[其他]具有多層薄膜迭合的半導體層的薄膜光電電動勢元件無效

申請號：	88101748	申請日：	1988-03-28
公開（公告）號：	CN88101748A	公開（公告）日：	1988-10-05
發明（設計）人：	中川克已;清水勇	申請（專利權）人：	佳能株式會社
主分類號：	H01L31/06	分類號：	H01L31/06;H01L31/10
代理公司：	中國國際貿易促進委員會專利代理部	代理人：	趙蓉民
地址：	日本***	國省代碼：	暫無信息
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摘要：
搜索關鍵詞：	具有多層薄膜半導體光電電動勢元件
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【權利要求書】：

1、一種改進的薄膜光電電動勢元件，其特征在于，N型和P型半導體層中至少有一層是由一層非單晶硅半導體層構成，該半導體層由多層厚度小于等于100埃、包含1到10原子百分比氫原子的非單晶硅膜迭合而成。

2、根據權利要求1的薄膜光電電動勢元件，其中，上述要構成N型和/或P型半導體層的重復部分的非單晶薄膜是從下面一組薄膜中選出的兩種，這組薄膜包括（1）含有一種雜質（a）的非單晶硅薄膜;（2）雜質（a）的含量大于薄膜（1）的非單晶硅薄膜;（3）含有一種不同的雜質（b）的非單晶硅薄膜;（4）不含任何雜質的非單晶硅薄膜。

3、權利要求1的薄膜光電電動勢元件是一種針型薄膜光電電動勢元件。

4、權利要求1的薄膜光電電動勢元件是一種肖特基型薄膜光電電動勢元件。

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