[其他]超導(dǎo)陶瓷圖案及其制造方法無效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 88102320 | 申請(qǐng)日: | 1988-04-15 |
| 公開(公告)號(hào): | CN88102320A | 公開(公告)日: | 1988-11-02 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 山崎舜平 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 株式會(huì)社半導(dǎo)體能源研究所 |
| 主分類號(hào): | H01L39/00 | 分類號(hào): | H01L39/00;H01L39/24;H01L27/18;H01B12/00 |
| 代理公司: | 中國專利代理有限公司 | 代理人: | 何耀煌,肖掬昌 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 超導(dǎo) 陶瓷 圖案 及其 制造 方法 | ||
本發(fā)明涉及超導(dǎo)體領(lǐng)域,并且更具體地涉及超導(dǎo)陶瓷圖案及其制造方法。
通常使用Nb-Ge金屬材料(例如Nb3Ge)等作為超導(dǎo)材料。因?yàn)闉楂@得這種普通超導(dǎo)材料的超導(dǎo)性需要非常低的溫度,因而使其運(yùn)行費(fèi)用非常高,所以這類超導(dǎo)材料的應(yīng)用受到限制。
此外,近年來已經(jīng)知道一些呈現(xiàn)超導(dǎo)性能的陶瓷材料。但是,這些超導(dǎo)材料還僅僅是坯料形式,到目前為止仍未產(chǎn)生薄膜形式的這類超導(dǎo)材料。
另一方面,已經(jīng)知道一些半導(dǎo)體器件,它們?cè)谕换蟼溆写罅堪雽?dǎo)體集成電路元件。
近幾年來,發(fā)展具有高速操作能力的、越來越精細(xì)的半導(dǎo)體集成電路已經(jīng)成為一種必要的事。除了這種精細(xì)度之外,由于半導(dǎo)體元件中所產(chǎn)生的熱而使可靠性降低、以及在發(fā)熱部件中操作速度的降低也已經(jīng)成為問題。因此,已經(jīng)迫切地需要獲得一種利用超導(dǎo)陶瓷的改進(jìn)結(jié)構(gòu)。
因此,本發(fā)明的一個(gè)目的是提供一種含有若干低的臨界溫度區(qū)域的超導(dǎo)圖案。
本發(fā)明的另一個(gè)目的是提供一種選擇性地降低超導(dǎo)氧化物陶瓷的某些規(guī)定部分的臨界溫度的方法。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面,利用了超導(dǎo)氧化物陶瓷的獨(dú)特的特性。本發(fā)明人已通過實(shí)驗(yàn)證明:可以用摻雜的方法來控制超導(dǎo)陶瓷的Tco(在此溫度下電阻消失),而其TcOnset(在此溫度下電阻率開始下降)幾乎保持不變。摻雜部分會(huì)具有比較寬的、在Tco和Tc????onset之間的轉(zhuǎn)變溫度范圍。即,可以把超導(dǎo)陶瓷薄膜的各規(guī)定部分變成一些低Tc區(qū),這些區(qū)域在未摻雜部分的Tco下能夠起電阻或有源區(qū)的作用。
在各種典型的情況中,可以根據(jù)本發(fā)明,按照理想配比式(A1-xBx)yCuzOW來制備所用的超導(dǎo)陶瓷,其中A是元素周期表中Ⅲa和Ⅴb族的一個(gè)或幾個(gè)元素、例如各稀土元素,B是元素周期表中Ⅱa族的一個(gè)或幾個(gè)元素,例如包括鈹和鎂的堿土金屬,并且x=0.1至1;y=2.0至4.0,最好是2.5至3.5;z=1.0至4.0,最好是1.5至3.5;以及w=4.0至10.0,最好是6.0至8.0。該普遍公式的若干例子是:
BiSrCaCu2-3O4-10
Y0.5Bi0.5Sr1Ca1Cu2-3O4-10
Y′Ba2Cu3O6-8
Bi,Sr,Mg0.5Ca0.5Cu2-3O4-10
Bi0.5Al0.5SrCaCu2-3O4-10
可以用電子束蒸發(fā),陰極真空噴鍍,光增強(qiáng)CVD,光增強(qiáng)PVD等等方法在某一表面上形成這些材料。
例如,用陰極真空噴鍍的方法在一絕緣表面上淀積0.1至30微米厚的超導(dǎo)陶瓷薄膜。用掩模通過光刻法除去該薄膜的規(guī)定部分,留下那些準(zhǔn)備作為各種有源元件(例如Josephson器件)和無源元件(例如電阻或接線)的剩余部分。從該超導(dǎo)陶瓷薄膜的、預(yù)定作為低Tc區(qū)的規(guī)定部分選擇性地去除該掩膜;穿過剩余掩膜、向所述超導(dǎo)陶瓷薄膜的離子注入對(duì)于產(chǎn)生低Tc區(qū)是有效的。離子注入之后,該超導(dǎo)薄膜經(jīng)過熱處理,以補(bǔ)償由于離子轟擊造成的晶體結(jié)構(gòu)的損壞。
圖1(A)至1(C)是說明本發(fā)明的第一實(shí)施例的制造方法的橫截面圖。
圖2是說明本發(fā)明的第二實(shí)施例的橫截面圖。
圖3是表示本發(fā)明的超導(dǎo)陶瓷的電阻率和溫度的關(guān)系的曲線圖。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L39-00 應(yīng)用超導(dǎo)電性的或高導(dǎo)電性的器件,專門適用于制造或處理這些器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L39-02 .零部件
H01L39-14 .永久超導(dǎo)體器件
H01L39-16 .在超導(dǎo)電和正常導(dǎo)電狀態(tài)之間可切換的器件
H01L39-22 .包含有一個(gè)不同材料結(jié)點(diǎn)的器件,例如約瑟夫遜效應(yīng)器件
H01L39-24 .專門適用于制造或處理包含在H01L 39/00組內(nèi)的器件或其部件的方法或設(shè)備
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