[發明專利]真空斷續器的接觸電極

無效

• 申請號: 96103079.8
• 申請日: 1996-03-11
• 公開（公告）號: CN1065068C
• 公開（公告）日: 2001-04-25
• 發明（設計）人: 奧冨功;関經世;山本敦史
• 申請（專利權）人: 東芝株式會社
• 主分類號: H01H33/66
• 分類號: H01H33/66;H01H1/02
• 代理公司: 上海專利商標事務所
• 代理人: 張政權

1．一種真空斷續器用接觸電極，其特征在于包括：

由包括銅和銀在內的一組成份中所選出的至少一種成份所組成的導電成份；以及

熔化溫度大于1500℃的耐弧成份；

所述接觸電極表面上之接觸電極的組分量梯度A／X為0．2-12體積％／mm；

其中，

X1為所述接觸電極之表面上任何半徑線R1上的一點；

X2為所述接觸電極之表面上任何半徑線R1上的另一點；

X為以毫米計量的所述一點X1與所述另一點X2之間的間隙，其中X=X2-X1，且X2＞X1≥0；

A1為所述一點X1處以體積％計量的所述接觸電極內所述組分的量；

A2為所述另一點X2處以體積％計量的所述接觸電極內所述組分的量；以及

A為以體積％計量的所述組分的量A1與A2之差。

2．根據權利要求1的真空斷續器的接觸電極，其特征在于：

所述組分包括所述導電成份。

3．根據權利要求1的真空斷續器的接觸電極，其特征在于：

所述組份包括所述耐弧成份。

4．根據權利要求1的真空斷續器的接觸電極，其特征在于：

在所述接觸電極中，所述耐弧成份的量按體積％計為5％至75％。

5．根據權利要求1的真空繼續器的接觸電極，其特征在于：

所述耐弧成份為從包括鈦、鋯、釩、鈮、鉭、鉻、鉬、鎢在內的一組成份中所選擇的至少一種成份。

6．根據權利要求1的真空斷續器的接觸電極，其特征在于：

所述耐弧成份為從包括鈦、鋯、釩、鈮、鉭、鉻、鉬、鎢之碳化物和硼化物在內的一組成份中選出的至少一種成份。

7．根據權利要求1的真空斷續器的接觸電極，其特征在于進一步包括：

由包括鈷、鎳和鐵在內的一組成份中所選出的至少一種成份所組成的輔助成份。

8．根據權利要求1的真空斷續器的接觸電極，其特征在于進一步包括：

由包括鉍、碲、鉛和銻在內的一組成份中所選出的至少一種成份所組成的輔助成份。

9．根據權利要求1的真空斷續器的接觸電極，其特征在于：

沿所述接觸電極之表面上所述半徑線R1共同存在所述梯度A／X小于0．2體積％／mm的第一區域，以及所述梯度A／X為0．2-12體積％／mm的第二區域。

10．根據權利要求1的真空斷續器的接觸電極，其特征在于：

按照從所述接觸電極中心至周邊的方向依次存在所述梯度A／X小于0．2體積％／mm的第一區域，所述梯度A／X為0．2-12體積％／mm的第二區域，以及所述梯度A／X大于12體積％／mm的第三區域。

11．根據權利要求1的真空斷續器的接觸電極，其特征在于：

在所述接觸電極之直徑的中心與沿所述接觸電極之表面上所述半徑線R1的所述一點X1之間，存在所述梯度A／X小于0．2體積％／mm的第一區域；以及

在所述一點X1與沿所述接觸電極之表面上所述半徑線R1的所述接觸電極的周邊之間，共同存在所述第一區域以及所述梯度A／X為0．2-12體積％／mm的第二區域。

12．一種真空斷續器的接觸電極，其特征在于包括：

由第一導電成份組成的基板，該第一導電成份包括從包括銅和銀在內的一組成份中所選擇的至少一種成份；以及

安裝在所述基板上的薄接觸電極；

所述薄接觸電極包括：

由包括銅和銀在內的一組成份中所選擇的至少一種成份所組成的第二導電成份，以及

其熔化溫度大于1500℃的耐弧成份，

由所述薄接觸電極表面上所述第二導電成份和耐弧成份之一組成的所述薄接觸電極的組分量梯度A／X為0．2-12體積％／mm；

其中，

X為所述薄接觸電極之表面上任一半徑線R1上的一點，

X2為所述薄接觸電極之表面上所述半徑線R1上的另一點，

X為以毫米計量的所述一點X1與另一點X2之間的間隙，其中X=X2-X1，且X2＞X1≥0，

A1為所述一點X1處，以體積％計量的所述薄接觸電極內所述組分的量，

A2為所述另一點X2處，以體積％計量的所述薄接觸電極內所述組分的量，以及

A為以體積％計量的所述組分量A1與A2之差，其中A=A2-A1。