[其他]具有多層超導結構的電路及其制造方法

無效

• 申請號: 88102047
• 申請日: 1988-03-31
• 公開（公告）號: CN88102047A
• 公開（公告）日: 1988-10-19
• 發明（設計）人: 山崎舜平
• 申請（專利權）人: 株式會社半導體能源研究所
• 主分類號: H01L27/18
• 分類號: H01L27/18;H01L21/70
• 代理公司: 中國專利代理有限公司
• 代理人: 肖掬昌,肖春京

1、一種電路包括：一個襯底，在所述襯底上制備的超導陶瓷氧化物圖形和與所述超導圖形相接觸的非氧化膜。

2、權利要求1的電路，其中非氧化膜由耐熱絕緣材料制成。

3、權利要求2的電路，其中所述材料為氮化物。

4、權利要求2的電路，其中所述材料是氮化硅、氮化鋁或氮化鈦。

5、權利要求2的電路，其中所述材料為碳化物。

6、權利要求2的電路，其中所述材料為碳化硅或碳化鈦。

7、權利要求1的電路進一步包括一層氧化絕緣膜，在這層絕緣膜與所述超導圖形之間有一層非氧化膜，以防止氧化絕緣膜與超導圖形相接觸。

8、權利要求8的電路，其中所述襯底為半導體襯底，在襯底中至少形成一個半導體器件。

9、權利要求9的電路，其中所述圖形為超導連線。

10、權利要求1的電路，其中所述非氧化膜位于所述襯底與所述超導圖形之間。

11、權利要求1的電路，其中所述非氧化膜由以碳為主要成份的材料組成。

12、權利要求12的電路，其中所述碳為類金剛石結構碳。

13、權利要求12的電路，其中所述碳為金剛石。

14、權利要求12的電路，其中所述的碳含有氫。

15、權利要求12的電路，其中所述的碳含有不高于25原子%的鹵素。

16、權利要求12的電路，其中所述的碳含有不高于5原子%的氮。

17、權利要求12的電路，其中所述的碳含有不高于5原子%的三價或五價雜質。

18、權利要求1的電路，其中所述的圖形由按照化學式（A_1-xB_x）_yCu_zO_w所確定的超導陶瓷制成的，其中，A為從周期表Ⅲa族中選出的一種或多種元素，B為從周期表Ⅱa族中選出的一種或多種元素，X＝0～1;Y＝2.0～4.0;Z＝1.0～4.0;W＝4.0～10.0。

19、權利要求21的電路，其中所述的陶瓷定義為YBa₂Cu₃O_6-8。

20、權利要求1的電路，其中所述的圖形由按照化學式（A_1-xB_x）_yCu_zO_w所確定的超導陶瓷制成，其中，A為從周期表Ⅴb族中選出的一種或多種元素，例如Bi、Sb和AS，B為從周期表Ⅱa族中選出的一種或多種元素，X＝0.3～1;Y＝2.0～4;Z＝1.0～4.0;W＝4.0～10.0。

21、一種電路包括：一個襯底，在所述的襯底上制備的超導陶瓷氧化物圖形，形成與所述的超導圖形相接觸的非氧化膜，其特征在于：所述的絕緣膜由非氧化材料組成。

22、權利要求21的電路，其中所述的陶瓷定義為BiSrCaCuCu₂Ox，Bi₄Sr₃Ca₃Cu₄Ox，Bi₄Sr_yCa₃Cu₄Ox（Y約為1.5）Bi₄Sr₄Ca₂Cu₄Ox或Bi₂Sr₃Ca₂Cu₂Ox。

23、權利要求1的電路，其中所述的襯底為陶瓷襯底。

24、權利要求25的電路，其中所述的超導圖形直接在襯底上形成。

25、權利要求26的電路，其中所述的碳膜覆蓋住所述的超導圖形。