[發(fā)明專利]含有可與金屬陽離子相容的二氧化硅的牙膏組合物

無效

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• 申請日: 1990-05-03
• 公開（公告）號: CN1043845C
• 公開（公告）日: 1999-06-30
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 杰克斯·皮塞羅
• 申請（專利權(quán)）人: 羅納·普朗克化學(xué)公司
• 主分類號: A61K7/16
• 分類號: A61K7/16;A61K7/18;C01B33/12
• 代理公司: 中國國際貿(mào)易促進(jìn)委員會專利商標(biāo)事務(wù)所
• 代理人: 吳大建

本發(fā)明涉及含有可與金屬陽離子相容的牙膏組合物。

已知二氧化硅常用于制取牙膏組合物。此外，二氧化硅還有許多別的用途。

首先，可作為磨蝕劑，因其機械作用而有助于去除牙斑。還可作為增稠劑而使牙膏達(dá)到一定的流變性，也可作為增白劑以使其達(dá)到要求的顏色。

此外，還已知牙膏常含氟源，最常用的是氟化鈉或-氟磷酸鹽，用作防齲齒劑；粘合劑，如藻膠如角叉菜膠，瓜耳膠或噸膠；清涼劑。可為多元醇，如丙三醇。山梨(糖)醇，木糖醇和丙二醇。還可包括必要的其它成分，如表面活性劑，去除牙斑或牙垢的制劑，調(diào)味品；色素和顏料等……。

牙膏組合物中可存在一定量的金屬陽離子。例如，可舉出堿土金屬陽離子，如鈣、鍶、欽、3a族陽離子、鋁、錮、4a族陽離子、鍺、錫、鉛和8族陽離子：錳、鐵、鎳、鋅、鈦、鋯、鈀、等……。

這些陽離子呈無機鹽狀態(tài)，如氯化物。氟化物。硝酸鹽，磷酸鹽硫酸鹽或呈有機鹽狀態(tài)。如乙酸鹽，檸檬酸鹽等……。

更具體的例子可舉出硫酸鋅、擰檬酸鋅、氯化鍶，氟化錫，為簡單鹽(S_nF_a)或復(fù)鹽(S_nF₂KF)，氯氟化亞踢，氟化鋅(ZnF₂)。

含這些金屬陽離子的制劑的存在會引起其與二氧化硅的相容性問題。實際上，由于其吸附能力，二氧化硅可能會與這類制劑反應(yīng)而使這些制劑不能發(fā)揮其應(yīng)有的作用。

在法國專利申請№87/15276中，說明了可與鋅相容的二氧化硅。不過，所說二氧化硅與其它金屬陽離子，如錫、鍶等……就沒有足夠的相容性。

因此，本發(fā)明目的是提出可與鋅和上述其它金屬陽離子相容的新二氧化硅。

本發(fā)明另一目的是提出同樣可與氟陰離子相容的二氧化硅。實際上，與金屬陽離子的相容性的提高會降低與氟陰離子的相容性。因此，提出的二氧化硅能與各種牙膏組合物中的氟陰離子相容這一點很重要。

最后，本發(fā)明再一目的是提出這種相容二氧化硅的制法。

在這方面。申請人已發(fā)現(xiàn)。要求的相容性基本上與所用二氧化硅表面的化學(xué)狀態(tài)有關(guān)。申請人已確定了二氧化硅表面上達(dá)到的相容性的一系列條件。

因此，本發(fā)明可特別用于牙膏組合物的二氧化硅特征是表面化學(xué)狀態(tài)定為以O(shè)H^-/nm²表示的OH^-數(shù)小于或等于10，其零電荷點(PZC)為3-6.5并且可制成水懸浮液，其pH值與電導(dǎo)率有關(guān)，如下式(Ⅰ)

???????????pH=b-alog(D)????(Ⅰ)式(Ⅰ)中：

a為低于或等于0.6的常數(shù)，

b為低于或等于8.5的常數(shù)，

(D)為二氧化硅水懸浮液的電導(dǎo)率，為mS.cm^-1。

本發(fā)明二氧化硅的另一特征是與選自元素周期表中2a、3a，4a和8族的至少一種二價或以上價金屬陽離子的相容性為至少30％，特別是至少50％，優(yōu)選為至少80％。

本發(fā)明還提出本發(fā)明二氧化硅的制法。其特征是將硅酸鹽與可形成二氧化硅懸浮液或凝膠的酸反應(yīng)，于大于或等于6并小于或等于8.5的pH值下進(jìn)行第一階段熟化后于低于或等于5.0的pH下進(jìn)行第二階段熟化；分出二氧化硅；將其進(jìn)行熱水洗滌直至形成以20％SiO₂懸浮液測定的pH如下式的懸浮液：

pH=d-clog(D)????(Ⅱ)式(Ⅱ)中：

c為低于或等于1.0常數(shù)，

d為低于或等于8.5的常數(shù)，

(D)為二氧化硅水懸浮液的導(dǎo)電率，為mS.cm^-1；最后進(jìn)行干燥。

此外，本發(fā)明還涉及牙膏組合物，其特征是其中含上述或按上述方法制成的二氧化硅。

本發(fā)明其它特征和優(yōu)點見于以下詳述和非限制性具體實例。

如上所述，本發(fā)明二氧化硅的基本特征是其表面化學(xué)狀況。更具體地講，其表面化學(xué)狀態(tài)的一個方面就是其酸性。這方面，本發(fā)明二氧化硅特征之一體現(xiàn)在表面酸性部位的數(shù)量上。

該數(shù)值以O(shè)H^-基或硅烷醇數(shù)/nm²計。實際上，可按以下方法測定。

該值的測定方法如下：表面OH^-部位數(shù)類似于190-900℃下二氧化硅釋放出的水量。

二氧化硅樣品先于105℃下干燥2小時。