[發明專利]光拾取裝置

無效

• 申請號: 95117672.2
• 申請日: 1995-10-25
• 公開（公告）號: CN1058100C
• 公開（公告）日: 2000-11-01
• 發明（設計）人: 武田正;林善雄
• 申請（專利權）人: 株式會社三協精機制作所
• 主分類號: G11B7/12
• 分類號: G11B7/12
• 代理公司: 上海專利商標事務所
• 代理人: 孫敬國

本發明涉及用于從光盤或者光磁盤等的信息記錄媒體中讀取信息的光拾取裝置。例如，CD(compactdisk)的記錄信息，存儲在形成凹坑列(track)的盤面上，作為讀取這種記錄信息的光拾取裝置，多用如圖20所示的使用3光束法和象散法的裝置。在這種裝置中，通過衍射光柵7和光束分離器(beamsplitter)3由物鏡4對激光光源1的光進行聚光，并將這種聚光的相干光照射到記錄道(凹坑列)，通過物鏡4、光束分離器3和圓柱形透鏡8將這種反射光引導到光檢測器9中。這里，照射到盤5的光點位置，在關聯到凹坑部分的場合，根據反射光和照射光的干涉效果，與在凹坑以外平的地方進行反射的場合相比，反射光的光量減少。因此，在有關的光拾取裝置中，利用光檢測器9將對應于其凹坑列的反射光量的變化，變換成電信號進行輸出。可是，在實際的光盤中，不可能要求得到表面完全沒有彎曲和歪斜的理想的平坦性，此外要考慮到盤面的振動等情況，為讀取正確的信息，恰切地保持拾取物鏡4和盤面間的位置關系是非常重要的。因此，對來自激光等光源1的照射光要進行不偏離凹坑列(track)的跟蹤方向的位置控制和使激光束的焦點位置總是與盤的信息面相一致的聚焦控制。在以往技術中作為用于進行這種控制的當前位置檢測法，一般地在跟蹤偏移(TE)檢測中用三光束法，在聚焦偏移(FE)檢測中用象散法。這種以往技術用圖20和圖21表示。在三光束法中，利用衍射光柵7將激光束分開成0次、±1次的三根光束，在盤5上聚光使得三個光點排列成對于信息記錄道的方向某些傾斜。而且伺服使得其兩端的±1次衍射光點的反射光信號電平總是相等，將正中的0次光點的位置保持在記錄道中央。在象散法中，用圓柱形的棱鏡8對盤5面的反射光的光束作出象散，用加法器133、134和比較器135對例如四分割光檢測器126的二對接收光元件(126a，126d和126b，126c)的對角輸出成分的大小進行比較后的FE信號檢測因聚焦偏移引起的光點形狀(橢圓方向和橢圓度)變化。進而將用加法器136對加法器133、134的輸出進行加法運算的結果作為RF信號。接著，參照圖22，對用于從光磁盤等信息記錄媒體讀取信息的所謂光磁拾取裝置進行說明。這種光磁拾取裝置，是一種進行例如信息的記錄、重放和抹去的裝置，如圖22所示，與光磁記錄媒體3A相對，備有作為光源的半導體激光器2A，在這種半導體激光器2A和磁記錄媒體3A之間、從半導體激光器2A側，順序配置準直儀透鏡4A、半棱鏡5A和物鏡6A。而且，從半導體激光器2A射出的線性偏光(例如P偏光)的光束，經準直儀透鏡4A成為平行光，通過半棱鏡5A，由物鏡6A聚焦在磁記錄媒體3A上。在該磁記錄媒體3A上根據向上磁化和向下磁化記錄信息，因此，射入前述磁記錄媒體3A的P偏光的光，對應于磁記錄體3A的磁化方向，根據磁光學效應(克爾效應)使偏光面旋轉。例如，如果相對于向上磁化偏光面旋轉θ度，那么相對于向下磁化偏光面旋轉-θ度。這樣，偏光面旋轉、具有S偏光成分的反射光，經前述物鏡6A再次成為平行光，用半棱鏡5A反射，射入復合全息圖透鏡7A。而且，通過這種復合全息圖(hologram)透鏡7A被分開的各光束，用光檢測器群8A進行光接收，這種光檢測器群8A的輸出，輸入到檢測電路9A，用該檢測電路9A，生成信息信號、聚焦檢測信號和跟蹤檢測信號。然而，在前述光拾取裝置中，有下述的問題。也就是說，在前述光拾取裝置中，因為衍射光柵7、光束分離器3和圓柱形透鏡8的透鏡系列的部件數多，而且對于各個配置關系和位置配合費事，存在結構復雜、不利于生產的問題。此外，在光拾取裝置(光磁拾取裝置)中，多種全息圖元件涉及多體使用，同時，所述準直儀透鏡4A、半棱鏡5A、物鏡6A以及復合全息圖透鏡7A的透鏡系列的部件數多，而且各個配置關系和位置配合費事，存在結構復雜化、不利于生產的問題。此外，如圖22所示結構的光磁拾取裝置，構成以光磁盤為信息媒體進行信息的記錄、重放和抹去的裝置，但要適用于光磁記錄媒體以外的光記錄媒體是困難的。本發明的目的是提供一種減少部件數的同時、結構簡化、費用降低和生產率高的光拾取裝置。此外，本發明的再一目的是提供能容易變換成光磁記錄媒體以外的光記錄媒體的拾取裝置的一種光磁拾取裝置。如前所述，根據本發明涉及的光拾取裝置，由于在結構上作成在光束分離器的光入射側面上整體地設置將從光源來的射出光分割成多個光束的全息圖元件，且在將指向記錄媒體的射入光束分割成多個光束的同時，使指向記錄媒體的射入光束和來自記錄媒體的反射光束分離，所以能減少部件數使結構簡化、并能使裝置整體小型化，同時，能縮短照光元件配置關系和位置配合的調整時間，并能降低費用和提高生產率。此外，在光束分離器的光檢測器側面上整體地設置將從光磁記錄體來的反射光分開成尋常光成分和非常光成分的偏光分離元件，使得在分離指向光磁記錄媒體的光束和從光磁記錄媒體來的反射光束的同時，將上述反射光束分離成尋常光和非常光，因而作為簡單的結構能使生產率提高。并且，由于容易地移動整體的光束分離器和偏光分離元件而改換成其它的光束分離器，所以除光磁拾取裝置外，例如對由CD等凹坑列組成信息的其它光拾取裝置，也能容易地替換該光拾取裝置，而能得到極為有用的裝置。此外，在結構上作成在光束分離器的光入射側面上整體地形成將來自光源的射出光分割成多個光束的全息圖元件，而且在光檢測器側面上整體地設置將來自光磁記錄媒體的反射光分離成尋常光成分和非常光成分的偏光分離元件，在將指向光磁記錄媒體的入射光束分割成多個光束的同時，分離指向光磁記錄媒體的入射光束和從光磁記錄媒體來的反射光束，并將這種反射光束分離成尋常光和非常光，所以能減少部件數，使結構簡化、并能使裝置整體小型化，同時，能縮短照光元件配置關系和位置配合的調整時間，并降低費用和提高生產率。本發明的光拾取裝置，它將從光源射出照射到光記錄媒體上的反射光，通過光束分離器導入光檢測器并讀取信息信號，在所述光束分離器的光入射側的面上，整體地設置將從所述光源射出光分割成多個光束的全息圖元件。此外，本發明的光拾取裝置，它將從光源射出照射到光磁記錄媒體上的反射光，通過光束分離器導入光檢測器并讀取信息信號，在所述光束分離器的光檢測器側的面上，整體地設置將從所述光磁記錄媒體來的反射光、分離成尋常光成分和非常光成分的衍射型的偏光分離元件。此外，本發明的光拾取裝置，它將從光源射出照射到光磁記錄媒體上的反射光，通過光束分離器導入光檢測器并讀取信息信號，在所述光束分離器的光入射側的面上，整體地設置將所述從光源的射出光分割成多個光束的全息圖元件，同時，在所述光束分離器的光檢測器側的面上，整體地設置將從所述光磁記錄媒體來的反射光、分離成尋常光成分和非常光成分的衍射型的偏光分離元件。用分割線為界衍射條件互異的二個以上區域構成全息圖元件，所以用全息圖元件由受到衍射的光束成分(±1次光)得到跟蹤偏移信號和聚焦偏移信號，能利用沒有受到衍射的0次光成分，僅用于得到RF信號，在這種RF信號檢測中，能使用不分割的光檢測器。因此，沒有光檢測元件不感光帶的影響，即使有光點直徑的增減、光點位置的移動，光信息信號的大小也不會變化，能進行晃動特性優良的信號檢測。再有按照本發明，由于將以全息圖元件的分割線為界至少一側的衍射光柵取為由曲線群構成的光柵模式，所以通過這種曲線群的光柵模式能在記錄媒體上進行良好的成像，從而能提高產品精度。進而，根據本發明，因對于來自光磁記錄媒體的反射光的偏光方向，將偏光分離元件的光學軸成為與反射光的光軸旋轉約45°，所以能差動檢測光磁信號，能進行抗噪聲強的穩定的檢測。圖1是表示本發明第一實施例的光拾取裝置的基本結構模式圖。圖2是用于說明圖1的光拾取裝置中利用全息圖元件在盤記錄面上光束聚束樣子的原理圖。圖3是表示圖1的光拾取裝置盤面中的五個光點的照射狀態的平面說明圖。圖4是用于說明圖1的光拾取裝置中的全息圖元件的光柵模式的模式圖。圖5表示圖1的光拾取裝置中在構成光檢測器的受光元件的受光面上的光點狀態的說明圖。圖6是用于說明圖1的光拾取裝置中的全息圖元件的光柵模式的其它技術例的模式圖。圖7是表示由圖6(d)、(e)所示的全息圖元件產生的盤面中五個光點的照射狀態的平面說明圖。圖8是表示在圖1的光拾取裝置中從光檢測器的各元件輸出得到RF信號、FE信號和TE信號接線狀態的電路說明圖。圖9是本發明第二實施例的光磁拾取裝置的基本結構模式圖。圖10是放大表示圖9所示的光磁拾取裝置中采用的光束分離器和偏光分離元件的側面說明圖。圖11是放大表示圖9所示的光磁拾取裝置中采用的偏光分離元件的橫截面說明圖。圖12是表示圖9所示偏光分離元件中雙折射膜的取向方向的說明圖。圖13是表示構成圖9所示的光檢測器的受光元件的配置結構的平面說明圖。圖14是表示圖13所示的受光元件受光面上的光點變化狀態的說明圖。圖15是表示本發明第三實施例的光磁拾取裝置的基本結構模式圖。圖16是放大表示圖15所示的光磁拾取裝置中采用的全息圖元件和光束分離器及偏光分離元件的側面說明圖。圖17是表示構成圖15所示光檢測器的受光元件的其它實施例的平面說明圖。圖18是表示構成圖15所示光檢測器的受光元件的另一其它實施例的平面說明圖。圖19是表示構成圖15所示光檢測器的受光元件的再一其它實施例的平面說明圖。圖20是表示以往技術例的光拾取裝置一例的基本結構模式圖。圖21是表示以往技術例四分割光檢測器輸出結構的說明圖。圖22是表示以往技術例光磁拾取裝置一例的基本結構模式圖。下面，對本發明的實施例參照附圖進行說明。實施例1圖1是表示本發明第一實施例光拾取裝置的模式結構圖。在這種光拾取裝置中，在光束分離器13的光入射側的面上，將從作為光源的半導體激光器11來的射出光分割成多個光束的全息圖元件12整體地形成。也就是說，從半導體激光器11來的射出光，利用該全息圖元件12，分割成多個光束的同時，其分割光由光束分離器13導入物鏡14，作為多個光點聚束在光盤15的記錄面上。這些多個光點，在光盤15各自反射，再次通過物鏡14，并通過全息圖(hologram)元件12和光束分離器13，再成像在光檢測器16側的焦點面上。這里，前述全息圖元件12，如圖2及圖4所示，大致在光軸上用與媒體記錄道正交方向的線CL進行分割。這種分割線CL延伸，使圖2的衍射光A±、B±以記錄道寬度大小的傾角或更大的傾斜角排列在記錄道125(參照圖3)方向上。并且，在全息圖元件12中，以該分割線CL為界，具有衍射條件相互不同的一對衍射光柵，也就是說，具有對光柵間隔和光柵方向進行替換以便使前述分割線CL兩側的衍射條件不同的衍射光柵12A、12B，這對衍射光柵12A、12B中至少一側的衍射光柵具有向記錄道方向的衍射功能。又，在本實施例中，雖然是對圖4(b)類型的全息圖元件進行說明，但對于(a)、(c)、(d)、(e)等其它模式(pattern)的全息圖元件，也能相同地得到以下說明的效果。首先，根據全息圖元件12的作用，對作為凹坑信號讀出用的主光束的衍射0次光束和作為檢測聚焦誤差和跟蹤誤差用的次光束(sub-beam)的衍射±1次光束聚束在記錄面上的哪個位置，將用圖2的原理圖對其具體地進行說明。從半導體激光器11射出并射入到圖2上側的衍射光柵12A的光束中，沒有衍射的0次光，通過衍射光柵12A利用光束分離器13(圖2中未圖示)反射，射入物鏡14，聚束在點L′。另一方面，受到衍射的衍射±1次光，類似在半導體激光器11的位置L為中心光軸對稱的虛像A+、A-上有光源那樣射入物鏡14，聚束在點A′+、A′-。也就是說，射出衍射光柵12A的光束通過物鏡14，聚束在0次光與L的共軛點L′和±1次光與A+、A-的共軛點A′+、A′-的各記錄面上對應的位置(共軛點)上。對于從半導體激光器11中射出并射入到圖2下側的衍射光柵12B中的光束，也能對其完全相同地考慮。也就是說，分別聚束在0次光與L的共軛點L′和±1次光與B+、B-的共軛點B′+、B′-上。因此，半導體激光器的射出光，由全息圖元件12的上下衍射光柵12A、12B的作用，成為衍射0次光束和衍射±1次光束，并利用光束分離器13反射通過物鏡14后，在光盤15的記錄面上聚束成L′、A′+、A′-、B′+、B′-五個光點。從對于光盤15的記錄面垂直方向見到光點的樣子如圖3所示。在記錄道125中心聚束的光點12。為衍射0次光，其它四點121-124為衍射±1次光。此外，在全息圖元件12通過沒有設置衍射光柵部分的光束，聚束在與衍射0次光相同的光點上。這里，衍射光柵12A的衍射±1次光點121、123成為對于中心光點120點對稱的位置，衍射光柵12B的衍射±1次光點122、124也成為對于中心光點120點對稱的位置。各光點的位置，用作確定各衍射光柵12A、12B的各個光柵間隔和光柵方向，并能使各±1次衍射光聚束到記錄道的適當位置上。此外，這些衍射±1次光的光點的概略形狀，能以各衍射光柵開口形狀的富里埃變換得到。接著，對光檢測器16上的光點進行說明。光盤15記錄面上的前述五個光點，各自以光盤15反射再次通過物鏡14，通過該物鏡14的光束全體，作為0次透過光通過全息圖元件12和分光鏡13，用光檢測器16接收光。于是，在光檢測器16側焦點面上的光點位置關系，具有與前述記錄面上光點位置關系相同的共軛關系。因此，前述光檢測器16，對應于前述五個光點，如圖5所示由五個接收光元件55，56a-56b，57a-57b，58a-58b，59a-59b構成。然后，光盤15與物鏡14的位置關系在與光軸方向或者光軸垂直方向上移動的場合，光點形狀和光點位置成為與在記錄面和光檢測器側的焦點面上相同的變化。物鏡14和光盤15位置關系的光軸方向變化，也就是說對于聚焦偏移的光檢測器16上的光點變化，用圖5進行說明。對焦點，如圖5(b)所示，0次光的光點50作為中心，在其兩側衍射的衍射光柵12A的衍射±1次光的光點51、53和在其兩側衍射的衍射光柵12B的衍射±1次光的光點52、54，位置在圖示的上下，全部形成最小的光點。又，光點50位置在接收光元件55的中心，衍射±1次光的光點51-54，光點中心位置在接收光元件55的兩側一列并排地二分開接收光元件56a、56b-59a、59b的分割線上。另一方面，當物鏡14和光盤15的距離接近時，如圖5(a)所示，0次光的光點50位置不變直徑增大，衍射光柵12A的衍射±1次光的光點51、53類似于衍射光柵12A開口形狀，圖形增大，同時其中心向圖5的上側移動，衍射光柵12B的衍射±1次光的光點52、54類似于衍射光柵12B的開口形狀，圖形增大，同時其中心向圖5的下側移動，衍射±1次光的光點51-54，多半位于二分割接收光元件56a、56b-59a、59b的各分割線的單側。又，圖5因表示理想狀態位置只在單側，但實際上由于模糊等在另一側也存在一部分。相反，當物鏡14和光盤15的距離離遠時，如圖5(c)所示，0次光的光點50位置不變直徑增大，衍射光柵12A的衍射±1次光的光點51、53類似于衍射光柵12A的上下相反的開口形狀，圖形增大，同時其中心在圖5的下側移動，衍射光柵12B的衍射±1次光的光點52、54類似于衍射光柵12B的上下相反的開口形狀，圖形增大，同時其中心在圖5的上側移動。因此，根據如圖8所示的電路結構，利用采集構成光檢測器16的各接收光元件55、56a、56b-59a、59b的輸出，能得到FE信號、TE信號。也就是說，FE信號是用各比較器60、61上下相反地對二分割接收光元件56a、56b和57a、57b的輸出和二分割接收光元件58a、58b和59a、59b的輸出進行比較，用比較器62比較其結果那樣連線得到。另一方面，關于檢測物鏡14和光盤15的位置關系的跟蹤方向的偏移，與通常的三光束法的情況完全相同。如圖8所示，TE信號是對二分割接收光元件56a、56b和57a、57b的輸出和二分割接收光元件58a、58b和59a、59b的輸出分別用加法器63、64進行加法運算，用比較器65比較其結果那樣連線得到。又，TE信號也能僅用二分割接收光元件56a、56b和58a、58b的輸出或者二分割接收光元件57a、57b和59a、59b的輸出得到。此外，關于RF信號，只是對應于聚焦程度增減衍射0次光的光束直徑，所以光點總是位于光檢測器16的接收光元件55上。因此，提高了接收光元件的利用效率，同時，能縮短調整時間并且降低調整費用。這樣，在本實施例中，在光束分離器13的光入射側的面上，整體地設置將來自半導體激光器11的射出光分割成多個光束的全息圖元件12，將指向光盤15的入射光束分割成多個光束，同時分離朝向光盤15的入射光束和來自光盤15的反射光束，所以能減少部件數，同時，使結構簡化且減少了配置關系和位置配合的工序，而且能謀得費用降低和提高生產率。此外，因以分割線CL為界使衍射條件相互不同地做成全息圖元件12，所以能用全息圖元件12根據受到衍射的光束成分(±1次光)得到跟蹤偏移信號和聚焦偏移信號，另一方面，未受到衍射的0次光成分僅用于得到RF信號。因此，在RF信號檢測中，不必使用分割化的光檢測器，即使有光點直徑的增減、光點位置的移動，光信息信號的大小也不會改變，而且能進行晃動特性優良的信號檢測。圖6是用于說明全息圖元件的光柵模式的其它技術例的模式圖，是表示代表圖4(a)類型的全息圖元件的。在圖6(a)中表示的全息圖元件是將圖4(a)所示的全息圖元件12旋轉180°的情況，它使圖4(a)所示的圖示上側的衍射光柵12A成為下側，圖示下側的衍射光柵12B成為上側。這種結構也能得到與前述實施例同樣的效果。在圖6(b)中表示的全息圖元件是將圖4(a)所示的全息圖元件12逆時針旋轉90°的情況，它使圖4(a)所示的圖示上側的衍射光柵12A成為左側，圖示下側的衍射光柵12B成為右側。在圖6(c)中表示的全息圖元件是將圖4(a)所示的全息圖元件12順時針旋轉90°的情況，它使圖4(a)所示的圖示上側的衍射光柵12A成為右側，圖示下側的衍射光柵12B成為左側。這種結構對于前述實施例，雖然要將半導體激光器11和光束分離器13以及全息圖元件12以通過物鏡14的光軸旋轉約90°，但當然能得到與前述實施例相同的效果。在圖6(d)中表示的全息圖元件，基本在光軸上用與媒體的記錄道成正交方向的線分割，此外衍射光柵12C和衍射光柵12D的光柵基本形成正交方向。圖6(e)所示的全息圖元件是將圖6(d)所示的全息圖元件旋轉180°的情況。這種結構如圖7所示，在光盤15的記錄面上形成的連接衍射±1次光點121、123和衍射0次光點120的連線與連接衍射±1次光點122、124和衍射0次光點120的連線大致成正交，因對應于此形成光檢測器，所以與前述裝置相比具有能將整個裝置小型化的優點。此外，在前述光檢測器16中，雖然將接收光元件配置在同一面上(紙面內)，但通過改變全息圖元件12，就能配置在例如與紙面垂直的方向或配置在紙面內和與紙面垂直的方向上。又，圖6(a)-圖6(c)中所示的全息圖元件中，雖然將衍射光柵12A、12B的光柵方向描繪成行地，但實際上方向多少會有不同。順便說一下，如果取前述種種全息圖元件的分割線為界的至少一側的衍射光柵，為由曲線群組成的光柵模式，根據由這種曲線群組成的光柵模式，在光盤15上次光束能良好地成像并且能提高制品精度。這時的模式成為反映以半導體激光器11作為點光源時的光束分離器13反射面上的相位和以光盤15上的次光束的半導體激光器11側的共軛點作為點光源時的光束分離器13反射面上的相位的相位差。實施例2接著，對本發明的第二實施例進行說明。圖9是本發明第二實施例的光磁拾取裝置的基本結構模式圖，圖10是放大表示用在該光磁拾取裝置中的光束分離器13和偏光分離元件17的側面圖。在這種光拾取裝置中，將作為光源的半導體激光器11的射出光(S偏光)用全息圖元件12分割成多個光束，將其分割光通過光束分離器13導入物鏡，在光磁盤115的記錄面上聚束成多個光點。并且，前述多個光點在光磁盤115各自反射再次通過物鏡14并且通過光束分離器13，再成像在光檢測器16側的焦點面上。實施例中有關的全息圖元件12，基本上如圖2、圖4所示，以分開線CL為界，具有其兩側的衍射條件相互不同的一對衍射光柵。該第二實施例的特征結構是在光束分離器13的光檢測器16側的面(圖9中右下側面)上，整體地形成將從光磁盤115來的反射光分離成尋常光(常光)成分和非常光(異常光)成分的偏光分離元件17。作為前述偏光分離元件17，可采用在特開昭63-314502號、特開昭63-262602號、特開昭63-262604號公報等中記載的各種結構，例如，如圖11中所示，在玻璃等的光學的各向同性基板17a上被復著雙折射膜17b，同時，采用在其表面形成凹凸形的周期光柵17c。雖然這時光柵方向是任意的，在本實施例中取與S偏光方向平行。前述雙折射(復屈折)膜17b的取向方向(光學軸方向)的偏光成分是非常光，直角方向的偏光成分為尋常光，本實施例的偏光分離元件17，根據雙折射膜17b的厚度和基板17a的階差深度的設定，以尋常光全部為非衍射光(0次光)，以非常光為衍射光(±1次光)。又，也能以非常光全部為非衍射光(0次光)，以尋常光為衍射光(±1次光)。此外，在本實施例中，如圖12所示，將雙折射膜17b的取向方向(光學軸方向)，相對于P偏光方向和S偏光方向，分別傾斜45°，由此進行差動檢測，使光磁信號(MOS)的檢測特性提高。接著，如圖13所示，構成光檢測器16的接收光元件，由各自接收通過前述偏光分離元件17的尋常光成分和非常光成分的尋常光接收光元件群31和非常光接收光元件群32、33構成。也就是說，前述尋常光接收光元件群31，配置得能接收不衍射通過偏光分離元件17的0次光，異常光接收光元件群32、33，配置得能接收經衍射通過偏光分離元件17的±1次光。在光檢測器16側的焦點面上的光點的位置關系，與前述記錄面上的五個光點的位置關系相同地成為共軛關系。因此，前述各接收光元件群31、32、33各自對應前述的五個光點，由并列配置的五個接收光元件片構成。這些各五為一體的接收光元件片，對中央的一片附加字符A，在其兩側鄰接配置的兩片附加字符B、C，再在其兩側鄰接配置的兩片附加字符D、E。除去其中的中央接收光元件片31A、32A、33A的其它接收光元件片，由二分割成靠近內側(靠近中央)的元件和靠近外側的元件的接收光元件構成。更加具體地說，在前述尋常光接收光元件群31和非常光接收光元件群32、33中，中央的接收光元件片31A、32A、33A配置成接收前述的全息圖元件2的非衍射光(0次光)的第1接收光元件片，同時，在其兩側鄰接的各接收光元件片31B、31C、32B、32C、33B、33C，配置成接收由全息圖元件2的第一衍射光柵A產生的±1次光的第2接收光元件片，再在其兩側鄰接的接收光元件片31D、31E、32D、32E、33D、33E，配置成接收由全息圖元件2的第二衍射光柵B產生的±1次光的第3接收光元件片。并且，這些接收光元件片上的光點位置和光點形狀，在物鏡14與光磁盤115的位置關系沿光軸方向或者與光軸垂直的方向移動的場合，在記錄面和光檢測器側的焦點面上進行相同的變化。這里，物鏡14和光磁盤115位置關系的軸向變化，也就是說對于聚焦偏移的光檢測器16上的光點的變化，參照圖14進行說明。在對焦點上，如圖14(b)所示，以0次光的光點26為中心，在其兩側衍射的衍射光柵A的衍射±1次光的光點27、29和再在其兩側衍射的衍射光柵B的衍射±1次光的光點28、30位置在圖示上下，全部形成最小的光點。又，光點26位置在接收光元件31A的中心，衍射±1次光的光點27-30中心位置在并設在接收光元件31A兩側的各二分割接收光元件31B-31E的分割線上。另一方面，當物鏡14和光磁盤115的距離接近時，如圖14(a)所示，0次光的光點26位置不變直徑增大，衍射光柵12A的衍射±1次光的光點27、29類似于衍射光柵12A的開口形狀，圖形增大，同時其中心移向圖14的上側，衍射光柵12B的衍射±1次光的光點28、30類似于衍射光柵12B的開口形狀，圖形增大，同時其中心移向圖14的下側，衍射±1次光的光點27-30，多半位置在二分割接收光元件31B-31E的各分割線的單側。又，圖14因表示理想狀態位置只在單側，但實際上由于模糊等在另一側也存在一部分。相反，當物鏡14和光盤115的距離離遠時，如圖14(c)所示，0次光的光點26位置不變直徑增大，衍射光柵12A的衍射±1次光的光點27、29類似于衍射光柵12A的上下相反的開口形狀，圖形增大，同時其中心移向圖14的下側，衍射光柵12B的衍射±1次光的光點28、30類似于衍射光柵12B的上下相反的開口形狀，圖形增大，同時其中心移向圖14的上側。又，即使對于異常光接收光元件32、33，對在聚焦不齊的光檢測器16上的光點，變化也與圖14所示相同。因此，根據對前述各接收光元件31、32、33的輸出信號進行適當合成和比較，能得到光磁信號(MOS)、聚焦控制信號(FES)和跟蹤控制信號(TES)。也就是說聚焦控制信號(FES)能用[HT4，5]FES＝[WB](31B2+31C1+31D1+31B2)-(31B1+31C2+31D2+31E1)/＝[DW]+(32B2+32C1+32D1+32E2)-(32B1+32C2+32D2+32B1)/＝[DW]+(33B2+33C1+33D1+33E2)-(33B1+33C2+33D2+33E1)[HT]???得到。再者，對于靠近內側的接收光元件附加字符1，對于靠近外側的接收光元件附加字符2。跟蹤控制信號(TES)能用[HT4，5]TES＝[WB](31B1+31B2+31D1+31D2)-(31C1+31C2+31E1+31E2)/＝[DW]+(32B1+32B2+32D1+32D2)-(32C1+32C2+32E1+32E2)/＝[DW]+(33B1+33B2+33D1+33D2)-(33C1+33C2+33E1+33E2)[HT]???或者TES＝[WB](31B1+31B2)-(31C1＝31C2)/＝[DW]+(32B1+32B2)-(32C1+32C2)/＝[DW]+(33B1+33B2)-(33C1+33C2)???或者TES＝(31D1+3[WB]1D2)-(31E1+31E2)/＝[DW]+(32D1+32D2)-(32E1+32E2)/＝[DW]+(33D1+33D2)-(33E1+33E2)???得到光磁信號(MOS)能用[HT4，5]MOS＝[WB](31A+31B+31C+31D+31E)/＝[DW]-(32A+32B+32C+32D+32E+33A+33B+33C+33D+33E)[HT]???得到。這樣，在與前述實施例有關的光拾取裝置中，根據整體地設置的光束分離器13和偏光分離元件17的作用，分離指向記錄媒體的光束和來自記錄媒體的反射光束，同時，前述反射光束被分離成尋常光和非常光，由對其檢測能得到所定的信息。并且，因為這時整體地設置光束分離器13和偏光分離元件17，所以能容易地進行將它們從光路中取走，并將其它光束分離器等移動配置到光路中等的替換動作。也就是說，能容易地將光磁拾取裝置替換成對于由CD等凹坑列組成信息的光拾取裝置。進而，當得到前述各信號時，由于隨著光源的波長變動，而使±1次光的衍射角度變化，所以能消除生成的各二分割接收光元件的輸出變化。此外，根據聚焦程度衍射0次光僅增減光束直徑，所以光點總是位于光檢測器16的接收光元件31A、32A、33A上。因此，能提高利用效率。實施例3接著，對本發明的第三實施例進行說明。圖15是表示本發明第三實施例的光磁拾取裝置(光拾取裝置)的基本結構模式圖。圖16是放大表示用于該光磁拾取裝置的光束分離器13、全息圖元件12和偏光分離元件17的側面圖。在這種光磁拾取裝置中，將半導體激光器11來的射出光分割成多個光束、與第一實施例中所示相同的全息圖元件12，整體地形成在光束分離器13的光入射側的面上，并且，將從光磁盤115來的反射光分離成尋常光成分和非常光成分的并與第二實施例中所示相同的偏光分離元件17，整體地形成在光束分離器13的光檢測器16側的面上。關于全息圖元件12和偏光分離元件17的作用，已進行了說明。如該第三實施例所示，將指向光磁盤115的入射光束分割成多個光束，同時，分離指向光磁盤115的入射光束和來自光磁盤115的反射光束，并將這種反射光束分離成尋常光和非常光，所以能減少部件個數，同時，使結構簡化，且減少了配置關系和位置配合的工序，從而能謀求費用降低和生產率提高。接著，對構成圖15所示的光檢測器16的接收光元件的其它實施例進行說明。在圖17所示的實施例中，在與前述圖13的實施例相同地構成尋常光接收光元件群31的同時，由單體接收光元件片分別構成非常光接收光元件群32、33。并且，在圖17(a)的實施例中，在接收光元件片32F、33G上，照射由全息圖元件12的非衍射光(0次光)產生的一個光點，同時，在圖17(b)的實施例中，在接收光元件片32F、33G上，照射由全息圖元件12產生的0次光和±1次光的全部五個光點。在這種實施例中，聚焦控制信號(FES)能用FES＝[ZK(](31B2+31C1+31D1+31E2)-(31B1+31C2+31D2+31E1)[ZK)]???得到。跟蹤控制信號(TES)能用[HT4，5]TES＝(31B1+31B2+31D1+31D2)-(31C1+31C2+31E1+31E2)[HT]或者[HT4，5]TES＝(31B1+31B2)-(31C1+31C2)[HT]或者TES＝(31D1+31D2)-(31E1+31E2)得到。光磁信號(MOS)在圖17(a)的場合能用MOS＝31A-(32F+33G)??得到，在圖17(b)的場合使用[HT4，5]MOS＝[WB](31B1+31B2+31C1+31C2+31D1+31D2+31E1+31E2)/＝[DW]-(32F+33G)[HT]???得到。進而，在圖18所示的其它實施例中，在與前述圖13的實施例相同地構成非常光接收光元件群的一方32的同時，由單體接收光元件片31F、33G構成尋常光接收光元件群31和非常光接收光元件群的另一方33。并且，在圖18(a)的實施例中，在接收光元件片31F、33G上，照射由全息圖元件12的非衍射光(0次光)產生的一個光點，同時，在圖18(b)的實施例中，在接收光元件片31F、33G上，照射由全息圖元件12產生的0次光和±1次光的全部五個光點。在這種實施例中，聚焦控制信號(FES)能用FES＝(32B2+32C1+31D1+31E2)-(32B1+32C2+32D2+32E1)??得到。跟蹤控制信號(TES)能用[HT4，5]TES＝(32B1+32B2+32D1+32D2)-(32C1+32C2+32B1+32B2)[HT]??或者TES＝(32B1+32B2)-(32C1+32C2)??或者TES＝(32D1+32D2)-(32B1+32B2)??得到。光磁信號(MOS)在圖(a)中能用MOS＝31F-(32A+33G)??得到，在圖(b)中能用[HT4，5]MOS＝[WB](31F)/＝[DW]-(32A+32B1+32B2+32C1+32C2+32D1+32D2+32E1+32E2+33G)[HT]??得到。另一方面，在圖19所示的再一其它實施例中，由兩個三分割化接收光元件片31H、31J構成尋常光接收光元件群31中的接收由全息圖元件12產生的±1次光的元件片，同時，由單體接收光元件片32F、33G分別構成非常光接收光元件群32、33。并且，在該實施例中，在接收光元件片32F、33G上，照射由全息圖元件12的非衍射光(0次光)產生的一個光點。在這種實施例中，聚焦控制信號(FES)能用FES＝(31H1+31H2+31I0)-(31I1+31I2+31H0)??得到。跟蹤控制信號(TES)能用TES＝(31I1+31I2+31I0)-(31H1+31H2+31H0)??得到。光磁信號(MOS)能用MOS＝31A-(32F+33G)??得到。即使是圖17至圖19所示的結構，也能得到與前述圖13所示實施例相同的效果。此外，偏光分離元件的光學軸，雖然能與光柵方向無關地進行配置，但如果從盤返回光與光軸旋轉構成45°，則能差動檢測光磁信號且能進行穩定的檢測。又，在前述實施例中，雖然用全息圖元件作為衍射光柵，但同樣地也能用具有在記錄道方向衍射功能的全息圖。