[發明專利]多層膜材料體系

無效

• 申請號: 92115102.0
• 申請日: 1992-12-24
• 公開（公告）號: CN1098522C
• 公開（公告）日: 2003-01-08
• 發明（設計）人: Ｊ·米勒;Ｄ·Ｐ·Ａ·皮爾遜;Ｐ·Ｇ·皮徹
• 申請（專利權）人: 約翰遜馬西有限公司
• 主分類號: G11B11/10
• 分類號: G11B11/10;H01F41/18
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司
• 代理人: 吳增勇,肖掬昌

1.一種濺射的Pt/Co多層膜材料體系，該體系具有0.1或更大的極性克耳旋轉度，一方形極性克耳磁滯回線，和1000Oe以上的室溫矯頑力，該體系包括一基片材料，包含由選自Pt，Pd，Co，Au和Ag構成的組中的一種金屬形成的金屬夾層，所述金屬夾層的淀積厚度小于或等于200。

2.根據權利要求1的一種濺射的Pt/Co多層膜材料體系，其中所述材料體系具有超過3000Oe的矯頑力。

3.根據權利要求1的一種濺射的Pt/CO多層膜材料體系，其中所述材料體系具有超過4000Oe的矯頑力。

4.根據權利要求1的一種濺射的Pt/Co多層膜材料體系，其中所述材料體系具有超過5000Oe的矯頑力。

5.根據權利要求1的一種濺射的一種濺射的Pt/Co多層膜材料體系，其中所述金屬夾層由Pt構成，且淀積厚度小于或等于100。

6.根據權利要求1至5中任一種濺射的Pt/Co多層膜材料體系，其中金屬夾層為高達50的淀積狀態厚度。

7.根據權利要求6的一種濺射Pt/Co多層膜材料體系，其中金屬夾層為5-20的淀積狀態厚度。

8.根據權利要求1的一種濺射Pt/Co多層膜材料體系，其中基片材料包括玻璃。

9.根據權利要求1的一種濺射Pt/Co多層膜材料體系，其中在基片材料上淀積有一層光學增強材料。

10.根據權利要求9的一種濺射Pt/Co多層膜材料體系，其中基片材料上淀積有一種包括硅或氮化硅的光學增強材料。

11.根據權利要求1的一種濺射Pt/Co多層膜材料體系，其中每層鈷有小于或等于12的厚度，每層鉑具有小于或等于24的厚度。

12.根據權利要求1的一種濺射Pt/Co多層膜材料體系，其中每一鈷層有2-5厚度，每一鉑層具有6-15厚度。

13.根據權利要求1的一種濺射Pt/Co多層膜材料體系，其中多層膜總厚度小于500。

14.包含權利要求1-13中任一權利要求的濺射Pt/Co多層膜材料體系的磁光盤。

15.一種用于制作權利要求1所述的Pt/Co多層膜材料體系的方法，該方法包括以下步驟：

(i)將金屬夾層濺射淀積到基片材料上，和

(ii)將金屬多層膜濺射淀積到該夾層上，在此步驟中至少基片和金屬夾層之一承受包含高能粒子轟擊的高溫處理。

16.根據權利要求15的方法，其中基片材料和金屬夾層兩者均經受所述高溫處理。

17.權利要求15或16的方法，其中所述多層膜的濺射淀積包括由到達能較低的粒子對該夾層進行轟擊的步驟。

18.根據權利要求15或16的方法，其中對金屬夾層的濺射淀積是在選自Ar、Kr和Xe組中之一種氣體中進行的。

19.根據權利要求18的方法，其中對金屬夾層的濺射淀積是在Ar氣中實現的。

20.根據權利要求15或16方法，其中對金屬的金屬夾層的濺射率是小于或等于100/S。

21.根據權利要求20的方法，其中對金屬的金屬夾層的額定濺射率小于或等于10/S。

22.根據權利要求15或16的方法，其中多層膜的濺射淀積是在選自Ar、Kr和Xe組的一種或多種氣體混合物中進行的。

23.根據權利要求22的方法，其中多層膜的濺射淀積是Ar中實現的。

24.根據權利要求15或16的方法，其中金屬的多層膜的濺射率高達20/S。

25.根據權利要求15或16的方法，還包括一個對多層膜淀積后的熱處理步驟。

26.根據權利要求25的過程，其中所述熱處理步驟是在有氧氣氛中實現的。

27.根據權利要求15或16的方法，其中金屬多層膜包括鉑和鈷。

28.根據權利要求15或16方法，其中金屬多層膜包括鈀和鈷。