述的半導(dǎo)體襯底上的本征緩沖層和第一電極層的光電探測器、和一個具有依次疊加在第一電極層上的第一布喇格所射堆、激發(fā)層和一個形成有一個腔體的第二布喇格所射堆的光源，其特征在于，第一電極層具有一個其上面沒有形成光源的外露表面，并且一個用于連接第一電極層與外部電源的引線是形成在所述的外露表面上；

一個置于所述的光源和光記錄介質(zhì)之間的物鏡，用于聚焦從光源發(fā)出的光在光記錄介質(zhì)上形成一個光點(diǎn)；

一個位于光源和物鏡之間的衍射器件，用于根據(jù)從光源入射的光束的光路改變從物鏡入射的光束的光路；和

一個用于探測通過所述的衍射器件的光的主光電探測器。

11．權(quán)利要求10所述的光拾取裝置，其特征在于所述的衍射器件是一個全息圖元件。

12．權(quán)利要求10所述的光拾取裝置，其特征在于所述的外露表面是形成在光源的一側(cè)。

13．權(quán)利要求10所述的光拾取裝置，其特征在于所述的外露表面是形成在光源的兩側(cè)。

14．權(quán)利要求10所述的光拾取裝置，其特征在于所述的外露表面是形成在光源的周圍。

15．權(quán)利要求10所述的光拾取裝置，其特征在于所述的光電探測器探測光源向下發(fā)射的光，以便控制從光源的上表面發(fā)出的光量，并且所述的主光電探測器是位于第一電極層的外露表面的下面，靠近光電探測器。

16．權(quán)利要求13所述的光拾取裝置，其特征在于所述的光電探測器探測光源向下發(fā)射的光，以便控制從光源的上表面發(fā)射的光量，并且所述的主光電探測器位于第一電極層的外露表面的下面，靠近光電探測器。

17．權(quán)利要求10所述的光拾取裝置，其特征在于所述的光源及光電探測器和主光電探測器是被一個帶有透射窗的殼體封裝起來的。

18．權(quán)利要求17所述的光拾取裝置，其特征在于所述的殼體的透射窗是一個全息圖元件。