[其他]晶體增長裝置

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 88101744
• 申請日: 1988-03-26
• 公開（公告）號: CN88101744A
• 公開（公告）日: 1988-10-05
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 戴維·S·哈維
• 申請（專利權(quán)）人: 無比太陽能公司
• 主分類號: C30B15/34
• 分類號: C30B15/34
• 代理公司: 中國專利代理有限公司
• 代理人: 肖爾剛

1、用熔化物增長選定截面形狀空心晶體的系統(tǒng)中使用的設(shè)備，該設(shè)備包括：

(a)一種坩堝模具組合件，該組合件中有一個容放一種液態(tài)原料的室，一個用于晶體形成的增長面，承托在晶種附近的原料液膜，至少一個毛細管，通過毛細作用，用該熔化物的該原料液膜將該增長面潤濕，該增長面的俯視為其特點為有一個內(nèi)緣和一個外緣的環(huán)形構(gòu)形，因此可在增長面上，從熔化物膜增長空心管體；

(b)形成遠離該坩堝模具組合件的氣體第一進口孔的第一孔裝置；

(c)形成遠離該坩堝模具組合件的氣體第二進口孔的第二孔裝置；

(d)將引入該第一孔裝置的氣體，輸送到與該增長面的該內(nèi)緣相鄰的該坩堝模具組合件的第一通道裝置；

(e)將引入該第二孔裝置的氣體，輸送到與該增長面的該外緣相鄰的該坩堝模具組合件的第二通道裝置；

2、如權(quán)利要求2中之設(shè)備，其特征為該第一及第二通道裝置和該坩堝模具組合件一體形成。

3、如權(quán)利要求3中之設(shè)備，其特征為該第一通道裝置至少有一條在該坩堝模具組合件中形成的通通，該第二通道裝置至少有一條在該坩堝模具組合件中形成的通道。

4、如權(quán)利要求3中之設(shè)備，其特征為該坩堝模具組合件有一個和該內(nèi)緣相鄰而分離的內(nèi)表面，一個和該外緣相鄰而分離的外表面，并有一個底表面，該第一通道裝置至少有一條通道，在該內(nèi)表面和該底表面之間伸展，該第二通道裝置至少有一條通道，在該外表面和該底表面之間伸展。

5、如權(quán)利要求3中之設(shè)備，其特征為該第一通道裝置與該第二通道裝置分別形成，互不接通。

6、如權(quán)利要求4中之設(shè)備，其特征為該第一通道裝置與該第二通道裝置分別形成，互不接通。

7、根據(jù)EFG法的用一種熔化物增長選定截面形狀空心晶體的方法，改進之處在于：

所用設(shè)備包括：

（a）一種坩堝模具組合件，該組合件中有一個容放一種液態(tài)原料的室，一個用于晶體形成的增長面，承托在晶種附近的原料液膜，至少一個毛細管，通過毛細作用，用該熔化物的該原料液膜將該增長面潤濕，該增長面的俯視為其特點為有一個內(nèi)緣和一個外緣的環(huán)形結(jié)構(gòu)，因此可在該增長面上，用熔化物膜增長空心管體;

（b）形成遠離坩堝模具組合件的氣體第一進口孔的第一孔裝置;

（c）形成遠離該坩堝模具組合件的氣體第二進口孔的第二孔裝置;

（d）將引入該第一孔裝置的氣體，輸送到與該增長面的該內(nèi)緣相鄰的該坩堝模具組合件的第一通道裝置;

（e）將引入該第二孔裝置的氣體，輸送到與該增長面的該外緣相鄰的該坩堝模具組合件的第二通道裝置;

將一個第一氣體引入該一孔裝置，使該第一氣體輸送到與該增長面該內(nèi)緣相鄰的該坩堝模具組合件;

將一個第二氣體引入該第二孔裝置，使該第二氣體輸送到與該增長面該外緣相鄰的該坩堝模具組合件。

8、如權(quán)利要求7中之方法，其特征為該第一通道裝置和該第二通道裝置分別形成，互不接通。

9、如權(quán)利要求7中之方法，其特征為該第一氣體和/或該第二氣體包括一種惰氣，用以保護增長晶體，隔離可能在增長晶體周圍區(qū)域中存在的其他有害氣體。

10、如權(quán)利要求7中之方法，其特征為該第一氣體和/或該第二氣體包括一種反應(yīng)氣體，可在該晶體從該增長面上送出時，改變增長晶體的成分。

11、如權(quán)利要求7中之方法，其特征為該第一氣體和/或該第二氣體包括一種摻雜氣體，可在該晶體從該增長面上送出時，給該增長晶體一種摻雜劑。

12、如權(quán)利要求7中之方法，其特征為該第一氣體包括第一反應(yīng)氣體，當該晶體從該增長面上送出時，改變該晶體的成分，該第二氣體為第二反應(yīng)氣體，當該晶體從該增長面上送出時，改變該增長晶體的成分。

13、如權(quán)利要求7中之方法，其特征為該第一氣體包括第一摻雜氣體，當該晶體從該增長面上送出時，給該增長晶體第一摻雜物，該第二氣體為第二摻雜氣體，當該晶體從該增長面上送出時，給該增長晶體第二摻雜物。