[其他]一種中低阻直拉硅單晶的制備方法無效

申請號：	88102558	申請日：	1988-05-03
公開（公告）號：	CN1004889B	公開（公告）日：	1989-07-26
發明（設計）人：	李立本;闕端麟	申請（專利權）人：	浙江大學
主分類號：		分類號：
代理公司：	浙江大學專利代理事務所	代理人：	連壽金
地址：	浙江省杭***	國省代碼：	浙江;33
權利要求書：	查看更多	說明書：	查看更多
摘要：
搜索關鍵詞：	一種中低阻直拉硅單晶制備方法
鉆瓜網技術展會專利詞庫專利權人專利榜在售專利公布日期熱門專利

【權利要求書】：

1、一種中低阻直拉硅單晶的制備方法，包括采用2″～4″直拉硅單晶的生長參數，晶體轉速12～45轉/分，坩堝轉速5～20轉/分，拉晶速度0.6～1.5毫米/分，以純度為99.99%的氮、氬或氮-氬混合氣作為保護氣體，爐內氣體壓力為10～50托，氣體流量為1.5～6m²/hr，其特征在于同時采用硅磷合金和硅銻合金為摻雜劑，制備電阻率為0.5～90Ω·cmN型直拉硅單晶。

2、根據權利要求1所述的方法，其特征在于所述的硅磷合金和硅銻合金摻雜劑的雜質濃度為10¹⁸～10²⁰原子/立方厘米數量級。

3、根據權利要求1或2所述的方法，其特征在于制備電阻率為0.5～10Ω·cm硅單晶，采用摻雜劑的雜質濃度為～10²⁰cm^-3;制備電阻率為10～50Ω·cm硅單晶，采用摻雜劑的雜質濃度為～10¹⁹cm^-3;制備電阻率為50～90Ω·cm硅單晶采用摻雜劑的雜質濃度為～10¹⁸cm^-3。

下載完整專利技術內容需要扣除積分，VIP會員可以免費下載。

免登錄下載普通用戶下載升級VIP會員，免費下載

該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于浙江大學，未經浙江大學許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】

本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/88102558/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。