[發明專利]構成半導體器件柵極的方法無效
| 申請號： | 95115891.0 | 申請日： | 1995-08-18 |
| 公開（公告）號： | CN1123465A | 公開（公告）日： | 1996-05-29 |
| 發明（設計）人： | 白忠烈 | 申請（專利權）人： | 三星電子株式會社 |
| 主分類號： | H01L21/28 | 分類號： | H01L21/28;H01L21/283 |
| 代理公司： | 中國專利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 吳大建 |
| 地址： | 韓國京畿*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 構成 半導體器件 柵極 方法 | ||
1.一種制造半導體器件氮化鈦(TiN)柵極的方法，包括以下步驟：
(a)在半導體基片上形成一個柵極隔離層；
(b)在不低于200℃不大于800℃的溫度下以濺射方法在所述柵極隔離層表面上形成TiN層。
2.如權利要求1的所述一種制造半導體器件TiN柵極的方法，其中所述的步驟(b)進一步包括以下步驟：????
以濺射方法在不低于200℃不大于800℃的溫度下以第一生成率在所述柵極隔離層上形成第一TiN層；以及
以濺射方法在不低于200℃不大于800℃的溫度下以第二生成率在第一TiN層上形成第二TiN層。
3.如權利要求2所述的一種制造半導體器件TiN柵極的方法，其中所述的第二生成率高于第一生成率。
4.如權利要求2所述的一種制造半導體器件TiN柵極的方法，其中所述的第一TiN層在氮氣氣氛中沉積，所述第二TiN層在氬氣和氮氣混合氣氛中沉積。
5.如權利要求2所述的一種制造半導體器件TiN柵極的方法，其中，沉積所述第二TiN層以后，具有較低電阻率的金屬材料進一步地形成在其上，由此形成一個包括所述第一和第二TiN層以及所述金屬材料的柵極。
6.如權利要求5所述的一種制造半導體器件TiN柵極的方法，其中所述金屬材料是選自鎢(W)、硅化鎢(WSiX)和銅(Cu)中的一種。
7.如權利要求1-6中任一權利要求所述的一種制造半導體器件TiN柵極的方法，其中所述的濺射是優選在溫度為600℃下進行的。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
