[發明專利]液晶器件基片的制備方法

無效

• 申請號: 90102570.4
• 申請日: 1987-08-07
• 公開（公告）號: CN1015940B
• 公開（公告）日: 1992-03-18
• 發明（設計）人: 山崎舜平;間瀨晃;坂寄寬幸
• 申請（專利權）人: 株式會社半導體能源研究所
• 主分類號: G02F1/13
• 分類號: G02F1/13;G02F1/1343
• 代理公司: 中國專利代理有限公司
• 代理人: 張志醒

本發明涉及一種液晶器件基片的制備方法。

液晶器件已作為顯示器件而用于微型計算機、文字處理機和電視機等之中，這種顯示器包括有一對基片，在二基片之間有液晶層，和用以向液晶層施加一電場的電極裝置。電極裝置被分成多個部分，這些部分形成顯示器的象素。當適當的電壓加在電極的某一特定部分時，液晶層的相應部分就受到一個電場的作用;換句話說，相對于電場的方向而言，或者不論是否施加電壓，液晶將改變其光學特性，而后顯示出圖象或字符。

電極裝置，舉例說，包括多個設置在一基片內側的X方向上的第一電極條，和設置在另一基片的相對內側的Y方向上的多個第二電極條。這些電極條用掩模光致抗蝕劑通過印刷方法形成。即使電極的式樣是比較簡單的，光刻也必須特別精密地進行。因為這種印刷加工方法需要許多步驟，終于造成這種液晶顯示器的價格上漲。

為了克服通常所存在的缺點，本申請人提出了一種改進的加工方法，在這種加工方法中，具有線狀橫截面的激光束照射制備在一基片表面上的除了其周緣外的透明導電薄膜上，然后利用蒸發除去該導電薄膜已受照射的線狀部分，這樣留下的導電薄膜就形成了電極或引線。用這種加工方法，省去了一個涂膜步驟，一個預烘干步驟，一個曝光步驟，一個顯影步驟，一個后烘干步驟，一個蝕刻步驟和一個去除涂復的光致抗蝕劑的步驟。

根據現有技術，在為印刷電路板上的外部軟性接頭制備一連接區域的同時總是須要以特別高的精密度匹配一對基片和形成電極襯墊。由于這個原因，如圖1的9所示，必須在鄰近一面板的密封樹脂層處設置一專門的邊沿空白區。

圖1示出現有技術的液晶顯示器10的構型的橫截面圖。該液晶器件設置有多個沿與畫面垂直的方向縱向伸長的第一電極條2′，和多個橫向伸長的第二電極條2，以液晶層5設置在一對基片1與1′之間。在電極2及2′與密封部件6之間，設有一個邊沿空白區9，這樣設計使得密封部件6不會延伸到電極條2和2′處。如果密封部件6部分地遮掩電極條，那么液晶就要從面板的相應部分被擠走，因此相應的顯示部分就不能夠工作。邊沿空白區9的寬度為例如3至5毫米。但該邊沿空白區在制成的產品中并沒有什么作用，反而與液晶板的凈顯示區域相比較，該邊沿空白區使顯示器的尺寸增大。

此外，在這種軟性的電極電路里，電極條設置成相互之間的距離僅約為幾百微米，因此需要特別仔細和很高的技術來匹配基片。這使造價由于降低了產量而變為昂貴。

因此，本發明的一個目的是提供一種液晶器件基片的制備方法。

本發明的另一個目的是提供一種具有較大有效區域的液晶器件。

本發明的再一個目的是提供一種小型的液晶器件。

本發明還有一個目的是提供一種容易制造的液晶器件。

圖1示出一個現有技術液晶器件結構的橫截面圖。

圖2所示是根據本發明的液晶器件的制造過程的方框圖。

圖3（A）至3（E）是表示激光束的橫截面的說明圖。

圖4A至4D所示是根據本發明的液晶顯示器的部分圖。

現參照圖2，說明根據本發明的光路裝置的模型圖。一基片，例如是玻璃基片，帶有例如由二氧化錫（Eg.＝3.5電子伏）制成的待加工處理的透明導電薄膜，該導電薄膜裝在基底19上。相對于基片1，在基本上垂直于基片待加工的表面的一直線上設置一光學系統。用波長為248毫微米、光子能量為5.0電子伏特的激光束照射該基片。這一激光束是從一個使用氟化氪的準分子激光器17（eximer????laser，由Questec公司銷售）發射出來，由擴束器16在一個方向上加以擴展，并經過由人造石英制成的凸柱面透鏡14加以收縮，再通過掩模13成形。該激光束從準分子激光器發射出來時一般具有矩形橫截面，假定效率是3%，從激光器17發射出來的激光束是350毫焦耳/秒。掩模是由石英方格玻璃制成，其內部表面部分地設置有遮蔽材料13′以形成一縫隙，使激光束通過該縫隙而成形。遮蔽材料最好是耐熱材料，例如鉻、二硅化鉬（MoSi）或類似的材料。開始產生的激光束的截面積是16毫微米×300毫微米，然后在凸透鏡14上被擴展到16毫米×300毫米。激光束在凸透鏡14上的功率密度是7.3×10毫焦耳/平方毫米。因為光的能級距離是5.0電子伏特，故透明薄膜能有效地吸收光子能量，也能被有選擇地除去。