[發(fā)明專利]磁記錄媒體和使用該磁記錄媒體的磁存儲(chǔ)裝置

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 96102114.4
• 申請(qǐng)日: 1996-02-02
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN1136693A
• 公開(kāi)（公告）日: 1996-11-27
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 細(xì)江讓;吉田和悅;稻葉信幸;山本朋生;石川晃;二本正昭;片岡宏之;城石芳博
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 株式會(huì)社日立制作所
• 主分類(lèi)號(hào): G11B5/84
• 分類(lèi)號(hào): G11B5/84;G11B5/82;G11B5/245
• 代理公司: 中國(guó)國(guó)際貿(mào)易促進(jìn)委員會(huì)專利商標(biāo)事務(wù)所
• 代理人: 范本國(guó)

1.一種磁存儲(chǔ)裝置，包括：具有在多個(gè)磁性層與相鄰的磁性層之間插入中間層的磁記錄媒體、沿記錄方向驅(qū)動(dòng)磁記錄媒體的驅(qū)動(dòng)部、具有記錄部和再生部的磁頭、使磁頭相對(duì)于磁記錄媒體相對(duì)運(yùn)動(dòng)的裝置和用于進(jìn)行向磁頭輸入信號(hào)及再生上述磁頭的輸出信號(hào)的記錄再生信號(hào)處理裝置，其特征在于：通過(guò)用磁阻效應(yīng)式磁頭構(gòu)成磁頭的再生部，上述磁記錄媒體的多個(gè)磁性層含有在多個(gè)磁性層與媒體表面垂直的方向重疊的位置存在的結(jié)晶方位不同的結(jié)晶粒。

2.如權(quán)利要求1所述的磁存儲(chǔ)裝置，其特征在于：上述多個(gè)磁性層含有最密六角點(diǎn)陣結(jié)構(gòu)的c軸方位與媒體表面大致平行的Co合金結(jié)晶粒，并且含有在與媒體表面垂直的方向重疊的位置存在的c軸方位相互大致正交的Co合金結(jié)晶粒。

3.如權(quán)利要求2所述的磁存儲(chǔ)裝置，其特征在于：上述多個(gè)磁性層由靠近基板表面的第1磁性層和通過(guò)中間層在其上形成的第2磁性層構(gòu)成，在構(gòu)成上述第2磁性層的結(jié)晶粒中，設(shè)其c軸方位和在與媒體表面垂直的方向重疊的位置存在的上述第1磁性層的結(jié)晶粒的c軸方位大致正交的結(jié)晶粒的數(shù)量為Nc、大致平行的結(jié)晶粒的數(shù)量為Na時(shí)，Nc和Na之比Nc/Na大于0.2。

4.如權(quán)利要求1所述的磁存儲(chǔ)裝置，其特征在于：構(gòu)成上述多個(gè)磁性層大至少一層的磁性層的磁性結(jié)晶粒垂直于媒體表面的方向的平均的結(jié)晶方位與構(gòu)成其他磁性層的磁性結(jié)晶粒垂直于媒體表面的方向的平均的結(jié)晶方位不同。

5.一種磁存儲(chǔ)裝置，包括：在多個(gè)磁性層與相鄰的磁性層之間插入中間層的磁記錄媒體、沿記錄方向驅(qū)動(dòng)磁記錄媒體的驅(qū)動(dòng)部、具有記錄部和再生部的磁頭、使磁頭相對(duì)于磁記錄媒體相對(duì)運(yùn)動(dòng)的裝置和用于進(jìn)行向磁頭輸入信號(hào)及再生上述磁頭的輸出信號(hào)的記錄再生信號(hào)處理裝置，其特征在于：通過(guò)用磁阻效應(yīng)式磁頭構(gòu)成磁頭的再生部，上述磁記錄媒體的多個(gè)磁性層的容易磁化的軸方向處于膜面內(nèi)，并且，上述磁性層的容易磁化的軸方向在各層間不相關(guān)。

6.一種磁存儲(chǔ)裝置，包括：在多個(gè)磁性層與相鄰的磁性層之間插入中間層的磁記錄媒體、沿記錄方向驅(qū)動(dòng)磁記錄媒體的驅(qū)動(dòng)部、具有記錄部和再生部的磁頭、使磁頭相對(duì)于磁記錄媒體相對(duì)運(yùn)動(dòng)的裝置和用于進(jìn)行向磁頭輸入信號(hào)及再生上述磁頭的輸出信號(hào)的記錄再生信號(hào)處理裝置，其特征在于：通過(guò)用磁阻效應(yīng)式磁頭構(gòu)成磁頭的再生部，上述磁記錄媒體的中間層由Ta層和Cr層或Hf層和Cr層或者將從由Zr，Nb，Ti，V，Mo，W構(gòu)成的群中選擇的至少一種元素添加到這些元素中的合金膜的二層構(gòu)成。

7.如權(quán)利要求6所述的磁存儲(chǔ)裝置，其特征在于：上述中間層由在Ta或Hf層上形成Cr層而成。

8.如權(quán)利要求7所述的磁存儲(chǔ)裝置，其特征在于：在上述中間層中，Ta層或Hf層與Cr層的厚度之和為2～20nm。

9.如權(quán)利要求6所述的磁存儲(chǔ)裝置，其特征在于：上述多個(gè)磁性層是Co基合金。

10.如權(quán)利要求1，2，3，4，5，6，7，8，或9所述的磁存儲(chǔ)裝置的特征在于：上述磁阻效應(yīng)式磁頭具有由相互間隔0.35μm以下的距離的軟磁性體構(gòu)成的2個(gè)屏蔽層和在上述2個(gè)屏蔽層之間形成的磁阻傳感器部，上述磁記錄媒體的多個(gè)磁性層的厚度之和t與記錄方向的剩余磁通密度Br之積Br×t大于G·μm，小于100G·μm。

11.如權(quán)利要求1，2，3，4，5，6，7，8，9或10所述的磁存儲(chǔ)裝置，其特征在于：上述磁阻效應(yīng)式磁頭包含通過(guò)磁化方向相互隨外部磁場(chǎng)發(fā)生相對(duì)變化而產(chǎn)生大的磁阻變化的多個(gè)導(dǎo)電性磁性層和設(shè)置在上述導(dǎo)電性磁性層之間的導(dǎo)電性非磁性層。

12.一種磁記錄媒體，其特征在于：在具有多個(gè)磁性層和在相鄰磁性層之間設(shè)置中間層的多層磁性層磁記錄媒體中，上述多個(gè)磁性層含有在與垂直于媒體表面的方向重疊的位置存在的結(jié)晶方位不同的結(jié)晶粒。

13.如權(quán)利要求12所述的磁記錄媒體，其特征在于：上述多個(gè)磁性層含有最密六角點(diǎn)陣結(jié)構(gòu)的c軸方位與媒體表面大致平行的Co合金結(jié)晶粒，并且含有在與媒體表面垂直的方向重疊的位置存在的c軸方位相互大致正交的Co合金結(jié)晶粒。