[發明專利]半導體器件的加速老化的檢測系統和方法

無效

• 申請號: 93114427.2
• 申請日: 1993-10-13
• 公開（公告）號: CN1046350C
• 公開（公告）日: 1999-11-10
• 發明（設計）人: 約翰·Ａ·愛德蒙;道格拉斯·Ａ·阿司布利;卡溫·Ｈ·卡特;道格拉斯·Ｇ·華爾茲
• 申請（專利權）人: 克里研究公司
• 主分類號: G01R31/36
• 分類號: G01R31/36
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所
• 代理人: 陳申賢

1．一種檢測半導體器件的方法，包括下列步驟：

在少于15秒的時間內，對被測半導體器件通以預定的、高于其平均工作電平的電流脈沖，以使有缺陷的被測器件老化，無缺陷的被測器件穩定，以及

在通過電流脈沖之后，測量半導體器件的預定電學或光學工作特性。

2．根據權利要求1的檢測半導體器件的方法，其特征在于，進一步包括：在給半導體器件通以預定電平電流脈沖步驟之前，對半導體器件的預定電學工作特性進行初始測量的步驟。

3．根據權利要求1的檢測半導體器件的方法，其特征在于，其中的測量預定的電學特性的步驟是在給器件通以電流脈沖當中實施的。

4．根據權利要求2的檢測半導體器件方法，其特征在于，其中的初始測量預定的電學或光學工作特性的步驟，包括選自下列特性構成的組的測量：正向電壓、反向電壓、正向電流、反向電流、色調、色調老化、光輸出功率、光輸出功率老化、發光強度、發光強度老化、發光系數、顏色、顏色老化、峰值色波長、主色波長、響應速度、電容、熱阻、耗散功率及它們結合。

5．根據權利要求1的檢測半導體器件的方法，其特征在于，其中的預定的電流脈沖的電流密度范圍從1666-5000A/cm²。

6．根據權利要求1的檢測半導體器件的方法，其特征在于，其中的預定的電流脈沖的電流密度大約為3333A/cm²。

7．根據權利要求1的檢測半導體器件的方法，其特征在于，其中的半導體器件是由Sic制成的。

8．根據權利要求1的檢測半導體器件的方法，其特征在于，其中的半導體器件是由Sic制成的發藍光的二極管。

9．根據權利要求1的檢測半導體器件的方法，其特征在于，還包括為檢測中的半導體器件繪制電學工作特性圖的步驟。

10．一種檢測發光二極管的方法，包括下列步驟：

在少于15秒的時間內，對被測發光二極管通以預定的、高于其平均工作電平的電流脈沖，以使有缺陷的被測發光二極管老化，無缺陷的被測發光二極管穩定，以及

在通過電流脈沖之后，測量發光二極管的預定電學或光學工作特性。

11．根據權利要求10的檢測發光二極管的方法，其特征在于，其步驟還包括，在給發光二極管通以預定電平的脈沖電流之前，對發光二極管的預定的電學或光學工作特性的初始測量。

12．根據權利要求10的檢測發光二極管的方法，其特征在于，其中的測量預定的電學或光學工作特性步驟是在加電流脈沖當中實施的。

13．根據權利要求11的檢測發光二極管的方法，其特征在于，在初始測量步驟之前，把發光二極管片子固定在一個探頭機構上，以便一個一個地測量片子上每個發光二極管的電學或光學工作特性。

14．根據權利要求10的檢測發光二極管的方法，其特征在于，其步驟還包括：報廢不滿足加電流脈沖之際測量的預定的電學或光學工作特性的片子上的發光二極管。

15．根據權利要求12的檢測發光二極管的方法，其特征在于，其步驟還包括：如果片子上的發光二極管不滿足在加電流脈沖之際測量的預定的電學工作特性，給該管用墨打上標記。

16．根據權利要求11的檢測發光二極管的方法，其特征在于，其中的預定電學或光學工作特性的初始測量步驟包括對一些選自由正向電壓、反向電壓、正向電流、反向電流、色調、色調老化、光輸出功率、光輸出功率老化、發光強度、發光強度老化、發光系數、顏色、顏色老化、峰值色波長、主色波長、響應速度、電路、熱阻、耗散功率，以及它們的組合構成的組中的特性的測量。

17．根據權利要求10的檢測發光二極管的方法，其特征在于，其中的發光二極管是由Sic制成的。

18．根據權利要求10的檢測發光二極管的方法，其特征在于，其中的發光二極管是由Sic制成的發藍光的二極管。

19．根據權利要求10的檢測發光二極管的方法，其特征在于，其中的電流脈沖的預定電流密度的范圍從1666-5000A/cm²。