[其他]復合電阻及其制造方法

在審

• 申請號: 88101639
• 申請日: 1988-02-27
• 公開（公告）號: CN88101639A
• 公開（公告）日: 1988-09-21
• 發明（設計）人: 小羅伊·懷爾德烈·查佩爾;戴維·尼爾·杜帕龍;約瑟夫·厄爾·梅多斯
• 申請（專利權）人: 約翰弗蘭克制造公司
• 主分類號: H01C17/00
• 分類號: H01C17/00;H01C7/06
• 代理公司: 中國專利代理有限公司
• 代理人: 羅才希

1、一種制造復合電阻的方法，它包括下列工序：

形成所述復合電阻的第一部分，所述第一部分具有第一電阻值和第一電阻溫度系數；

形成所述復合電阻的第二部分，所述第二部分具有第二電阻值和第二電阻溫度系數，所述第二電阻值不同于所述第一電值阻，而所述第二電阻溫度系數不同于所述第一電阻溫度系數并與所述第一電阻溫度系數的方向相反；

去除所述兩部分之一中的一些部分，直至所述第一和第二部分的合成電阻溫度系數基本為零。

2、一種制造復合電阻的方法，它包括下列工序：

形成所述復合電阻的第一部分，所述第一部分具有第一電阻值和第一電阻溫度系數;

形成所述復合電阻的第二部分，所述第二部分具有與所述第一電阻值不同的第二電阻值，且具有與所述第一電阻溫度系數不同且方向相反的第二電阻溫度系數;

去除所述第二部分中的一些部分，直至所述第一和第二部分的合成電阻溫度系數稍大于零;

去除所述第一部分的一些部分，直至所述第一和第二部分的合成電阻溫度系數基本為零。

3、根據權利要求1和2的方法，它包括下列工序：

氣密封接所述第一和第二部分;

在所述氣密封接工序后去除所述第一或第二部分中的一些部分。

4、一種制造復合電阻的方法，它包括下列工序：

在一塊基片上沉積一種電阻材料;

在所述電阻材料上沉積一種較低電阻的材料;

去除所述較低電阻材料的一部分，以形成一個具有第一電阻值和第一正電阻溫度系數的調整部分;

去除所述電阻材料的一部分，以形成一個與所述調整部分相連的電阻部分，所述電阻部分具有實質上大于所述第一電阻值的第二電阻值以及具有實質上小于所述第一正電阻溫度系數的負電阻溫度系數;

測量所述復合電阻的電阻溫度系數;

去除所述兩種電阻材料之一中的一些部分，直至測出所述復合電阻的電阻溫度系數基本為零。

5、一種制造復合電阻的方法，它包括下列工序：

在一塊基片上沉積一種電阻材料;

在所述電阻材料上沉積一種較低電阻材料;

去除所述較低電阻材料的一部分，以形成一個具有第一電阻值和第一正電阻溫度系數的調整部分;

去除所述電阻材料的一部分，以形成第一和第二電阻部分，所述兩個電阻部分中至少有一個電阻部分連接到所述調整部分，所述兩個電阻部分中的所述一個電阻部分具有實質上大于所述第一電阻值的阻值以及實質上小于所述正電阻溫度系數的負電阻溫度系數;

測量所述電阻部分之一和所述調整部分與所述其它電阻性部分之間的比例電阻溫度系數;

去除所述較低電阻材料的一些部分;

重覆所述測量和所述去除工序，直至所述比例電阻溫度系數基本為零。

6、根據權利要求4和5的方法，它包括：

在測量所述電阻溫度系數的工序之前，氣密封接所述調整部分和所述電阻部分;

在測量所述電阻溫度系數的工序之后用激光去除某些部分。

7、一種制造復合電阻的方法，它包括下列工序：

在一塊基片上沉積一種較高電阻薄膜材料;

在所述較高電阻材料上沉積一種較低電阻薄膜材料;

去除所述較低電阻材料的一部分，以形成一個具有第一電阻值和正電阻溫度系數的調整部分;

去除所述高電阻材料的一部分，以形成一個連接于并至少部分處于所述調整部分的下面的電阻部分，所述電阻部分具有實質上大于所述第一電阻值的第二電阻值以及實質上小于所述正電阻溫度系數的負電阻溫度系數;

測量所述電阻部分和調整部分的電阻溫度系數;

去除所述較低電阻材料的一些部分;

重覆所述測量和去除工序，直至測得電阻溫度系數在正或負0.5ppm/℃范圍內。

8、根據權利要求9的方法，其中多次重覆所述測量和去除工序，直至測得電阻溫度系數為絕對零。