[其他]半導(dǎo)體元件制造工藝

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 88100817
• 申請(qǐng)日: 1988-02-11
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN88100817A
• 公開(kāi)（公告）日: 1988-11-30
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 吉利·德勞希;奧托·庫(kù)恩
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: BBC勃朗·勃威力有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/302
• 分類號(hào): H01L21/302;B24B3/24
• 代理公司: 中國(guó)專利代理有限公司
• 代理人: 吳秉芬,程天正

1、制造半導(dǎo)體元件，尤其是制造大功率半導(dǎo)體元件的方法是用機(jī)械方式從一塊晶片(1)上至少切下一塊面積較小的元件襯底(2)，這種方法的特點(diǎn)是，元件襯底(2)為圓形，是用空心鉆(4)從晶片(1)上切下的。

2、根據(jù)權(quán)利要求1的方法的特點(diǎn)是，從一塊晶片（1）上同時(shí)可切下若干塊規(guī)格相同和/或規(guī)格不同的元件襯底（2）。

3、根據(jù)權(quán)利要求1的方法的特點(diǎn)是，切割是在晶片（1）經(jīng)過(guò)為制造元件所必需的各種熱加工過(guò)程之后進(jìn)行的。

4、根據(jù)權(quán)利要求1的方法的特點(diǎn)是，所用的空心鉆（4）鉆頭（1）的內(nèi)側(cè)面為斜面，并且，在切下元件襯底時(shí)亦可同時(shí)在元件襯底的邊沿上切好為反向電壓較高的元件所需要的邊沿斜面。

5、根據(jù)權(quán)利要求1的方法的特點(diǎn)是，所用空心鉆（4）是一種粒度為25微米，密度為100（4.4克拉/立方厘米）的金屬粘結(jié)的金剛石鉆。

6、根據(jù)權(quán)利要求5的方法的特點(diǎn)是，空心鉆（4）從內(nèi)外兩側(cè)進(jìn)行冷卻，尤其是冷卻劑是通過(guò)鉆內(nèi)的冷卻劑輸入通道（9）送入的。

7、根據(jù)權(quán)利要求6的方法的特點(diǎn)是，冷卻劑用的是摻有防銹添加劑的水。

8、根據(jù)權(quán)利要求1的方法的特點(diǎn)是，晶片（1）在鉆切時(shí)固定在一個(gè)平坦的墊板（5）上。

9、根據(jù)權(quán)利要求8的方法的特點(diǎn)是，晶片用膠粘劑（6）固定在作為墊板的玻璃板上。

10、根據(jù)權(quán)利要求5的方法的特點(diǎn)是，鉆頭（7）的切削速度約為7米/秒，空心鉆（4）的進(jìn)給速度為1～2毫米/分鐘。