[發明專利]提高硅高壓平面器件擊穿電壓的良品率的方法

無效

• 申請號: 92100068.5
• 申請日: 1992-01-14
• 公開（公告）號: CN1025467C
• 公開（公告）日: 1994-07-13
• 發明（設計）人: 羅梅村;趙時化
• 申請（專利權）人: 中國科學院微電子中心
• 主分類號: H01L21/306
• 分類號: H01L21/306;H01L21/308
• 代理公司: 中國科學院專利事務所
• 代理人: 戎志敏

1、一種提高硅高壓平面器件擊穿電壓的良品率的方法其特征是：

當芯片加工的高溫工藝完成后，將終端區的硅表面裸露；用化學清洗的方法對裸露的硅表面進行腐蝕剝離，腐蝕剝離液的體積比組成是：

HNO₃為50-80

HAC為1-25

HF為1-5

腐蝕剝離時間為4-15分鐘，腐蝕溫度為5°-25℃；清洗腐蝕剝離后，再在表面生長一層適當的鈍化層。

2、按權利要求1所述的方法其特征是用光刻腐蝕的方法將終端區的硅表面裸露。

3、按權利要求1所述的方法其特征是硅表面終端裸露區以外的有源區用光刻膠或二氧化硅保護。

4、按權利要求3所述的方法其特征是用氟化及轟擊對光刻膠進行處理。