[發(fā)明專利]一種用混合技術(shù)制作X光光刻掩模的方法

無效

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• 申請日: 1994-04-19
• 公開（公告）號: CN1110793A
• 公開（公告）日: 1995-10-25
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 高士平;孫寶銀;程秀玲
• 申請（專利權(quán)）人: 中國科學(xué)院微電子中心
• 主分類號: G03F7/00
• 分類號: G03F7/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1、一種用混合技術(shù)制作X光光刻掩模的方法，其特征在于，在制備合格的X光和光學(xué)透明支撐膜及導(dǎo)電層基片上，制作三層結(jié)構(gòu)，通過用按一定規(guī)則特殊設(shè)計的掩模版，進行常規(guī)光刻和垂直定向刻蝕，采用常規(guī)電鍍和在圖形垂直側(cè)面覆蓋金膜相結(jié)合的混合技術(shù)，制備含有深亞微米線寬金吸收體圖形X光光刻掩模版；主要步驟是：a、特殊設(shè)計和制作常規(guī)光刻掩模版，使用1-2塊主掩模版，其圖形設(shè)計原則是，對于如互連線、引線點、對準(zhǔn)標(biāo)記等常規(guī)光刻分辨率范圍以內(nèi)的粗線條圖形，其尺寸和位置按實際使用的需要設(shè)計，對于深亞微米圖形，把它設(shè)計成在一種特殊設(shè)計的常規(guī)光刻分辨率范圍內(nèi)的附加圖形的邊界上，另外再設(shè)計必要的附加掩模版；b、在基片上制備合格的X光和光學(xué)透明支撐膜及背面腐蝕保護膜窗口；c、在支撐膜上制備過渡金屬層和導(dǎo)電底金層，并在其上制備有機底膜層，無機中間層和光刻膠頂層的三層結(jié)構(gòu)；d、在頂膠層上，用含粗圖形的主掩模版光刻出窗口圖形，并用選擇性垂直定向刻蝕方法轉(zhuǎn)化為具有垂直側(cè)面底層有機膜圖形，用常規(guī)電鍍方法，在窗口上電鍍厚0.7μm以上的金層；e、在基片上用含特殊設(shè)計附加圖形掩模版，套準(zhǔn)和光刻出窗口圖形，并用選擇性垂直定向刻蝕方法，轉(zhuǎn)化為具有垂直側(cè)面底層有機膜圖形，并且在圖形側(cè)面覆蓋一層等于所需深亞微米圖形寬度的金膜；f、用附加掩模版，套準(zhǔn)和光刻出無用的側(cè)面覆蓋金膜窗口，用濕法除去這部分覆蓋膜；g、用干法或濕除去基片上保留的無機中間層和有機底膜層，用離子束刻蝕除去圖形外底金導(dǎo)電層和過渡金屬層，得到了由常規(guī)電鍍粗線條和保留下來側(cè)面金覆蓋膜構(gòu)成深亞微米金吸收體圖形；h、對基片背面窗口進行腐蝕，除去基片材料，制成由支撐膜和金吸收體圖形構(gòu)成的X光光刻掩模版。

2、根據(jù)權(quán)利要求1的一種用混合技術(shù)制作X光光刻掩模的方法，其中所述制作的掩模為柵極線寬為深亞微米的MOS、MESFET、HEMT等場效應(yīng)器件，以及發(fā)射極線寬為深亞微米的雙極型器件的X光光刻掩模。

3、根據(jù)權(quán)利要求1的一種用混合技術(shù)制作X光光刻掩模的方法，其中所述的側(cè)面金覆蓋膜，是在對底金層進行反應(yīng)離子過刻或離子束濺射出的金原子附著在有機底膜層圖形側(cè)面形成導(dǎo)電層，再在圖形側(cè)面電鍍一層薄金層得到的。

4、根據(jù)權(quán)利要求1的一種用混合技術(shù)制作X光光刻掩模的方法，其中所述的側(cè)面金覆蓋膜的無用部分，通過套準(zhǔn)光刻窗口，用碘和碘化鉀溶液除去。

5、根據(jù)權(quán)利要求1的一種用混合技術(shù)制作X光光刻掩模的方法，其中所述制作的深亞微米金吸收體圖形線寬為0.1-0.5μm，高為0.6μm以上。

6、根據(jù)權(quán)利要求1的一種用混合技術(shù)制作X光光刻掩模的方法，其中所述的金吸收體圖形，在其背面材料腐蝕前，在基片上覆蓋一層Si₃N₄，SiO₂等抗堿腐蝕透明薄膜，以便增加吸收體圖形的機械強度。