[其他]超導薄膜的制作方法

無效

• 申請號: 88102025
• 申請日: 1988-03-14
• 公開（公告）號: CN88102025A
• 公開（公告）日: 1988-10-26
• 發明（設計）人: 藤田順彥;藤森直治;系崎秀夫;田中三郎;原田敬三;上代哲治
• 申請（專利權）人: 住友電氣工業株式會社
• 主分類號: H01B12/06
• 分類號: H01B12/06;H01L39/12
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利代理部
• 代理人: 趙蓉民

1、一種超導薄膜的制作方法，其特征是使用一個由混合氧化物或復合氧化物制成的靶，所述氧化物含有鋇(Ba)、銅(Cu)和M，M是從釔(Y)、鑭(La)、釓(Gd)、鈥(Ho)、鉺(Er)、鐿(Yb)、組成的一組元素中選擇的一個元素，對該靶進行物理蒸鍍，形成一種鈣鈦礦型或準鈣鈦礦型的氧化物薄膜。

2、權利要求1所述的超導薄膜的制作方法，其特征是，上述靶含有鈣鈦礦型或準鈣鈦礦型氧化物。

3、權利要求1或權利要求2所述的超導薄膜的制作方法，其特征是，所述的靶是一種預燒結體，是將鋇的氧化物、碳酸鹽、硝酸鹽或者硫酸鹽，與從釔、鑭、釓、鈥、鉺、鐿組成的一組元素中選擇的一種元素M的氧化物，碳酸鹽、硝酸鹽或者硫酸鹽，以及與銅的氧化物，碳酸鹽、硝酸鹽或者硫酸鹽的粉末混合物在250～1200℃溫度下預燒結而成。

4、權利要求1或者權利要求2所述的超導薄膜的制作方法，其特征是，所述的靶是一種燒結體，是將鋇的氧化物、碳酸鹽、硝酸鹽或者硫酸鹽，與從釔、鑭、釓、鈥、鉺、鐿組成的一組元素中選擇的一種元素M的氧化物，碳酸鹽、硝酸鹽或者硫酸鹽，以及與銅的氧化物，碳酸鹽、硝酸鹽或者硫酸鹽的粉末混合物預燒結后，進一步在700～1500℃溫度下，最好是在700～1300℃溫度下燒結而成。

5、權利要求1至權利要求4中的任一權利要求所述的超導薄膜的制作方法，其特征是，所述的靶是一種由前述燒結或者前述預燒結而得的燒結粉末材料。

6、權利要求1至權利要求4中的任一權利要求所述的超導薄膜的制作方法，其特征是，所述的靶是一種由前述燒結或前述預燒結而得的燒結體塊。

7、權利要求1至權利要求6中的任一權利要求所述的超導薄膜的制作方法，其特征是所述靶是由多個靶組成的。

8、權利要求7所述的超導薄膜的制作方法，其特征是上述多個靶中的每個分別是由鋇的氧化物、從釔、鑭、釓、鈥、鉺、鐿組成的一組元素中選擇的一種元素M的氧化物及銅的氧化物組成。

9、權利要求7所述的超導薄膜的制作方法，其特征是，所述靶是由兩個靶組成，其中每一個均含有（Ba，M）O_x和CuO，（M表示從釔、鑭、釓、鈥、鉺、鐿組成的一組元素中選擇的一種元素;X代表1以上的實數）。

10、權利要求1至權利要求9中的任一權利要求所述的超導薄膜的制作方法，其特征是靶中的Ba/（Ba+M）原子比為0.04～0.97，其中M表示從釔、鑭、釓、鈥、鉺、鐿組成的一組元素中選出的一種元素。

11、權利要求1至權利要求9中的任一權利要求所述的超導薄膜的制作方法，其特征是靶中的Ba/（Ba+M）原子比為0.1～0.7，其中M表示從釔、鑭、釓、鈥、鉺、鐿組成的一組元素中選出的一個元素。

12、權利要求1至權利要求11中的任一權利要求所述的超導薄膜的制作方法，其特征是以所形成薄膜的Ba、M和Cu的原子比作為基準，按照Ba、M和Cu的蒸鍍效率，調整靶的Ba、M和Cu的原了比，其中M表示從釔、鑭、釓、鈥、鉺、鐿組成的一組元素中選出的一個元素。

13、權利要求1至權利要求12中的任一權利要求所述的超導薄膜的制作方法，其特征是，蒸鍍氣氛中含有氬（Ar）和氧（O₂）氬分壓范圍為1.0×10^-3至1×10^-1乇，最好在5.0×10^-3至1×10^-1乇的范圍內。

14、權利要求1至13中任一權利要求所述的超導體薄膜的制作方法，其特征是，上述蒸鍍氣氛的氧分壓范圍為0.5×10^-3至1×10^-1乇，最好在1.0×10^-3～1×10^-1乇范圍內。

15、權利要求1至權利要求14中的任一權利要求所述的超導薄膜的制作方法，其特征是，上述物理蒸鍍采用射頻（QF）濺射技術，濺射時的高頻功率為115W/cm²以下，最好在15W/cm²以下。

16、權利要求15所述的超導薄膜的制作方法，其特征是，用磁控管濺射實施物理蒸鍍。