[發明專利]半導體晶片結合方法無效
| 申請號： | 94117539.1 | 申請日： | 1994-10-28 |
| 公開（公告）號： | CN1067805C | 公開（公告）日： | 2001-06-27 |
| 發明（設計）人： | 黃國欣;陳澤澎 | 申請（專利權）人： | 黃國欣 |
| 主分類號： | H01L33/00 | 分類號： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 清華大學專利事務所 | 代理人： | 廖元秋 |
| 地址： | 臺灣省新竹市東*** | 國省代碼： | 臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 晶片 結合 方法 | ||
【權利要求書】：
1、一種半導體晶片結合方法，其特征在于包含有如下步驟：
c、準備第一個含GaAs半導體元件的晶片；
d、準備第二個透光GaP半導體基片；
c、在該第一個含GaAs半導體元件的晶片或第二個透光GaP半導體基片上形成一層氧化銦錫(ITO)/氧化鎘錫(CTO)透光導電薄膜；
d、再將該第二個透光GaP半導體基片與第一個含GaAs半導體元件的晶片緊夾，使所說的氧化銦錫/氧化銦鎘透光導電薄膜介于第二個透光GaP半導體基片與第一個含GaAs半導體元件的晶片之間；
e、將緊夾的兩晶片置于約500℃～700℃高溫爐中加熱約一小時，即可完成晶片的結合。
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