[發明專利]人造金剛石薄膜快速生長的方法

無效

• 申請號: 94105416.0
• 申請日: 1994-07-15
• 公開（公告）號: CN1106470A
• 公開（公告）日: 1995-08-09
• 發明（設計）人: 鄭魯生;馬元霞;朱紀伍
• 申請（專利權）人: 鄭魯生;馬元震;朱紀伍
• 主分類號: C23C16/26
• 分類號: C23C16/26;C23C16/50
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1、一種人造金剛石薄膜快速生長方法，系將經過表面處理的金屬工件，通過微波等離子體放電裝置進行化學氣相沉積人造金剛石的方法，其特征在于金屬材料鉬、鈦工件，用金剛石微粉打磨其表面清除油污，然后涂覆有催化劑與金剛石微粉混合在一起的涂覆料，放入微波等離子體合成的金剛石薄膜機的真空反應區內，抽真空至真空度達Pa^-1后，先充入氫氣，再通入甲烷氣或碳氫化合物，打開微波電源加熱，溫度不高于1050℃，反應1小時，放入反應室的工件表面熱沉上1.5mm/h厚的人造金剛石薄膜。

2、如權利要求1所述的方法，其特征在于所述的催化劑為甲苯與聚乙烯的混合溶劑，其比例為甲苯7～9.5，聚乙烯3～0.5。

3、如權利要求1所述的方法，其特征在于所述的涂覆料系將金剛石微粉放入催化劑內攪拌調制成糊狀，其比例：甲苯、聚乙烯、金剛石微粉為7～9.5∶0.5～3∶1～4，金剛石微粉的粒度＜1.5μm。

4、如權利要求1所述的方法，其特征在于反應區抽真空至Pa^-1后，先通入氫氣，后充甲烷氣或碳氫化合物，比例為99～99.8∶1～0.2。

5、如權利要求1所述的方法，其特征在于通入氣體后，反應區的壓力為0.3Pa，工件表面溫度700～1050℃，最佳溫度為700℃，混合氣流量為0.3～0.5m³/分。